รายละเอียดสินค้า

บ้าน สินค้า

ชิป TI

OPA818IDRGR TI ชิป OPA818 2.7 GHz FET Input แรงดันสูง เสียงรบกวนต่ำ เครื่องขยายเสียงปฏิบัติการ

ประเภททั้งหมด

ชิป LED พลังงานสูง

ติดต่อเรา

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

ติดต่อตอนนี้

ประเภททั้งหมด

OPA818IDRGR TI ชิป OPA818 2.7 GHz FET Input แรงดันสูง เสียงรบกวนต่ำ เครื่องขยายเสียงปฏิบัติการ

ชื่อแบรนด์:	TI Chips
หมายเลขรุ่น:	OPA818IDRGR
ขั้นต่ำ:	3000
รายละเอียดบรรจุภัณฑ์:	3000 ชิ้น/รีล
เงื่อนไขการชำระเงิน:	ที/ที

ข้อมูลรายละเอียด

รายละเอียดสินค้า

ข้อมูลรายละเอียด

สถานที่กำเนิด:

แบบอย่าง:

OPA818IDRGR

ชื่อสินค้า:

ชิป TI

พิมพ์:

เอสเอ็มดี/เอสเอ็มที

การห่อหุ้ม:

แบนด์วิดธ์ 3dB:

765 เมกะเฮิรตซ์

ป้อนกระแสอคติ:

25 พีเอ

สามารถในการผลิต:

1000000

เน้น:

OPA818IDRGR เครื่องขยายเสียงปฏิบัติการ

TI ชิป FET Input Amplifier

2.7 GHz Low Noise Amplifier

รายละเอียดสินค้า

TI Chips OPA818IDRGR OPA818 2.7GHz, High-Voltage, FET-Input, Low-Noise, Operational Amplifier

คุณสมบัติ

• ความเร็วสูง:

– ผลคูณอัตราขยายแบนด์วิดท์ (GBWP): 2.7GHz

– แบนด์วิดท์ (G = 7V/V): 765MHz

– แบนด์วิดท์สัญญาณใหญ่ (2VPP): 400MHz

– อัตราการสลู (Slew rate): 1400V/µs

• อัตราขยายแบบไม่ชดเชย (Decompensated gain): เสถียรที่ 7V/V

• สัญญาณรบกวนต่ำ:

– แรงดันไฟฟ้าสัญญาณรบกวนอินพุต (Input voltage noise): 2.2nV/√Hz

– กระแสไฟฟ้าสัญญาณรบกวนอินพุต (Input current noise): 3fA/√Hz (f = 10kHz)

• กระแสไบอัสอินพุต (Input bias current): 4pA (ทั่วไป)

• ความจุอินพุตต่ำ:

– โหมดร่วม (Common-mode): 1.9pF

– โหมดส่วนต่าง (Differential mode): 0.5pF

• ความผิดเพี้ยนต่ำ (G = 7V/V, RL = 1kΩ, VO = 2VPP):

– HD2, HD3 ที่ 1MHz: –104dBc, –108dBc

– HD2, HD3 ที่ 50MHz: –57dBc, –72dBc

• ช่วงแรงดันไฟเลี้ยงกว้าง: 6V ถึง 13V

• ช่วงเอาต์พุตสวิง (Output swing): 8VPP (VS = 10V)

• กระแสไฟเลี้ยง (Supply current): 27.7mA

• กระแสไฟเลี้ยงขณะปิดเครื่อง (Shutdown supply current): 27µA

• อัปเกรดประสิทธิภาพจาก OPA657

การใช้งาน

• ตัวขยายทรานส์อิมพีแดนซ์ (TIA) แบนด์วิดท์กว้าง

• อุปกรณ์สแกนเวเฟอร์

• โมดูลสื่อสารด้วยแสง

• การเก็บข้อมูลความเร็วสูง (DAQ)

• โพรบแบบแอคทีฟ

• การวัดการสะท้อนของแสงแบบโดเมนเวลา (OTDR)

• ส่วนหน้าของเครื่องมือวัดและทดสอบ

• เครื่องวิเคราะห์ทางการแพทย์และเคมี

คำอธิบาย

OPA818 เป็นแอมพลิฟายเออร์แบบป้อนกลับแรงดันไฟฟ้า (voltage-feedback operational amplifier) ที่ไม่ชดเชย (decompensated) สำหรับการใช้งานที่ต้องการความเร็วสูงและช่วงไดนามิกกว้าง OPA818 มีอินพุต JFET ที่มีสัญญาณรบกวนต่ำ ซึ่งรวมเอาอัตราขยายแบนด์วิดท์สูงเข้ากับช่วงแรงดันไฟเลี้ยงที่กว้างตั้งแต่ 6V ถึง 13V อัตราการสลูที่รวดเร็ว (1400V/µs) ให้แบนด์วิดท์สัญญาณใหญ่ที่สูงและการผิดเพี้ยนต่ำ แอมพลิฟายเออร์นี้ผลิตขึ้นโดยใช้กระบวนการซิลิคอน-เจอร์เมเนียม (SiGe) ความเร็วสูงที่เป็นกรรมสิทธิ์ของ TI เพื่อให้ได้ประสิทธิภาพที่ดีขึ้นอย่างมากเมื่อเทียบกับแอมพลิฟายเออร์อินพุต FET ความเร็วสูงอื่นๆ

OPA818 เป็น TIA photodiode amp แบนด์วิดท์กว้างที่ใช้งานได้หลากหลายมากสำหรับการใช้งานในอุปกรณ์ทดสอบและสื่อสารด้วยแสง และเครื่องมือทางการแพทย์ วิทยาศาสตร์ และอุตสาหกรรมต่างๆ OPA818 มี GBWP 2.7GHz, ความจุอินพุตทั้งหมดต่ำที่ 2.4pF และสัญญาณรบกวนอินพุต 2.2nV/√Hz OPA818 ให้แบนด์วิดท์สัญญาณมากกว่า 85MHz ในการกำหนดค่า TIA ที่มีอัตราขยาย TIA 20kΩ (R

) และความจุโฟโตไดโอด 0.5pF (C

) พร้อมช่วงเอาต์พุตสวิงที่กว้าง

สถาปัตยกรรมสัญญาณรบกวนต่ำพร้อมกระแสไบอัสอินพุตระดับพิโกแอมแปร์ยังเป็นตัวเลือกที่ยอดเยี่ยมสำหรับการใช้งานด้านการทดสอบและวัดผล แม้ว่าโดยทั่วไปจะเสถียรที่อัตราขยาย ≥ 7V/V แต่ OPA818 ถูกออกแบบมาเพื่อใช้ในการใช้งานที่มีอัตราขยายต่ำกว่าโดยใช้เทคนิคการปรับแต่งสัญญาณรบกวน (noise-gain shaping)

OPA818 มีให้เลือกในแพ็คเกจ SOT-23 แบบ 5 ขา และแพ็คเกจ WSON แบบ 8 ขา พร้อมแผ่นระบายความร้อน (exposed thermal pad) สำหรับการกระจายความร้อน อุปกรณ์นี้ระบุไว้สำหรับการทำงานในช่วงอุณหภูมิอุตสาหกรรมตั้งแต่ –40°C ถึง +85°C

แท็ก:

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI

TSLC Semileds หลอดไฟ LED

ชิป LED พลังงานสูง

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI

TSLC Semileds หลอดไฟ LED

ชิป LED พลังงานสูง

รายละเอียดสินค้า

OPA818IDRGR TI ชิป OPA818 2.7 GHz FET Input แรงดันสูง เสียงรบกวนต่ำ เครื่องขยายเสียงปฏิบัติการ

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI

TSLC Semileds หลอดไฟ LED

ชิป LED พลังงานสูง

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI