logo
Καλή τιμή  Διαδικτυακά

λεπτομέρειες προϊόντων

Created with Pixso. Σπίτι Created with Pixso. Προϊόντα Created with Pixso.
Infineon Chip
Created with Pixso.

IPB70N04S4-06 Infineon N-Channel MOSFET OptiMOS-T2 Τρόπος ενίσχυσης του ενεργειακού τρανζίστορα

IPB70N04S4-06 Infineon N-Channel MOSFET OptiMOS-T2 Τρόπος ενίσχυσης του ενεργειακού τρανζίστορα

Επωνυμία: Infineon Chip
Αριθμός μοντέλου: IPB70N04S4-06
MOQ: 2500
Λεπτομέρειες συσκευασίας: 2500 ΤΕΜ/κύλινδρο
Όροι πληρωμής: T/T
Λεπτομέρειες
Τόπος καταγωγής:
Κίνα
μοντέλο:
IPB70N04S4-06
Όνομα προϊόντος:
Infineon Chip
Τύπος:
SMD/SMT
Θερμοκρασία λειτουργίας:
- 55 °C ~ + 175 °C
Διαρροή Ισχύος:
58 W
Συνεχές ρεύμα αγωγών:
70 Α
Δυνατότητα προσφοράς:
100000
Επισημαίνω:

IPB70N04S4-06

,

IPB70N04S4 Infineon N-Channel MOSFET

,

Τρόπος βελτίωσης N-Κανάλι

Περιγραφή προϊόντος

Infineon Chip IPB70N04S4-06 OptiMOS®-T2 Power-Transistor N-channel - Λειτουργία Ενίσχυσης


Χαρακτηριστικά
Κανάλι N - Λειτουργία Ενίσχυσης 
Πιστοποιημένο AEC 
MSL1 έως 260°C κορυφή αναρροής 
175°C θερμοκρασία λειτουργίας 
Πράσινο Προϊόν (συμβατό με RoHS) 
100% δοκιμασμένο σε χιονοστιβάδα

Σύνοψη Προϊόντος
IPB70N04S4-06 Infineon N-Channel MOSFET OptiMOS-T2 Τρόπος ενίσχυσης του ενεργειακού τρανζίστορα

IPB70N04S4-06 Infineon N-Channel MOSFET OptiMOS-T2 Τρόπος ενίσχυσης του ενεργειακού τρανζίστορα

Μέγιστες βαθμολογίες, στο T j =25 °C, εκτός αν ορίζεται διαφορετικά
IPB70N04S4-06 Infineon N-Channel MOSFET OptiMOS-T2 Τρόπος ενίσχυσης του ενεργειακού τρανζίστορα

IPB70N04S4-06 Infineon N-Channel MOSFET OptiMOS-T2 Τρόπος ενίσχυσης του ενεργειακού τρανζίστορα

Ηλεκτρικά χαρακτηριστικά, στο T j =25 °C, εκτός αν ορίζεται διαφορετικά
IPB70N04S4-06 Infineon N-Channel MOSFET OptiMOS-T2 Τρόπος ενίσχυσης του ενεργειακού τρανζίστορα