Einzelheiten zu den Produkten

Haus Produkte

TI-Chips

OPA818IDRGR TI Chips OPA818 2,7 GHz Hochspannungs-FET-Eingangs-Rauscharmes Operationsverstärker

Alle Kategorien

Hochleistungs-LED-Chip

Treten Sie mit uns in Verbindung

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

Kontakt jetzt

Alle Kategorien

OPA818IDRGR TI Chips OPA818 2,7 GHz Hochspannungs-FET-Eingangs-Rauscharmes Operationsverstärker

Markenname:	TI Chips
Modellnummer:	OPA818IDRGR
Mindestbestellmenge:	3000
Verpackungsdetails:	3000 Stück/Rolle
Zahlungsbedingungen:	T/T

Detailinformationen

Produktbeschreibung

Detailinformationen

Herkunftsort:

China

Modell:

OPA818IDRGR

Produktname:

TI-Chips

SMD/SMT

Verkapselung:

Spule

3 dB Bandbreite:

765 MHz

Eingegebener schräger Strom:

PA 25

Versorgungsmaterial-Fähigkeit:

1000000

Hervorheben:

OPA818IDRGR Operationsverstärker

TI Chips FET-Eingangsverstärker

2

Produktbeschreibung

TI-Chips OPA818IDRGR OPA818 2,7 GHz, Hochspannung, FET-Eingang, Geräuscharm, Betriebsverstärker

Eigenschaften

• Hochgeschwindigkeit:

¢ Bandbreitengewinneprodukt (GBWP): 2,7 GHz

Bandbreite (G = 7V/V): 765MHz

PP): 400 MHz

¢ Schwinggeschwindigkeit: 1400 V/μs

• Decompensated gain: 7V/V stabil

• Geräuscharm:

√ Eingangsspannungsgeräusche: 2,2nV/√Hz

️ Eingangsstromgeräusch: 3fA/√Hz (f = 10kHz)

• Eingangsstrom: 4pA (typisch)

• Niedrige Eingangskapazität:

¢ Allgemeinmodus: 1,9 pF

- Differenzmodus: 0,5 pF

• Niedrige Verzerrung (G = 7V/V, RL= 1kΩ, VO= 2VPP):

HD2, HD3 bei 1 MHz: 104 dBc, 108 dBc

HD2, HD3 bei 50 MHz: 57 dBc, 72 dBc

•Breiter Versorgungsbereich: 6V bis 13V

•Ausgangsschwung: 8VPP(V)S= 10V)

•Stromversorgung: 27,7 mA

•Abschaltstrom: 27μA

•Leistungsupgrade auf OPA657

Anwendungen

• Breitband-Transimpedanzverstärker (TIA)

• Wafer-Scanner

• Optisches Kommunikationsmodul

• Hochgeschwindigkeitsdatenerfassung (DAQ)

• Aktive Sonde

• Optische Zeitdomainreflectometrie (OTDR)

• Prüf- und Messfront

• Medizinischer und chemischer Analysator

Beschreibung

Die OPA818 ist eine dekompensierte Spannungsrückgabe

Betriebsverstärker für Hochgeschwindigkeits- und Breitflächen-

Die OPA818 verfügt über eine

Geräuscharme JFET-Eingabephase, die hohe

mit einer Leistungsbreite von 6 V

Die schnelle Schlaggeschwindigkeit (1400 V/μs) ermöglicht

Dies bedeutet, dass die

Der Verstärker wird mit TI's proprietärem, hochwertigem

Schnelligkeit, Silizium-Germanium (SiGe) Prozess zu erreichen.

die Leistungsfähigkeit gegenüber anderen

Hochgeschwindigkeits-FET-Eingabeverstärker.

Der OPA818 ist ein äußerst vielseitiger, breitbandfähiger

mit einer Leistung von mehr als 50 W und

Kommunikationsgeräte und viele medizinische,

Die OPA818

zeigt einen 2,7 GHz GBWP, niedrigen 2,4 pF Gesamt-Eingang

Die OPA818 ist eine elektrische Anlage, die eine hohe Kapazität und 2,2nV/√Hz Eingangsgeräusche aufweist.

erreicht eine Signalbandbreite von mehr als 85 MHz in einer TIA

Konfiguration mit 20kΩ TIA-Gewinn (RF) und 0,5 pF

Kapazität der Photodiode (C)D) mit breiten Leistungsschwankungen.

Die geräuscharme Architektur mit Picoampere der Eingabe

Bias-Strom ist auch eine ausgezeichnete Wahl für Test und

Bei der Ermittlung der

Die OPA818 ist für den Einsatz in

Anwendungen mit geringeren Lärmgewinnen durch Anwendung von Lärmgewinnen

Formtechniken.

Der OPA818 ist in einem 5-Pin-SOT-23-Paket erhältlich

und ein 8-Lead-WSON-Paket mit einem exponierten

Das Gerät ist mit einem thermischen Pad für die Wärmeableitung ausgestattet.

für den Betrieb über der industriellen Temperatur spezifiziert

der Bereich von ∼40°C bis +85°C.

Schlagworte:

OSRAM LED-CHIP

Cree-LED-Chip

ST IC-Chips

TI-Chips

LED-Chip von Bridgelux

Infineon-Chip

LUMINUS LED-Chip

LED-Lampenperlen

SAMSUNG IC Chips

Mikron-Chips

SK Hynix Chips

LumiLEDs LED-Chip

SAMSUNG LED Chip

SEOUL LED Chip

NICHIA LED Chip

NeXperia Chips

ONSemi-Chips

ADI-Chips

TSLC Semileds LED Lamp Beads

Hochleistungs-LED-Chip

OSRAM LED-CHIP

Cree-LED-Chip

ST IC-Chips

TI-Chips

LED-Chip von Bridgelux

Infineon-Chip

LUMINUS LED-Chip

LED-Lampenperlen

SAMSUNG IC Chips

Mikron-Chips

SK Hynix Chips

LumiLEDs LED-Chip

SAMSUNG LED Chip

SEOUL LED Chip

NICHIA LED Chip

NeXperia Chips

ONSemi-Chips

ADI-Chips

TSLC Semileds LED Lamp Beads

Hochleistungs-LED-Chip

Einzelheiten zu den Produkten

OPA818IDRGR TI Chips OPA818 2,7 GHz Hochspannungs-FET-Eingangs-Rauscharmes Operationsverstärker

OSRAM LED-CHIP

Cree-LED-Chip

ST IC-Chips

TI-Chips

LED-Chip von Bridgelux

Infineon-Chip

LUMINUS LED-Chip

LED-Lampenperlen

SAMSUNG IC Chips

Mikron-Chips

SK Hynix Chips

LumiLEDs LED-Chip

SAMSUNG LED Chip

SEOUL LED Chip

NICHIA LED Chip

NeXperia Chips

ONSemi-Chips

ADI-Chips

TSLC Semileds LED Lamp Beads

Hochleistungs-LED-Chip

OSRAM LED-CHIP

Cree-LED-Chip

ST IC-Chips

TI-Chips

LED-Chip von Bridgelux

Infineon-Chip

LUMINUS LED-Chip

LED-Lampenperlen

SAMSUNG IC Chips

Mikron-Chips

SK Hynix Chips

LumiLEDs LED-Chip

SAMSUNG LED Chip

SEOUL LED Chip

NICHIA LED Chip

NeXperia Chips

ONSemi-Chips

ADI-Chips