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제품 세부 정보

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인피니언 칩
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IPB70N04S4-06 Infineon N채널 MOSFET OptiMOS-T2 전력 트랜지스터 엔핸스먼트 모드

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IPB70N04S4-06 Infineon N채널 MOSFET OptiMOS-T2 전력 트랜지스터 엔핸스먼트 모드
  • 이름

IPB70N04S4-06 Infineon N채널 MOSFET OptiMOS-T2 전력 트랜지스터 엔핸스먼트 모드

브랜드 이름: Infineon Chip
모델 번호: IPB70N04S4-06
MOQ: 2500
포장 세부사항: 2500PCS/릴
지불 조건: 티/티
상세 정보
제품 설명
상세 정보
원래 장소:
중국
문서:
Infineon-IPP_B_I70N04S4_06-...en.pdf
모델:
IPB70N04S4-06
제품명:
인피니언 칩
유형:
SMD/SMT
작동 온도:
- 55°C ~ + 175°C
전력 소비:
58W
연속배수 경향:
70 A
공급 능력:
100000
강조하다:

IPB70N04S4-06

,

IPB70N04S4 Infineon N채널 MOSFET

,

N채널 엔핸스먼트 모드

제품 설명

인피니온 칩 IPB70N04S4-06 OptiMOS®-T2 파워 트랜지스터 N 채널 - 강화 모드


특징
N 채널 - 강화 모드
AEC 자격
MSL1 최대 260°C 최고 재흐름
175°C 작동 온도
녹색 제품 (RoHS 준수)
100% Avalanche 테스트

제품 요약
IPB70N04S4-06 Infineon N채널 MOSFET OptiMOS-T2 전력 트랜지스터 엔핸스먼트 모드

IPB70N04S4-06 Infineon N채널 MOSFET OptiMOS-T2 전력 트랜지스터 엔핸스먼트 모드

최고 등급T에서j=25 °C, 달리 정하지 않은 경우
IPB70N04S4-06 Infineon N채널 MOSFET OptiMOS-T2 전력 트랜지스터 엔핸스먼트 모드

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전기적 특성T에서j=25 °C, 달리 정하지 않은 경우
IPB70N04S4-06 Infineon N채널 MOSFET OptiMOS-T2 전력 트랜지스터 엔핸스먼트 모드
태그: 

인피니언 파워 모스펫  

칩 인피니언  

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