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उत्पादों का विवरण

Created with Pixso. घर Created with Pixso. उत्पाद Created with Pixso.
इन्फिनियन चिप
Created with Pixso.

IPB70N04S4-06 Infineon N-Channel MOSFET OptiMOS-T2 पावर ट्रांजिस्टर एन्हांसमेंट मोड

IPB70N04S4-06 Infineon N-Channel MOSFET OptiMOS-T2 पावर ट्रांजिस्टर एन्हांसमेंट मोड

ब्रांड का नाम: Infineon Chip
मॉडल नंबर: आईपीबी70एन04एस4-06
MOQ: 2500
पैकेजिंग विवरण: 2500PCS/रील
भुगतान की शर्तें: टी/टी
विस्तृत जानकारी
उत्पत्ति के प्लेस:
चीन
दस्तावेज:
नमूना:
आईपीबी70एन04एस4-06
प्रोडक्ट का नाम:
इन्फिनियन चिप
प्रकार:
एसएमडी/एसएमटी
परिचालन तापमान:
- 55 डिग्री सेल्सियस ~ + 175 डिग्री सेल्सियस
शक्ति का अपव्यय:
58 W
निरंतर नाली वर्तमान:
70 ए
आपूर्ति की क्षमता:
100000
प्रमुखता देना:

आईपीबी70एन04एस4-06

,

IPB70N04S4 Infineon N-Channel MOSFET

,

N-Channel एन्हांसमेंट मोड

उत्पाद वर्णन

Infineon चिप IPB70N04S4-06 OptiMOS®-T2 पावर-ट्रांजिस्टर N-चैनल - एन्हांसमेंट मोड


विशेषताएं
N-चैनल - एन्हांसमेंट मोड 
AEC योग्य 
MSL1 260°C तक पीक रीफ्लो 
175°C ऑपरेटिंग तापमान 
ग्रीन प्रोडक्ट (RoHS अनुपालक) 
100% हिमस्खलन परीक्षण

उत्पाद सारांश
IPB70N04S4-06 Infineon N-Channel MOSFET OptiMOS-T2 पावर ट्रांजिस्टर एन्हांसमेंट मोड

IPB70N04S4-06 Infineon N-Channel MOSFET OptiMOS-T2 पावर ट्रांजिस्टर एन्हांसमेंट मोड

अधिकतम रेटिंग, T पर j =25 °C, जब तक अन्यथा निर्दिष्ट न हो
IPB70N04S4-06 Infineon N-Channel MOSFET OptiMOS-T2 पावर ट्रांजिस्टर एन्हांसमेंट मोड

IPB70N04S4-06 Infineon N-Channel MOSFET OptiMOS-T2 पावर ट्रांजिस्टर एन्हांसमेंट मोड

विद्युत विशेषताएँ, T पर j =25 °C, जब तक अन्यथा निर्दिष्ट न हो
IPB70N04S4-06 Infineon N-Channel MOSFET OptiMOS-T2 पावर ट्रांजिस्टर एन्हांसमेंट मोड