szczegółowe informacje o produktach

Do domu Produkty

Chip Infineona

IRFR024NTRPBF Infineon Chip Szybkie Przełączanie Proste Prowadnice Montaż Powierzchniowy

Wszystkie kategorie

TSLC Semileds Koralik Lampy LED

Układ diodowy dużej mocy

Skontaktuj się z nami

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

Skontaktuj się teraz

Wszystkie kategorie

TSLC Semileds Koralik Lampy LED

IRFR024NTRPBF Infineon Chip Szybkie Przełączanie Proste Prowadnice Montaż Powierzchniowy

Nazwa marki:	Infineon Chip
Numer modelu:	IRFR024NTRPBF
MOQ:	2500
Szczegóły opakowania:	2500 sztuk / rolka
Warunki płatności:	T/T

Informacje szczegółowe

Opis produktu

Informacje szczegółowe

Miejsce pochodzenia:

Chiny

Dokument:

model:

IRFR024NTRPBF

Nazwa produktu:

Chip Infineona

SMD/SMT

Temperatura pracy:

-55°C ~ + 175°C

Rozpraszanie mocy:

Ciągły prąd spustowy:

Możliwość Supply:

100 000

Podkreślić:

IRFR024NTRPBF

IRFR024N Infineon Chip

Proste Prowadnice Montaż Powierzchniowy MOSFET

Opis produktu

Szybko przełączający tranzystor MOSFET z prostym wyprowadzeniem do montażu powierzchniowego Infineon Chip IRFR024NTRPBF

Bardzo niska rezystancja w stanie włączenia
Montaż powierzchniowy (IRFR024N)
Proste wyprowadzenie (IRFU024N)
Zaawansowana technologia procesowa
Szybkie przełączanie
W pełni odporny na lawinowe przebicie
Bezołowiowy

Opis

Piąta generacja HEXFETów firmy International Rectifier wykorzystuje zaawansowane techniki przetwarzania, aby osiągnąć najniższą możliwą rezystancję w stanie włączenia na jednostkę powierzchni krzemu. Ta zaleta, w połączeniu z dużą szybkością przełączania i wytrzymałą konstrukcją urządzenia, z której słyną tranzystory MOSFET HEXFET, zapewnia projektantowi niezwykle wydajne urządzenie do stosowania w szerokiej gamie zastosowań.

D-PAK jest przeznaczony do montażu powierzchniowego przy użyciu technik lutowania w fazie parowej, na podczerwień lub falą. Wersja z prostym wyprowadzeniem (seria IRFU) jest przeznaczona do zastosowań z montażem przewlekanym. W typowych zastosowaniach montażu powierzchniowego możliwe są poziomy rozpraszania mocy do 1,5 W.

Absolutne parametry graniczne

Rezystancja termiczna

Parametry elektryczne @Tj = 25°C (chyba że określono inaczej)

Parametry i charakterystyki źródło-dren

IRFR024NTRPBF Infineon Chip Szybkie Przełączanie Proste Prowadnice Montaż Powierzchniowy

Tagi:

CHIP LED OSRAM

Układ Cree Led

Układy scalone ST

Chipsy TI

chip bridgelux LED

Chip Infineona

Chip LED LUMINUS

Koraliki do lampy LED

Układy scalone SAMSUNG

Chipy mikronowe

Układy SK Hynix

Układ LED Lumileds

Dioda LED SAMSUNG

SEOUL LED Chip

NICHIA LED Chip

NeXperia Chip

Układy ONsemi

chipy ADI

TSLC Semileds Koralik Lampy LED

Układ diodowy dużej mocy

CHIP LED OSRAM

Układ Cree Led

Układy scalone ST

Chipsy TI

chip bridgelux LED

Chip Infineona

Chip LED LUMINUS

Koraliki do lampy LED

Układy scalone SAMSUNG

Chipy mikronowe

Układy SK Hynix

Układ LED Lumileds

Dioda LED SAMSUNG

SEOUL LED Chip

NICHIA LED Chip

NeXperia Chip

Układy ONsemi

chipy ADI

TSLC Semileds Koralik Lampy LED

Układ diodowy dużej mocy

szczegółowe informacje o produktach

IRFR024NTRPBF Infineon Chip Szybkie Przełączanie Proste Prowadnice Montaż Powierzchniowy

CHIP LED OSRAM

Układ Cree Led

Układy scalone ST

Chipsy TI

chip bridgelux LED

Chip Infineona

Chip LED LUMINUS

Koraliki do lampy LED

Układy scalone SAMSUNG

Chipy mikronowe

Układy SK Hynix

Układ LED Lumileds

Dioda LED SAMSUNG

SEOUL LED Chip

NICHIA LED Chip

NeXperia Chip

Układy ONsemi

chipy ADI

TSLC Semileds Koralik Lampy LED

Układ diodowy dużej mocy

CHIP LED OSRAM

Układ Cree Led

Układy scalone ST

Chipsy TI

chip bridgelux LED

Chip Infineona

Chip LED LUMINUS

Koraliki do lampy LED

Układy scalone SAMSUNG

Chipy mikronowe

Układy SK Hynix

Układ LED Lumileds

Dioda LED SAMSUNG

SEOUL LED Chip

NICHIA LED Chip

NeXperia Chip

Układy ONsemi

chipy ADI