logo
Хорошая цена  Онлайн

Подробная информация о продукции

Created with Pixso. Дом Created with Pixso. Продукты Created with Pixso.
Чип Инфинеон
Created with Pixso.

IPB70N04S4-06 Infineon N-канальный MOSFET OptiMOS-T2 Силовой транзистор Режим обогащения

IPB70N04S4-06 Infineon N-канальный MOSFET OptiMOS-T2 Силовой транзистор Режим обогащения

Название бренда: Infineon Chip
Номер модели: ИПБ70Н04С4-06
минимальный заказ: 2500
Детали упаковки: 2500 шт./катушка
Условия оплаты: Т/Т
Детальная информация
Место происхождения:
Китай
модель:
ИПБ70Н04С4-06
Название продукта:
Чип Инфинеон
Тип:
СМД/СМТ
Рабочая температура:
- 55°С ~ + 175°С
Рассеяние мощности:
58 w
Непрерывное течение стока:
70 a
Поставка способности:
100000
Выделить:

ИПБ70Н04С4-06

,

IPB70N04S4 Infineon N-канальный MOSFET

,

N-канальный режим обогащения

Описание продукта

Чип Infineon IPB70N04S4-06 OptiMOS®-T2 Power-Transistor N-канал - режим усиления


Особенности
N-канал - режим усиления
Квалификация AEC
MSL1 до 260°C пиковый обратный поток
Операционная температура 175°C
Зеленый продукт (соответствует требованиям RoHS)
100% Avalanche проверенный

Резюме продукта
IPB70N04S4-06 Infineon N-канальный MOSFET OptiMOS-T2 Силовой транзистор Режим обогащения

IPB70N04S4-06 Infineon N-канальный MOSFET OptiMOS-T2 Силовой транзистор Режим обогащения

Максимальные рейтинги,в Tj=25 °C, если не указано иное
IPB70N04S4-06 Infineon N-канальный MOSFET OptiMOS-T2 Силовой транзистор Режим обогащения

IPB70N04S4-06 Infineon N-канальный MOSFET OptiMOS-T2 Силовой транзистор Режим обогащения

Электрические характеристики,в Tj=25 °C, если не указано иное
IPB70N04S4-06 Infineon N-канальный MOSFET OptiMOS-T2 Силовой транзистор Режим обогащения