logo
Giá tốt  Trực tuyến

chi tiết sản phẩm

Created with Pixso. Nhà Created with Pixso. Các sản phẩm Created with Pixso.
Chip Infineon
Created with Pixso.

IRFR024NTRPBF Infineon chip chuyển đổi nhanh mặt đất chì thẳng

IRFR024NTRPBF Infineon chip chuyển đổi nhanh mặt đất chì thẳng

Tên thương hiệu: Infineon Chip
Số mô hình: IRFR024NTRPBF
MOQ: 2500
Chi tiết đóng gói: 2500 CÁI/cuộn
Điều khoản thanh toán: T/T
Thông tin chi tiết
Nguồn gốc:
Trung Quốc
người mẫu:
IRFR024NTRPBF
Tên sản phẩm:
Chip Infineon
Kiểu:
SMD/SMT
Nhiệt độ hoạt động:
- 55°C ~ +175°C
Tản điện:
45 W
Dòng xả liên tục:
17 A
Khả năng cung cấp:
100000
Làm nổi bật:

IRFR024NTRPBF

,

Chip Infineon IRFR024N

,

MOSFET mặt đất chì thẳng

Mô tả sản phẩm

Infineon Chip IRFR024NTRPBF Chuyển mạch nhanh Chân thẳng Gắn bề mặt


Điện trở bật cực thấp
Gắn bề mặt (IRFR024N)
Chân thẳng (IRFU024N)
Công nghệ quy trình tiên tiến
Chuyển mạch nhanh
Đánh giá Avalanche đầy đủ
Không chì


Mô tả
HEXFET Thế hệ thứ năm của International Rectifier sử dụng các kỹ thuật xử lý tiên tiến để đạt được điện trở bật thấp nhất có thể trên mỗi diện tích silicon. Lợi ích này, kết hợp với tốc độ chuyển mạch nhanh và thiết kế thiết bị được gia cố mà HEXFET Power MOSFET nổi tiếng, cung cấp cho nhà thiết kế một thiết bị cực kỳ hiệu quả để sử dụng trong nhiều ứng dụng.
D-PAK được thiết kế để gắn bề mặt bằng kỹ thuật hàn pha hơi, hồng ngoại hoặc hàn sóng. Phiên bản chân thẳng (dòng IRFU) dành cho các ứng dụng gắn lỗ xuyên. Mức tiêu tán công suất lên đến 1,5 watt có thể đạt được trong các ứng dụng gắn bề mặt điển hình.

IRFR024NTRPBF Infineon chip chuyển đổi nhanh mặt đất chì thẳng

Xếp hạng tối đa tuyệt đối
IRFR024NTRPBF Infineon chip chuyển đổi nhanh mặt đất chì thẳng

Điện trở nhiệt
IRFR024NTRPBF Infineon chip chuyển đổi nhanh mặt đất chì thẳng

Đặc tính điện @Tj = 25°C (trừ khi có quy định khác)
IRFR024NTRPBF Infineon chip chuyển đổi nhanh mặt đất chì thẳng


Xếp hạng và đặc tính Source-Drain

IRFR024NTRPBF Infineon chip chuyển đổi nhanh mặt đất chì thẳng