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dettagli dei prodotti

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Chip Infineon
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IPB70N04S4-06 Infineon N-Channel MOSFET OptiMOS-T2 Transistor di potenza Modalità di miglioramento

IPB70N04S4-06 Infineon N-Channel MOSFET OptiMOS-T2 Transistor di potenza Modalità di miglioramento

Marchio: Infineon Chip
Numero di modello: IPB70N04S4-06
MOQ: 2500
Dettagli dell'imballaggio: 2500 pezzi/bobina
Termini di pagamento: T/T
Informazioni dettagliate
Luogo di origine:
Cina
modello:
IPB70N04S4-06
Nome del prodotto:
Chip Infineon
Tipo:
SMD/SMT
Temperatura operativa:
-55°C~+175°C
Dissipazione di potenza:
58 W
Corrente continua dello scolo:
70 A
Capacità di alimentazione:
100000
Evidenziare:

IPB70N04S4-06

,

IPB70N04S4 Infineon N-Channel MOSFET

,

N-Channel Modalità di miglioramento

Descrizione del prodotto

Infineon Chip IPB70N04S4-06 OptiMOS®-T2 Transistor di potenza N-channel - Modalità di miglioramento


Caratteristiche
N-channel - Modalità di miglioramento 
Qualificato AEC 
MSL1 fino a 260°C picco di riflusso 
Temperatura operativa 175°C 
Prodotto Green (conforme RoHS) 
100% testato in valanga

Riepilogo del prodotto
IPB70N04S4-06 Infineon N-Channel MOSFET OptiMOS-T2 Transistor di potenza Modalità di miglioramento

IPB70N04S4-06 Infineon N-Channel MOSFET OptiMOS-T2 Transistor di potenza Modalità di miglioramento

Valori massimi, a T j =25 °C, se non diversamente specificato
IPB70N04S4-06 Infineon N-Channel MOSFET OptiMOS-T2 Transistor di potenza Modalità di miglioramento

IPB70N04S4-06 Infineon N-Channel MOSFET OptiMOS-T2 Transistor di potenza Modalità di miglioramento

Caratteristiche elettriche, a T j =25 °C, se non diversamente specificato
IPB70N04S4-06 Infineon N-Channel MOSFET OptiMOS-T2 Transistor di potenza Modalità di miglioramento