Name: IRFR024NTRPBF Infineon 칩 고속 스위칭 스트레이트 리드 표면 실장
Brand: Shenzhen Futeming Photoelectric Technology Co., Ltd.
SKU: IRFR024NTRPBF
Price: 협상 가능 USD
Availability: InStock

브랜드 이름:	Infineon Chip
모델 번호:	IRFR024NTRPBF
MOQ:	2500
포장 세부사항:	2500PCS/릴
지불 조건:	티/티

상세 정보

제품 설명

상세 정보

원래 장소:

중국

문서:

infineon-irfr024n-datasheet...en.pdf

모델:

IRFR024NTRPBF

제품명:

인피니언 칩

유형:

SMD/SMT

작동 온도:

- 55°C ~ + 175°C

전력 소비:

45 Ｗ

연속배수 경향:

17 A

공급 능력:

100000

강조하다:

IRFR024NTRPBF

IRFR024N Infineon 칩

스트레이트 리드 표면 실장 MOSFET

제품 설명

Infineon Chip IRFR024NTRPBF 고속 스위칭 스트레이트 리드 표면 실장

초저온 저항
표면 실장 (IRFR024N)
스트레이트 리드 (IRFU024N)
첨단 공정 기술
고속 스위칭
완전 애벌랜치 정격
무연

설명

International Rectifier의 5세대 HEXFET은 첨단 공정 기술을 활용하여 실리콘 면적당 가장 낮은 온 저항을 달성합니다. 이 장점은 HEXFET 전력 MOSFET으로 잘 알려진 고속 스위칭 속도와 견고한 장치 설계와 결합되어 디자이너에게 광범위한 응용 분야에서 사용할 수 있는 매우 효율적인 장치를 제공합니다.

D-PAK은 증기상, 적외선 또는 웨이브 솔더링 기술을 사용하여 표면 실장을 위해 설계되었습니다. 스트레이트 리드 버전(IRFU 시리즈)은 스루홀 실장 응용 분야용입니다. 일반적인 표면 실장 응용 분야에서는 최대 1.5와트의 전력 소산이 가능합니다.

절대 최대 정격

열 저항

전기적 특성 @Tj = 25°C (별도 명시되지 않는 한)

소스-드레인 정격 및 특성

IRFR024NTRPBF Infineon 칩 고속 스위칭 스트레이트 리드 표면 실장

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