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インフィニオンチップ
Created with Pixso.

IRFR024NTRPBF Infineon チップ 高速スイッチング ストレートリード表面実装

IRFR024NTRPBF Infineon チップ 高速スイッチング ストレートリード表面実装

ブランド名: Infineon Chip
モデル番号: IRFR024NTRPBF
MOQ: 2500
梱包の詳細: 2500個/リール
支払い条件: T/T
詳細情報
起源の場所:
中国
モデル:
IRFR024NTRPBF
製品名:
インフィニオンチップ
タイプ:
SMD/SMT
動作温度:
-55℃~+175℃
消費電力:
45 W
連続的な下水管の流れ:
17 A
供給の能力:
100000
ハイライト:

IRFR024NTRPBF

,

IRFR024N Infineon チップ

,

ストレートリード表面実装 MOSFET

製品説明

Infineon Chip IRFR024NTRPBF 高速スイッチング ストレートリード表面実装


超低オン抵抗
表面実装 (IRFR024N)
ストレートリード (IRFU024N)
先進プロセス技術
高速スイッチング
完全アバランシェ定格
鉛フリー


説明
International Rectifier の第 5 世代 HEXFET は、先進的なプロセス技術を利用して、シリコン面積あたりのオン抵抗を可能な限り低くしています。この利点と、HEXFET パワー MOSFET でよく知られている高速スイッチング速度と堅牢なデバイス設計を組み合わせることで、設計者は非常に効率的なデバイスをさまざまな用途に使用できます。
D-PAK は、ベーパーフェーズ、赤外線、またはウェーブはんだ付け技術を使用した表面実装用に設計されています。ストレートリードバージョン (IRFU シリーズ) は、スルーホール実装用途向けです。典型的な表面実装用途では、最大 1.5 ワットの電力散逸レベルが可能です。

IRFR024NTRPBF Infineon チップ 高速スイッチング ストレートリード表面実装

絶対最大定格
IRFR024NTRPBF Infineon チップ 高速スイッチング ストレートリード表面実装

熱抵抗
IRFR024NTRPBF Infineon チップ 高速スイッチング ストレートリード表面実装

電気的特性 @Tj = 25℃ (特に指定がない限り)
IRFR024NTRPBF Infineon チップ 高速スイッチング ストレートリード表面実装


ソース-ドレイン定格および特性

IRFR024NTRPBF Infineon チップ 高速スイッチング ストレートリード表面実装