Подробная информация о продукции

Дом Продукты

чипы TI

OPA818IDRGR TI Чипы OPA818 2,7 ГГц Высоковольтный Операционный Усилитель с FET-входом и низким уровнем шума

Все категории

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Свяжитесь мы

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

Контакт теперь

Все категории

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

OPA818IDRGR TI Чипы OPA818 2,7 ГГц Высоковольтный Операционный Усилитель с FET-входом и низким уровнем шума

Название бренда:	TI Chips
Номер модели:	OPA818IDRGR
минимальный заказ:	3000
Детали упаковки:	3000 шт./катушка
Условия оплаты:	Т/Т

Детальная информация

Описание продукта

Детальная информация

Место происхождения:

Китай

модель:

OPA818IDRGR

Название продукта:

чипы TI

СМД/СМТ

Инкапсуляция:

Катушка

Полоса пропускания 3 дБ:

765 МГц

Ток смещения входного сигнала:

PA 25

Поставка способности:

1000000

Выделить:

OPA818IDRGR Операционный усилитель

TI Чипы Усилитель с FET-входом

2

Описание продукта

TI Chips OPA818IDRGR OPA818 2,7 ГГц, высоковольтный, с FET-входом, малошумящий операционный усилитель

Особенности

• Высокая скорость:

– Произведение коэффициента усиления на полосу пропускания (GBWP): 2,7 ГГц

– Полоса пропускания (G = 7 В/В): 765 МГц

– Полоса пропускания при большом сигнале (2 Впик-пик): 400 МГц

– Скорость нарастания: 1400 В/мкс

• Нескомпенсированное усиление: стабильно при 7 В/В

• Низкий уровень шума:

– Входное напряжение шума: 2,2 нВ/√Гц

– Входной ток шума: 3 фА/√Гц (f = 10 кГц)

• Входной ток смещения: 4 пА (типичное значение)

• Низкая входная емкость:

– Синфазная: 1,9 пФ

– Дифференциальная: 0,5 пФ

• Низкие искажения (G = 7 В/В, Rнагр = 1 кОм, Vвых = 2 Впик-пик):

– HD2, HD3 на частоте 1 МГц: –104 дБц, –108 дБц

– HD2, HD3 на частоте 50 МГц: –57 дБц, –72 дБц

• Широкий диапазон питания: от 6 В до 13 В

• Размах выходного напряжения: 8 Впик-пик (Vпит = 10 В)

• Ток питания: 27,7 мА

• Ток питания в режиме отключения: 27 мкА

• Улучшение характеристик по сравнению с OPA657

Применение

• Широкополосный трансимпедансный усилитель (TIA)

• Оборудование для сканирования пластин

• Оптический коммуникационный модуль

• Высокоскоростной сбор данных (DAQ)

• Активный пробник

• Оптическая рефлектометрия во временной области (OTDR)

• Фронт-энд для испытательного и измерительного оборудования

• Медицинский и химический анализатор

Описание

OPA818 — это нескомпенсированный, с обратной связью по напряжению

операционный усилитель для высокоскоростных и широкополосных

приложений с широким динамическим диапазоном. OPA818 имеет

малошумящий входной каскад на JFET, который сочетает высокое

произведение коэффициента усиления на полосу пропускания с широким

диапазоном питания от 6 В до 13 В. Быстрая скорость нарастания (1400 В/мкс) обеспечивает

высокую полосу пропускания при большом сигнале и низкие искажения. Этот

усилитель изготовлен с использованием запатентованного TI, высокоскоростного

кремний-германиевого (SiGe) процесса для достижения

значительных улучшений характеристик по сравнению с другими

высокоскоростными усилителями с FET-входом.

OPA818 — это чрезвычайно универсальный широкополосный

усилитель для фотодиодов TIA, используемый в оптическом испытательном и

коммуникационном оборудовании, а также во многих медицинских,

научных и промышленных приборах. OPA818 демонстрирует GBWP 2,7 ГГц, низкую общую входную

емкость 2,4 пФ и входной шум 2,2 нВ/√Гц. OPA818

обеспечивает полосу пропускания сигнала более 85 МГц в конфигурации TIA

с коэффициентом усиления TIA 20 кОм (R

F) и емкостью фотодиода 0,5 пФ (CD

) с широким размахом выходного напряжения. Малошумящая архитектура с входным током смещения на уровне пикоампер также является отличным выбором для испытательных и измерительных приложений. Хотя

OPA818 обычно стабилен при усилении ≥ 7 В/В, он разработан для использования в

приложениях с более низким усилением путем применения методов формирования шума.

OPA818 доступен в 5-выводном корпусе SOT-23

и 8-выводном корпусе WSON с открытой

теплоотводящей площадкой для рассеивания тепла. Это устройство

рассчитано на работу в промышленном температурном диапазоне от –40 °C до +85 °C.

Теги:

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Подробная информация о продукции

OPA818IDRGR TI Чипы OPA818 2,7 ГГц Высоковольтный Операционный Усилитель с FET-входом и низким уровнем шума

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI