logo
سعر جيد  متصل

تفاصيل المنتجات

Created with Pixso. المنزل Created with Pixso. المنتجات Created with Pixso.
رقاقة انفينيون
Created with Pixso.

IPB70N04S4-06 إنفينيون ترانزستور طاقة MOSFET من النوع N وضع تعزيز

IPB70N04S4-06 إنفينيون ترانزستور طاقة MOSFET من النوع N وضع تعزيز

اسم العلامة التجارية: Infineon Chip
رقم الموديل: IPB70N04S4-06
موك: 2500
تفاصيل التغليف: 2500 قطعة/بكرة
شروط الدفع: تي/تي
معلومات مفصلة
مكان المنشأ:
الصين
نموذج:
IPB70N04S4-06
اسم المنتج:
رقاقة انفينيون
يكتب:
سمد/سمت
درجة حرارة التشغيل:
- 55 درجة مئوية ~ + 175 درجة مئوية
تبديد الطاقة:
58 واط
تيار التصريف المستمر:
70 أ
القدرة على العرض:
100000
إبراز:

IPB70N04S4-06

,

IPB70N04S4 إنفينيون ترانزستور طاقة MOSFET من النوع N

,

وضع تعزيز من النوع N

وصف المنتج

شريحة Infineon IPB70N04S4-06 OptiMOS®-T2 ترانزستور طاقة N-channel - وضع التحسين


الميزات
N-channel - وضع التحسين 
مؤهل AEC 
MSL1 حتى 260 درجة مئوية ذروة إعادة التدفق 
درجة حرارة تشغيل 175 درجة مئوية 
منتج أخضر (متوافق مع RoHS) 
تم اختباره بنسبة 100% ضد الانهيار

ملخص المنتج
IPB70N04S4-06 إنفينيون ترانزستور طاقة MOSFET من النوع N وضع تعزيز

IPB70N04S4-06 إنفينيون ترانزستور طاقة MOSFET من النوع N وضع تعزيز

الحد الأقصى للتقييمات، عند درجة حرارة j =25 درجة مئوية، ما لم يُذكر خلاف ذلك
IPB70N04S4-06 إنفينيون ترانزستور طاقة MOSFET من النوع N وضع تعزيز

IPB70N04S4-06 إنفينيون ترانزستور طاقة MOSFET من النوع N وضع تعزيز

الخصائص الكهربائية، عند درجة حرارة j =25 درجة مئوية، ما لم يُذكر خلاف ذلك
IPB70N04S4-06 إنفينيون ترانزستور طاقة MOSFET من النوع N وضع تعزيز