chi tiết sản phẩm

Nhà Các sản phẩm

chip TI

OPA818IDRGR TI Chips OPA818 Bộ khuếch đại thuật toán đầu vào FET điện áp cao 2,7 GHz tiếng ồn thấp

Tất cả các loại

Chip Led công suất cao

Liên hệ với chúng tôi

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

Liên hệ ngay bây giờ

Tất cả các loại

OPA818IDRGR TI Chips OPA818 Bộ khuếch đại thuật toán đầu vào FET điện áp cao 2,7 GHz tiếng ồn thấp

Tên thương hiệu:	TI Chips
Số mô hình:	OPA818IDRGR
MOQ:	3000
Chi tiết đóng gói:	3000 chiếc/cuộn
Điều khoản thanh toán:	T/T

Thông tin chi tiết

Mô tả sản phẩm

Thông tin chi tiết

Nguồn gốc:

Trung Quốc

người mẫu:

OPA818IDRGR

Tên sản phẩm:

chip TI

Kiểu:

SMD/SMT

Đóng gói:

Băng thông 3dB:

765 MHz

Xu hướng đầu vào hiện tại:

25 pA

Khả năng cung cấp:

1000000

Làm nổi bật:

OPA818IDRGR Bộ khuếch đại thuật toán

Bộ khuếch đại đầu vào FET TI Chips

Bộ khuếch đại tiếng ồn thấp 2

Mô tả sản phẩm

TI Chips OPA818IDRGR OPA818 2.7GHz, Bộ khuếch đại thuật toán FET-Đầu vào, Tiếng ồn thấp, Điện áp cao

Tính năng

• Tốc độ cao:

– Tích số độ lợi-băng thông (GBWP): 2.7GHz

– Băng thông (G = 7V/V): 765MHz

– Băng thông tín hiệu lớn (2VPP): 400MHz

– Tốc độ thay đổi: 1400V/µs

• Độ lợi không bù: ổn định ở 7V/V

• Tiếng ồn thấp:

– Tiếng ồn điện áp đầu vào: 2.2nV/√Hz

– Tiếng ồn dòng điện đầu vào: 3fA/√Hz (f = 10kHz)

• Dòng điện thiên vị đầu vào: 4pA (điển hình)

• Điện dung đầu vào thấp:

– Chế độ chung: 1.9pF

– Chế độ vi sai: 0.5pF

• Độ méo thấp (G = 7V/V, RL = 1kΩ, VO = 2VPP):

– HD2, HD3 ở 1MHz: –104dBc, –108dBc

– HD2, HD3 ở 50MHz: –57dBc, –72dBc

• Dải cung cấp rộng: 6V đến 13V

• Độ vọt đỉnh đầu ra: 8VPP (VS = 10V)

• Dòng điện cung cấp: 27.7mA

• Dòng điện cung cấp khi tắt: 27µA

• Nâng cấp hiệu suất so với OPA657

Ứng dụng

• Bộ khuếch đại chuyển đổi độ lợi băng thông rộng (TIA)

• Thiết bị quét tấm wafer

• Mô-đun truyền thông quang

• Thu thập dữ liệu tốc độ cao (DAQ)

• Đầu dò chủ động

• Phản xạ kế miền thời gian quang (OTDR)

• Đầu cuối đo lường và kiểm tra

• Máy phân tích y tế và hóa học

Mô tả

OPA818 là bộ khuếch đại thuật toán phản hồi điện áp, không bù, dành cho các ứng dụng tốc độ cao và dải động rộng. OPA818 có tầng đầu vào JFET nhiễu thấp, kết hợp tích số độ lợi-băng thông cao với dải cung cấp rộng từ 6V đến 13V. Tốc độ thay đổi nhanh (1400V/µs) mang lại băng thông tín hiệu lớn cao và độ méo thấp. Bộ khuếch đại này được sản xuất bằng quy trình silicon-germanium (SiGe) tốc độ cao độc quyền của TI để đạt được những cải tiến hiệu suất đáng kể so với các bộ khuếch đại đầu vào FET tốc độ cao khác.

OPA818 là một bộ khuếch đại TIA quang băng thông rộng, cực kỳ linh hoạt, để sử dụng trong thiết bị kiểm tra và truyền thông quang, cũng như nhiều thiết bị y tế, khoa học và công nghiệp. OPA818 thể hiện GBWP 2.7GHz, điện dung đầu vào tổng thấp 2.4pF và nhiễu đầu vào 2.2nV/√Hz. OPA818 đạt băng thông tín hiệu trên 85MHz trong cấu hình TIA với độ lợi TIA 20kΩ (R

) và điện dung diode quang 0.5pF (C

) với độ vọt đỉnh đầu ra rộng.

Kiến trúc nhiễu thấp với dòng điện thiên vị đầu vào ở mức picoampere cũng là một lựa chọn tuyệt vời cho các ứng dụng kiểm tra và đo lường. Mặc dù thường ổn định ở độ lợi ≥ 7V/V, OPA818 được thiết kế để sử dụng trong các ứng dụng có độ lợi thấp hơn bằng cách áp dụng các kỹ thuật định hình nhiễu.

OPA818 có sẵn trong gói SOT-23 5 chân và gói WSON 8 chân với miếng đệm nhiệt lộ ra để tản nhiệt. Thiết bị này được chỉ định hoạt động trong phạm vi nhiệt độ công nghiệp từ –40°C đến +85°C.

Thẻ:

CHIP LED OSRAM

Chip Led Cree

chip ST IC

chip TI

chip bridgelux dẫn

Chip Infineon

Chip LED LUMINUS

hạt đèn LED

Chip IC SAMSUNG

Chip Micron

Chip SK Hynix

Chip LED Lumileds

Chip LED SAMSUNG

Chip LED SEOUL

Chip LED NICHIA

NeXperia Chips

Chip ONsemi

chip ADI

Hạt đèn LED TSLC Semileds

Chip Led công suất cao

CHIP LED OSRAM

Chip Led Cree

chip ST IC

chip TI

chip bridgelux dẫn

Chip Infineon

Chip LED LUMINUS

hạt đèn LED

Chip IC SAMSUNG

Chip Micron

Chip SK Hynix

Chip LED Lumileds

Chip LED SAMSUNG

Chip LED SEOUL

Chip LED NICHIA

NeXperia Chips

Chip ONsemi

chip ADI

Hạt đèn LED TSLC Semileds

Chip Led công suất cao

chi tiết sản phẩm

OPA818IDRGR TI Chips OPA818 Bộ khuếch đại thuật toán đầu vào FET điện áp cao 2,7 GHz tiếng ồn thấp

CHIP LED OSRAM

Chip Led Cree

chip ST IC

chip TI

chip bridgelux dẫn

Chip Infineon

Chip LED LUMINUS

hạt đèn LED

Chip IC SAMSUNG

Chip Micron

Chip SK Hynix

Chip LED Lumileds

Chip LED SAMSUNG

Chip LED SEOUL

Chip LED NICHIA

NeXperia Chips

Chip ONsemi

chip ADI

Hạt đèn LED TSLC Semileds

Chip Led công suất cao

CHIP LED OSRAM

Chip Led Cree

chip ST IC

chip TI

chip bridgelux dẫn

Chip Infineon

Chip LED LUMINUS

hạt đèn LED

Chip IC SAMSUNG

Chip Micron

Chip SK Hynix

Chip LED Lumileds

Chip LED SAMSUNG

Chip LED SEOUL

Chip LED NICHIA

NeXperia Chips

Chip ONsemi

chip ADI