details van de producten

Huis Producten

TI-chips

OPA818IDRGR TI Chips OPA818 2,7 GHz Hoogspanning FET Input Laag Ruis Operationele Versterker

Alle Categorieën

Hoogvermogen led-chip

Contacteer ons

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

Contact nu

Alle Categorieën

OPA818IDRGR TI Chips OPA818 2,7 GHz Hoogspanning FET Input Laag Ruis Operationele Versterker

Merknaam:	TI Chips
Modelnummer:	OPA818IDRGR
MOQ:	3000
Verpakkingsdetails:	3000 stks/spoel
Betalingsvoorwaarden:	T/T

Gedetailleerde informatie

Productbeschrijving

Gedetailleerde informatie

Plaats van herkomst:

China

model:

OPA818IDRGR

Productnaam:

TI-chips

Type:

SMD/SMT

Inkapseling:

Haspel

3dB bandbreedte:

765 MHz

Input Bias Stroom:

Pa 25

Levering vermogen:

1000000

Markeren:

OPA818IDRGR Operationele Versterker

TI Chips FET Input Versterker

2

Productbeschrijving

TI Chips OPA818IDRGR OPA818 2,7 GHz, hoogspannings, FET-ingang, ruisarme operationele versterker

Functies

• Hoge snelheid:

– Bandbreedte met versterking (GBWP): 2,7 GHz

– Bandbreedte (G = 7V/V): 765 MHz

– Bandbreedte voor groot signaal (2VPP): 400 MHz

– Slew rate: 1400 V/µs

• Gedecompenseerde versterking: 7 V/V stabiel

• Lage ruis:

– Ingangsspanningsruis: 2,2 nV/√Hz

– Ingangsstroomruis: 3 fA/√Hz (f = 10 kHz)

• Ingangsbiasstroom: 4 pA (typisch)

• Lage ingangscapaciteit:

– Common-mode: 1,9 pF

– Differentieel: 0,5 pF

• Lage vervorming (G = 7 V/V, RL = 1 kΩ, VO = 2 VPP):

– HD2, HD3 bij 1 MHz: –104 dBc, –108 dBc

– HD2, HD3 bij 50 MHz: –57 dBc, –72 dBc

• Breed voedingsbereik: 6 V tot 13 V

• Uitgangsswing: 8 VPP (VS = 10 V)

• Voedingsstroom: 27,7 mA

• Afsluitvoedingsstroom: 27 µA

• Prestatie-upgrade naar OPA657

Toepassingen

• Brede transimpedantie versterker (TIA)

• Wafer scanning apparatuur

• Optische communicatiemodule

• Snelle data-acquisitie (DAQ)

• Actieve probe

• Optische reflectometrie in het tijdsdomein (OTDR)

• Test- en meet-front-end

• Medische en chemische analysers

Beschrijving

De OPA818 is een gedecompenseerde, spanningsgestuurde

operationele versterker voor toepassingen met hoge snelheid en

breed dynamisch bereik. De OPA818 heeft een ruisarme JFET

ingangstrap die een hoge bandbreedte met versterking combineert

met een breed voedingsbereik van 6 V tot 13 V. De snelle

slew rate (1400 V/µs) zorgt voor een hoge bandbreedte voor

grote signalen en lage vervorming. Deze versterker wordt

geproduceerd met TI's eigen, snelle silicium-germanium (SiGe)

proces om aanzienlijke prestatieverbeteringen te bereiken

ten opzichte van andere snelle FET-ingangsversterkers.

De OPA818 is een extreem veelzijdige, brede TIA

fotodiode versterker voor gebruik in optische test- en

communicatieapparatuur, en vele medische, wetenschappelijke

en industriële instrumenten. De OPA818 biedt een GBWP van

2,7 GHz, een lage totale ingangscapaciteit van 2,4 pF en een

ingangsruis van 2,2 nV/√Hz. De OPA818 bereikt een

signaalbandbreedte van meer dan 85 MHz in een TIA-configuratie

met een TIA-versterking van 20 kΩ (R

F) en een fotodiodecapaciteit van 0,5 pF (CD

) met brede uitgangsswings. De ruisarme architectuur met picoampère ingangsbiasstroom is ook een uitstekende keuze voor test- en meettoepassingen.

Hoewel doorgaans stabiel in versterkingen ≥ 7 V/V, is de

OPA818 ontworpen voor gebruik in toepassingen met lagere

versterkingen door ruisversterkingsvormingstechnieken toe te

passen.

De OPA818 is verkrijgbaar in een 5-pins SOT-23

pakket en een 8-lead WSON-pakket met een blootgesteld

thermisch kussen voor warmteafvoer. Dit apparaat is

gespecificeerd voor gebruik over het industriële

temperatuurbereik van –40°C tot +85°C.

Labels:

OSRAM LED-CHIP

Cree LEIDENE Spaander

ST IC-chips

TI-chips

Bridgelux LED-chip

Infineon-chip

LUMINUS LED-chip

LEIDENE lampparels

SAMSUNG IC-chips

Micron-chips

SK Hynix Chips

LumiLEDs LED-chip

SAMSUNG LED chip

SEOUL LED Chip

NICHIA LED-chip

NeXperia Chips

ONsemi Chips

ADI-chips

TSLC-semileden LED-lampkralen

Hoogvermogen led-chip

OSRAM LED-CHIP

Cree LEIDENE Spaander

ST IC-chips

TI-chips

Bridgelux LED-chip

Infineon-chip

LUMINUS LED-chip

LEIDENE lampparels

SAMSUNG IC-chips

Micron-chips

SK Hynix Chips

LumiLEDs LED-chip

SAMSUNG LED chip

SEOUL LED Chip

NICHIA LED-chip

NeXperia Chips

ONsemi Chips

ADI-chips

TSLC-semileden LED-lampkralen

Hoogvermogen led-chip

details van de producten

OPA818IDRGR TI Chips OPA818 2,7 GHz Hoogspanning FET Input Laag Ruis Operationele Versterker

OSRAM LED-CHIP

Cree LEIDENE Spaander

ST IC-chips

TI-chips

Bridgelux LED-chip

Infineon-chip

LUMINUS LED-chip

LEIDENE lampparels

SAMSUNG IC-chips

Micron-chips

SK Hynix Chips

LumiLEDs LED-chip

SAMSUNG LED chip

SEOUL LED Chip

NICHIA LED-chip

NeXperia Chips

ONsemi Chips

ADI-chips

TSLC-semileden LED-lampkralen

Hoogvermogen led-chip

OSRAM LED-CHIP

Cree LEIDENE Spaander

ST IC-chips

TI-chips

Bridgelux LED-chip

Infineon-chip

LUMINUS LED-chip

LEIDENE lampparels

SAMSUNG IC-chips

Micron-chips

SK Hynix Chips

LumiLEDs LED-chip

SAMSUNG LED chip

SEOUL LED Chip

NICHIA LED-chip

NeXperia Chips

ONsemi Chips

ADI-chips