λεπτομέρειες προϊόντων

Σπίτι Προϊόντα

Τσιπ TI

OPA818IDRGR TI Chips OPA818 2,7 GHz Υψηλής τάσης FET Εισόδου Λειτουργικός ενισχυτής χαμηλού θορύβου

Όλες οι κατηγορίες

Χάντρες λαμπτήρων LED TSLC Semileds

Led Chip υψηλής ισχύος

Μας ελάτε σε επαφή με

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

Επαφή τώρα

Όλες οι κατηγορίες

Χάντρες λαμπτήρων LED TSLC Semileds

OPA818IDRGR TI Chips OPA818 2,7 GHz Υψηλής τάσης FET Εισόδου Λειτουργικός ενισχυτής χαμηλού θορύβου

Επωνυμία:	TI Chips
Αριθμός μοντέλου:	ΟΠΑ818IDRGR
MOQ:	3000
Λεπτομέρειες συσκευασίας:	3000 τμχ/Μολί
Όροι πληρωμής:	T/T

Λεπτομέρειες

Περιγραφή προϊόντος

Λεπτομέρειες

Τόπος καταγωγής:

μοντέλο:

ΟΠΑ818IDRGR

Όνομα προϊόντος:

Τσιπ TI

Τύπος:

SMD/SMT

Ενθυλάκωση:

Καρούλι

Εύρος ζώνης 3dB:

765 MHz

Προκατειλημμένο ρεύμα εισαγωγής:

25 PA

Δυνατότητα προσφοράς:

1000000

Επισημαίνω:

Οπτικοακουστικός ενισχυτής

Τσιπάκια TI FET ενισχυτής εισόδου

2Ενισχυτής χαμηλού θορύβου 0

Περιγραφή προϊόντος

TI Chips OPA818IDRGR OPA818 2.7GHz, Ενισχυτής Τελεστικός Υψηλής Τάσης, Εισόδου FET, Χαμηλού Θορύβου

Χαρακτηριστικά

• Υψηλή ταχύτητα:

– Γινόμενο εύρους ζώνης κέρδους (GBWP): 2.7GHz

– Εύρος ζώνης (G = 7V/V): 765MHz

– Εύρος ζώνης μεγάλου σήματος (2VPP): 400MHz

– Ρυθμός ανύψωσης: 1400V/µs

• Αποσυνεχόμενο κέρδος: 7V/V σταθερό

• Χαμηλός θόρυβος:

– Τάση θορύβου εισόδου: 2.2nV/√Hz

– Ρεύμα θορύβου εισόδου: 3fA/√Hz (f = 10kHz)

• Ρεύμα πόλωσης εισόδου: 4pA (τυπικό)

• Χαμηλή χωρητικότητα εισόδου:

– Κοινή λειτουργία: 1.9pF

– Διαφορική λειτουργία: 0.5pF

• Χαμηλή παραμόρφωση (G = 7V/V, RL = 1kΩ, VO = 2VPP):

– HD2, HD3 στα 1MHz: –104dBc, –108dBc

– HD2, HD3 στα 50MHz: –57dBc, –72dBc

• Ευρύ εύρος τροφοδοσίας: 6V έως 13V

• Έξοδος ταλάντωσης: 8VPP (VS = 10V)

• Ρεύμα τροφοδοσίας: 27.7mA

• Ρεύμα τροφοδοσίας σε κατάσταση αναμονής: 27µA

• Αναβάθμιση απόδοσης σε OPA657

Εφαρμογές

• Ενισχυτής διαπερατότητας εύρους ζώνης (TIA)

• Εξοπλισμός σάρωσης πλακιδίων

• Μονάδα οπτικής επικοινωνίας

• Απόκτηση δεδομένων υψηλής ταχύτητας (DAQ)

• Ενεργό άκρο μέτρησης

• Ανακλαστόμετρο οπτικού πεδίου (OTDR)

• Πρόσοψη δοκιμών και μετρήσεων

• Αναλυτής ιατρικών και χημικών ουσιών

Περιγραφή

Ο OPA818 είναι ένας αποσυνεχόμενος, ενισχυτής τελεστικός με ανάδραση τάσης για εφαρμογές υψηλής ταχύτητας και ευρέος δυναμικού εύρους. Ο OPA818 διαθέτει στάδιο εισόδου JFET χαμηλού θορύβου που συνδυάζει υψηλό γινόμενο εύρους ζώνης κέρδους με ευρύ εύρος τροφοδοσίας από 6V έως 13V. Ο γρήγορος ρυθμός ανύψωσης (1400V/µs) παρέχει υψηλό εύρος ζώνης μεγάλου σήματος και χαμηλή παραμόρφωση. Αυτός ο ενισχυτής κατασκευάζεται χρησιμοποιώντας την ιδιόκτητη, υψηλής ταχύτητας, διαδικασία πυριτίου-γερμανίου (SiGe) της TI για να επιτύχει σημαντικές βελτιώσεις απόδοσης σε σχέση με άλλους ενισχυτές εισόδου FET υψηλής ταχύτητας.

Ο OPA818 είναι ένας εξαιρετικά ευέλικτος, ενισχυτής φωτοδιόδου TIA ευρέος εύρους ζώνης για χρήση σε οπτικό εξοπλισμό δοκιμών και επικοινωνιών, καθώς και σε πολλά ιατρικά, επιστημονικά και βιομηχανικά όργανα. Ο OPA818 παρουσιάζει GBWP 2.7GHz, χαμηλή συνολική χωρητικότητα εισόδου 2.4pF και θόρυβο εισόδου 2.2nV/√Hz. Ο OPA818 επιτυγχάνει εύρος ζώνης σήματος άνω των 85MHz σε διαμόρφωση TIA με κέρδος TIA 20kΩ (R

) και χωρητικότητα φωτοδιόδου 0.5pF (C

) με ευρείες εξόδους ταλάντωσης.

Η αρχιτεκτονική χαμηλού θορύβου με ρεύμα πόλωσης εισόδου σε επίπεδο picoampere είναι επίσης μια εξαιρετική επιλογή για εφαρμογές δοκιμών και μετρήσεων. Αν και τυπικά σταθερός σε κέρδη ≥ 7V/V, ο OPA818 έχει σχεδιαστεί για χρήση σε εφαρμογές με χαμηλότερα κέρδη εφαρμόζοντας τεχνικές διαμόρφωσης θορύβου-κέρδους.

Ο OPA818 διατίθεται σε πακέτο SOT-23 5 ακίδων και πακέτο WSON 8 ακίδων με εκτεθειμένο θερμικό επίθεμα για απαγωγή θερμότητας. Αυτή η συσκευή έχει προδιαγραφές για λειτουργία εντός του βιομηχανικού εύρους θερμοκρασίας από –40°C έως +85°C.

Ετικέτες:

OSRAM LED CHIP

Τσιπ Cree LED

Τσιπ IC ST

Τσιπ TI

Τσιπ LED Bridgelux

Infineon Chip

Τσιπ LED LUMINUS

Χάντρες λαμπτήρων οδηγήσεων

SAMSUNG IC τσιπ

Τσιπ Micron

τσιป SK Hynix

Τσιπ LED LumiLED

Τσιπ LED SAMSUNG

SEOUL LED Τσιπ

Τσιπ LED NICHIA

NeXperia Τσιπς

ONsemi Τσιπς

Τσιπ ADI

Χάντρες λαμπτήρων LED TSLC Semileds

Led Chip υψηλής ισχύος

OSRAM LED CHIP

Τσιπ Cree LED

Τσιπ IC ST

Τσιπ TI

Τσιπ LED Bridgelux

Infineon Chip

Τσιπ LED LUMINUS

Χάντρες λαμπτήρων οδηγήσεων

SAMSUNG IC τσιπ

Τσιπ Micron

τσιป SK Hynix

Τσιπ LED LumiLED

Τσιπ LED SAMSUNG

SEOUL LED Τσιπ

Τσιπ LED NICHIA

NeXperia Τσιπς

ONsemi Τσιπς

Τσιπ ADI

Χάντρες λαμπτήρων LED TSLC Semileds

Led Chip υψηλής ισχύος

λεπτομέρειες προϊόντων

OPA818IDRGR TI Chips OPA818 2,7 GHz Υψηλής τάσης FET Εισόδου Λειτουργικός ενισχυτής χαμηλού θορύβου

OSRAM LED CHIP

Τσιπ Cree LED

Τσιπ IC ST

Τσιπ TI

Τσιπ LED Bridgelux

Infineon Chip

Τσιπ LED LUMINUS

Χάντρες λαμπτήρων οδηγήσεων

SAMSUNG IC τσιπ

Τσιπ Micron

τσιป SK Hynix

Τσιπ LED LumiLED

Τσιπ LED SAMSUNG

SEOUL LED Τσιπ

Τσιπ LED NICHIA

NeXperia Τσιπς

ONsemi Τσιπς

Τσιπ ADI

Χάντρες λαμπτήρων LED TSLC Semileds

Led Chip υψηλής ισχύος

OSRAM LED CHIP

Τσιπ Cree LED

Τσιπ IC ST

Τσιπ TI

Τσιπ LED Bridgelux

Infineon Chip

Τσιπ LED LUMINUS

Χάντρες λαμπτήρων οδηγήσεων

SAMSUNG IC τσιπ

Τσιπ Micron

τσιป SK Hynix

Τσιπ LED LumiLED

Τσιπ LED SAMSUNG

SEOUL LED Τσιπ

Τσιπ LED NICHIA

NeXperia Τσιπς

ONsemi Τσιπς

Τσιπ ADI