logo
Dobra cena  W Internecie

szczegółowe informacje o produktach

Created with Pixso. Do domu Created with Pixso. Produkty Created with Pixso.
Chipsy TI
Created with Pixso.

INA849DGKR TI Chips INA849 Ultra Low Noise 1 nV/Hz High Bandwidth Instrumentation Amplifier

INA849DGKR TI Chips INA849 Ultra Low Noise 1 nV/Hz High Bandwidth Instrumentation Amplifier

Nazwa marki: TI Chips
Numer modelu: INA849DGKR
MOQ: 2500
Szczegóły opakowania: 2500 sztuk / rolka
Warunki płatności: T/T
Informacje szczegółowe
Miejsce pochodzenia:
Chiny
Dokument:
model:
INA849DGKR
Nazwa produktu:
Chipsy TI
Typ:
SMD/SMT
Szybkość narastania:
35 V/us
Roboczy prąd zasilania:
6,2 mA
Hermetyzacja:
Rolka
Możliwość Supply:
1000000
Podkreślić:

INA849DGKR

,

INA849 TI Chips

,

Wzmacniacz instrumentalny o niskim poziomie szumów

Opis produktu

TI Chips INA849DGKR INA849 Ultra-niski szum (1 nV/√Hz), wysoka przepustowość, wzmacniacz instrumentalny


Funkcje 
• Ultra-niski szum: 1-nV/√Hz szum napięciowy na wejściu
(typowa)
• Precyzyjna charakterystyka wejściowa super-beta:
– Niskie napięcie offsetu: 35 µV (maksymalne)
– Niski dryft napięcia offsetu: 0,4 μV/°C (maksymalne)
– Niski prąd polaryzacji wejściowej: 20 nA (maksymalne)
– Niski dryft wzmocnienia: 5 ppm/°C dla G = 1 (maksymalne)
• Przepustowość: 28 MHz (G = 1), 8 MHz (G = 100)
• Szybkość narastania: 35 V/µs
• Tłumienie sygnału współbieżnego: 120 dB (minimalne) dla
maksymalnego wzmocnienia
• Zakres zasilania:
– Zasilanie pojedyncze: 8 V do 36 V
– Zasilanie podwójne: ±4 V do ±18 V
• Określony zakres temperatur:
–40°C do +125°C
• Obudowy: 8-pinowe SOIC i VSSOP

Zastosowania 
• Analogowy moduł wejściowy
• Przedwzmacniacz mikrofonowy
• Transmiter przepływu
• Test baterii
• Test LCD
• Elektrokardiogram (EKG)
• Sprzęt chirurgiczny
• Analiza procesów (pH, gazu, stężenia, siły
i wilgotności)

Opis
INA849 to wzmacniacz instrumentalny o ultra-niskim szumie,
zoptymalizowany pod kątem maksymalnej dokładności w systemach o wysokiej
rozdzielczości i pracy w szerokim zakresie zasilania pojedynczego
lub podwójnego. Urządzenie oferuje
znacznie niższy prąd polaryzacji wejściowej niż konkurenci
dzięki tranzystorom wejściowym super-beta. Nowoczesny
proces produkcyjny zapewnia wyjątkowo
niski szum napięciowy, napięcie offsetu na wejściu i dryft napięcia offsetu.
Precyzyjnie dopasowane rezystory zintegrowane zapewniają wysokie,
92-dB (G = 1) tłumienie sygnału współbieżnego w całym
zakresie napięcia współbieżnego na wejściu. Pojedynczy rezystor zewnętrzny
ustawia dowolne wzmocnienie od 1 do 10 000. Topologia sprzężenia prądowego
INA849 zapewnia szeroką przepustowość przy
wyższych wzmocnieniach dla bardzo małych, szybko zmieniających się sygnałów. Na
przykład, urządzenie zapewnia przepustowość 8 MHz
przy G = 100 i 28 MHz przy G = 1, z szybkim
czasem ustalania 0,4 µs (0,01%) do bezpośredniego sterowania przetwornikami
analogowo-cyfrowymi (ADC) o wysokiej rozdzielczości.

INA849DGKR TI Chips INA849 Ultra Low Noise 1 nV/Hz High Bandwidth Instrumentation Amplifier

INA849DGKR TI Chips INA849 Ultra Low Noise 1 nV/Hz High Bandwidth Instrumentation Amplifier