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detalhes dos produtos

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Chip Infineon
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IPB70N04S4-06 Infineon MOSFET de Canal N Transistor de Potência OptiMOS-T2 Modo de Intensificação

IPB70N04S4-06 Infineon MOSFET de Canal N Transistor de Potência OptiMOS-T2 Modo de Intensificação

Marca: Infineon Chip
Número do modelo: IPB70N04S4-06
Quantidade mínima: 2500
Detalhes da embalagem: 2500 unidades/carretel
Condições de pagamento: T/T
Informações pormenorizadas
Lugar de origem:
China
modelo:
IPB70N04S4-06
Nome do produto:
Chip Infineon
Tipo:
SMD/SMT
Temperatura operacional:
- 55 °C ~ + 175 °C
Dissipação de energia:
58 W
Corrente contínua do dreno:
70 A
Habilidade da fonte:
100.000
Destacar:

IPB70N04S4-06

,

IPB70N04S4 Infineon MOSFET de Canal N

,

Modo de Intensificação de Canal N

Descrição do produto

Infineon Chip IPB70N04S4-06 OptiMOS®-T2 Transistor de Potência Canal N - modo de aprimoramento


Características
Canal N - modo de aprimoramento 
Qualificado AEC 
MSL1 até 260°C pico de reflow 
175°C temperatura de operação 
Produto Verde (compatível com RoHS) 
100% testado por avalanche

Resumo do Produto
IPB70N04S4-06 Infineon MOSFET de Canal N Transistor de Potência OptiMOS-T2 Modo de Intensificação

IPB70N04S4-06 Infineon MOSFET de Canal N Transistor de Potência OptiMOS-T2 Modo de Intensificação

Máximas classificações, em T j =25 °C, a menos que especificado de outra forma
IPB70N04S4-06 Infineon MOSFET de Canal N Transistor de Potência OptiMOS-T2 Modo de Intensificação

IPB70N04S4-06 Infineon MOSFET de Canal N Transistor de Potência OptiMOS-T2 Modo de Intensificação

Características elétricas, em T j =25 °C, a menos que especificado de outra forma
IPB70N04S4-06 Infineon MOSFET de Canal N Transistor de Potência OptiMOS-T2 Modo de Intensificação