Подробная информация о продукции

Дом Продукты

чипы TI

ИНА849DGKR TI чипы ИНА849 Ультранизкий шум 1 нВ/√Гц Усилитель приборов высокой полосы пропускания

Все категории

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Свяжитесь мы

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

Контакт теперь

Все категории

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

ИНА849DGKR TI чипы ИНА849 Ультранизкий шум 1 нВ/√Гц Усилитель приборов высокой полосы пропускания

Название бренда:	TI Chips
Номер модели:	INA849DGKR
минимальный заказ:	2500
Детали упаковки:	2500 шт./катушка
Условия оплаты:	Т/Т

Детальная информация

Описание продукта

Детальная информация

Место происхождения:

Китай

Документ:

модель:

INA849DGKR

Название продукта:

чипы TI

СМД/СМТ

Степень скорости:

35 V/us

Рабочий ток источника питания:

6.2 мА

Инкапсуляция:

Катушка

Поставка способности:

1000000

Выделить:

INA849DGKR

Чипы INA849 TI

Усилитель приборов с низким уровнем шума

Описание продукта

Чипы TI INA849DGKR INA849 Ультранизкий шум (1 нВ/√Гц), высокая полоса пропускания, усилитель приборов

Особенности

• Ультранизкий шум: шум входного напряжения 1-нВ/√Гц

(типичный)

• Высокая производительность ввода сверхбета:

Низкое смещение напряжения: 35 мкВ (максимум)

Низкое смещение напряжения: 0,4 мкВ/°С (максимум)

Низкий дрейф при увеличении: 5 ppm/°C для G = 1 (максимум)

• Пропускная способность: 28 МГц (G = 1), 8 МГц (G = 100)

• Скорость проката: 35 В/μs

• Отторжение общего режима: 120 дБ (минимум) для

максимальная прибыль

• Диапазон поставок:

Одноразовое питание: от 8 до 36 В

Двойная подача: от ±4 до ±18 В

• Указанный температурный диапазон:

от 40°C до +125°C

• Пакеты: 8-принтовый SOIC и VSSOP

Заявления

• Аналоговый входный модуль

• Предварительный усилитель микрофона

• Передатчик потока

• Испытание батареи

• LCD-испытание

• Электрокардиограмма (ЭКГ)

• Хирургическое оборудование

• Аналитика процесса (pH, газ, концентрация, сила)

и влажность)

Описание

INA849 - это прибор с очень низким уровнем шума.

Усилитель оптимизирован для максимальной точности в высоких

Системы разрешения и функционирование по широкому спектру

Устройство предлагает:

значительно меньше входного потока, чем у конкурентов

в результате супер-бета входных транзисторов.

Современный производственный процесс обеспечивает исключительно

шум низкого напряжения, входное смещение напряжения и смещение

Дрейф напряжения.

Точно сопоставленные интегрированные резисторы обеспечивают высокий,

Отторжение общего режима 92-дБ (G = 1) по всей

входный диапазон общего режима. Один внешний резистор

устанавливает любое увеличение от 1 до 10,000. Обратная связь

Топология INA849 обеспечивает широкую пропускную способность

для очень маленьких, быстро движущихся сигналов.

Например, устройство обеспечивает 8 МГц пропускной способности

при G = 100 и 28 МГц при G = 1, с быстрым

0Время оседания 0,04 мкс (0,01%) для прямого движения высокой скорости

разрешение, аналого-цифровые преобразователи (ADC)

Теги:

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Подробная информация о продукции

ИНА849DGKR TI чипы ИНА849 Ультранизкий шум 1 нВ/√Гц Усилитель приборов высокой полосы пропускания

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI