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Einzelheiten zu den Produkten

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Infineon-Chip
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IPB70N04S4-06 Infineon N-Kanal MOSFET OptiMOS-T2 Leistungstransistor Anreicherungsmodus

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IPB70N04S4-06 Infineon N-Kanal MOSFET OptiMOS-T2 Leistungstransistor Anreicherungsmodus
  • Name

IPB70N04S4-06 Infineon N-Kanal MOSFET OptiMOS-T2 Leistungstransistor Anreicherungsmodus

Markenname: Infineon Chip
Modellnummer: IPB70N04S4-06
Mindestbestellmenge: 2500
Verpackungsdetails: 2500 Stück/Rolle
Zahlungsbedingungen: T/T
Detailinformationen
Produktbeschreibung
Detailinformationen
Herkunftsort:
China
Dokumentieren:
Infineon-IPP_B_I70N04S4_06-...en.pdf
Modell:
IPB70N04S4-06
Produktname:
Infineon-Chip
Typ:
SMD/SMT
Betriebstemperatur:
- 55 °C ~ + 175 °C
Verlustleistung:
58 W
Ununterbrochener Abfluss-Strom:
70 A
Versorgungsmaterial-Fähigkeit:
100000
Hervorheben:

IPB70N04S4-06

,

IPB70N04S4 Infineon N-Kanal MOSFET

,

N-Kanal Anreicherungsmodus

Produktbeschreibung

Infineon Chip IPB70N04S4-06 OptiMOS®-T2 Power-Transistor N-Kanal - Anreicherungsmodus


Merkmale
N-Kanal - Anreicherungsmodus 
AEC qualifiziert 
MSL1 bis zu 260°C Spitzentemperatur beim Reflow 
175°C Betriebstemperatur 
Grünes Produkt (RoHS-konform) 
100% Lawinentest

Produktsumme
IPB70N04S4-06 Infineon N-Kanal MOSFET OptiMOS-T2 Leistungstransistor Anreicherungsmodus

IPB70N04S4-06 Infineon N-Kanal MOSFET OptiMOS-T2 Leistungstransistor Anreicherungsmodus

Maximale Nennwerte, bei T j =25 °C, sofern nicht anders angegeben
IPB70N04S4-06 Infineon N-Kanal MOSFET OptiMOS-T2 Leistungstransistor Anreicherungsmodus

IPB70N04S4-06 Infineon N-Kanal MOSFET OptiMOS-T2 Leistungstransistor Anreicherungsmodus

Elektrische Kennwerte, bei T j =25 °C, sofern nicht anders angegeben
IPB70N04S4-06 Infineon N-Kanal MOSFET OptiMOS-T2 Leistungstransistor Anreicherungsmodus
Schlagworte: 

Infineon Power MOSFET  

Infineon Chip  

Infineon PFC Controller

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