szczegółowe informacje o produktach

Do domu Produkty

Chipsy TI

OPA818IDRGR TI Układy OPA818 2,7 GHz wysokiego napięcia FET wejściowy niskoszumowy wzmacniacz operacyjny

Wszystkie kategorie

TSLC Semileds Koralik Lampy LED

Układ diodowy dużej mocy

Skontaktuj się z nami

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

Skontaktuj się teraz

Wszystkie kategorie

TSLC Semileds Koralik Lampy LED

OPA818IDRGR TI Układy OPA818 2,7 GHz wysokiego napięcia FET wejściowy niskoszumowy wzmacniacz operacyjny

Nazwa marki:	TI Chips
Numer modelu:	OPA818IDRGR
MOQ:	3000
Szczegóły opakowania:	3000 sztuk / rolka
Warunki płatności:	T/T

Informacje szczegółowe

Opis produktu

Informacje szczegółowe

Miejsce pochodzenia:

Chiny

model:

OPA818IDRGR

Nazwa produktu:

Chipsy TI

SMD/SMT

Hermetyzacja:

Rolka

Szerokość pasma 3dB:

765MHz

Wejściowy prąd polaryzacji:

25 pA

Możliwość Supply:

1000000

Podkreślić:

OPA818IDRGR Wzmacniacz operacyjny

TI Układy Wzmacniacz z wejściem FET

Wzmacniacz niskoszumowy 2

Opis produktu

TI Chips OPA818IDRGR OPA818 2.7GHz, wysokonapięciowy, nisko-szumowy wzmacniacz operacyjny FET-Input

Funkcje

• Wysoka prędkość:

– Produkt wzmocnienia i pasma (GBWP): 2.7GHz

– Pasmo (G = 7V/V): 765MHz

– Pasmo dużego sygnału (2VPP): 400MHz

– Szybkość narastania: 1400V/µs

• Zdekompensowane wzmocnienie: stabilne przy 7V/V

• Niski poziom szumów:

– Napięciowy szum wejściowy: 2.2nV/√Hz

– Prądowy szum wejściowy: 3fA/√Hz (f = 10kHz)

• Prąd polaryzacji wejścia: 4pA (typ.)

• Niska pojemność wejściowa:

– Wspólna dla trybu: 1.9pF

– Różnicowa: 0.5pF

• Niskie zniekształcenia (G = 7V/V, RL = 1kΩ, VO = 2VPP):

– HD2, HD3 przy 1MHz: –104dBc, –108dBc

– HD2, HD3 przy 50MHz: –57dBc, –72dBc

• Szeroki zakres zasilania: 6V do 13V

• Wahnięcie wyjściowe: 8VPP (VS = 10V)

• Prąd zasilania: 27.7mA

• Prąd zasilania w trybie wyłączenia: 27µA

• Ulepszenie wydajności w stosunku do OPA657

Zastosowania

• Szerokopasmowy wzmacniacz transimpedancyjny (TIA)

• Urządzenia do skanowania płytek

• Moduł komunikacji optycznej

• Szybkie akwizycje danych (DAQ)

• Sonda aktywna

• Reflektometr optyczny w dziedzinie czasu (OTDR)

• Frontend do testowania i pomiarów

• Analizatory medyczne i chemiczne

Opis

OPA818 to zdekompensowany wzmacniacz operacyjny z sprzężeniem zwrotnym napięciowym do zastosowań wymagających wysokiej prędkości i szerokiego zakresu dynamicznego. OPA818 posiada nisko-szumowy stopień wejściowy JFET, który łączy wysoki produkt wzmocnienia i pasma z szerokim zakresem zasilania od 6V do 13V. Szybka szybkość narastania (1400V/µs) zapewnia wysokie pasmo dużego sygnału i niskie zniekształcenia. Ten wzmacniacz jest produkowany przy użyciu własnego, szybkiego procesu krzemowo-germanowego (SiGe) firmy TI, aby osiągnąć znaczące ulepszenia wydajności w porównaniu z innymi szybkimi wzmacniaczami FET-Input.

OPA818 to niezwykle wszechstronny, szerokopasmowy wzmacniacz fotodiodowy TIA do stosowania w sprzęcie do testowania i komunikacji optycznej oraz w wielu instrumentach medycznych, naukowych i przemysłowych. OPA818 oferuje GBWP 2.7GHz, niską całkowitą pojemność wejściową 2.4pF i szum wejściowy 2.2nV/√Hz. OPA818 osiąga pasmo sygnału ponad 85MHz w konfiguracji TIA ze wzmocnieniem TIA 20kΩ (R

) i pojemnością fotodiody 0.5pF (C

) z szerokimi wahnięciami wyjściowymi.

Nisko-szumowa architektura z prądem polaryzacji wejścia w pikopereach jest również doskonałym wyborem do zastosowań testowych i pomiarowych. Chociaż zazwyczaj stabilny przy wzmocnieniach ≥ 7V/V, OPA818 jest przeznaczony do stosowania przy niższych wzmocnieniach poprzez zastosowanie technik kształtowania szumu wzmocnienia.

OPA818 jest dostępny w 5-pinowej obudowie SOT-23 i 8-pinowej obudowie WSON z odsłoniętą podkładką termiczną do rozpraszania ciepła. Urządzenie jest określone do pracy w przemysłowym zakresie temperatur od –40°C do +85°C.

Tagi:

CHIP LED OSRAM

Układ Cree Led

Układy scalone ST

Chipsy TI

chip bridgelux LED

Chip Infineona

Chip LED LUMINUS

Koraliki do lampy LED

Układy scalone SAMSUNG

Chipy mikronowe

Układy SK Hynix

Układ LED Lumileds

Dioda LED SAMSUNG

SEOUL LED Chip

NICHIA LED Chip

NeXperia Chip

Układy ONsemi

chipy ADI

TSLC Semileds Koralik Lampy LED

Układ diodowy dużej mocy

CHIP LED OSRAM

Układ Cree Led

Układy scalone ST

Chipsy TI

chip bridgelux LED

Chip Infineona

Chip LED LUMINUS

Koraliki do lampy LED

Układy scalone SAMSUNG

Chipy mikronowe

Układy SK Hynix

Układ LED Lumileds

Dioda LED SAMSUNG

SEOUL LED Chip

NICHIA LED Chip

NeXperia Chip

Układy ONsemi

chipy ADI

TSLC Semileds Koralik Lampy LED

Układ diodowy dużej mocy

szczegółowe informacje o produktach

OPA818IDRGR TI Układy OPA818 2,7 GHz wysokiego napięcia FET wejściowy niskoszumowy wzmacniacz operacyjny

CHIP LED OSRAM

Układ Cree Led

Układy scalone ST

Chipsy TI

chip bridgelux LED

Chip Infineona

Chip LED LUMINUS

Koraliki do lampy LED

Układy scalone SAMSUNG

Chipy mikronowe

Układy SK Hynix

Układ LED Lumileds

Dioda LED SAMSUNG

SEOUL LED Chip

NICHIA LED Chip

NeXperia Chip

Układy ONsemi

chipy ADI

TSLC Semileds Koralik Lampy LED

Układ diodowy dużej mocy

CHIP LED OSRAM

Układ Cree Led

Układy scalone ST

Chipsy TI

chip bridgelux LED

Chip Infineona

Chip LED LUMINUS

Koraliki do lampy LED

Układy scalone SAMSUNG

Chipy mikronowe

Układy SK Hynix

Układ LED Lumileds

Dioda LED SAMSUNG

SEOUL LED Chip

NICHIA LED Chip

NeXperia Chip

Układy ONsemi

chipy ADI