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Détails des produits

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Puce Infineon
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IPB70N04S4-06 Infineon N-Channel MOSFET OptiMOS-T2 Transistor de puissance Mode d'amélioration

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IPB70N04S4-06 Infineon N-Channel MOSFET OptiMOS-T2 Transistor de puissance Mode d'amélioration
  • Nom

IPB70N04S4-06 Infineon N-Channel MOSFET OptiMOS-T2 Transistor de puissance Mode d'amélioration

Nom De La Marque: Infineon Chip
Numéro De Modèle: IPB70N04S4-06
Quantité Minimale De Commande: 2500
Détails De L'emballage: 2500 pièces/bobine
Conditions De Paiement: T/T
Informations détaillées
Description du produit
Informations détaillées
Lieu d'origine:
Chine
Documents:
Infineon-IPP_B_I70N04S4_06-...en.pdf
modèle:
IPB70N04S4-06
Nom du produit:
Puce Infineon
Taper:
CMS/CMS
Température de fonctionnement:
- 55 °C ~ + 175 °C
Dissipation de puissance:
58 W
Courant continu de drain:
70 A
Capacité d'approvisionnement:
100000
Mettre en évidence:

IPB70N04S4-06

,

IPB70N04S4 Infineon N-Channel MOSFET

,

Mode d'amélioration à canal N

Description du produit

La mise à jour est effectuée par le système d'exploitation.


Caractéristiques
N-canal - mode d'amélioration
Qualifié AEC
MSL1 jusqu'à 260 °C de reflux de pointe
Température de fonctionnement de 175°C
Produit vert (conforme à la réglementation RoHS)
100% testé par Avalanche

Résumé du produit
IPB70N04S4-06 Infineon N-Channel MOSFET OptiMOS-T2 Transistor de puissance Mode d'amélioration

IPB70N04S4-06 Infineon N-Channel MOSFET OptiMOS-T2 Transistor de puissance Mode d'amélioration

Les cotes maximales,à Tj= 25 °C, sauf indication contraire
IPB70N04S4-06 Infineon N-Channel MOSFET OptiMOS-T2 Transistor de puissance Mode d'amélioration

IPB70N04S4-06 Infineon N-Channel MOSFET OptiMOS-T2 Transistor de puissance Mode d'amélioration

caractéristiques électriques,à Tj= 25 °C, sauf indication contraire
IPB70N04S4-06 Infineon N-Channel MOSFET OptiMOS-T2 Transistor de puissance Mode d'amélioration
Balises: 

mosfet de puissance infineon  

puce infineon  

contrôleur pfc infineon

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