chi tiết sản phẩm

Nhà Các sản phẩm

chip TI

INA849DGKR TI Chips INA849 Bộ khuếch đại đo lường nhiễu cực thấp 1 nV/√Hz băng thông cao

Tất cả các loại

Chip Led công suất cao

Liên hệ với chúng tôi

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

Liên hệ ngay bây giờ

Tất cả các loại

INA849DGKR TI Chips INA849 Bộ khuếch đại đo lường nhiễu cực thấp 1 nV/√Hz băng thông cao

Tên thương hiệu:	TI Chips
Số mô hình:	INA849DGKR
MOQ:	2500
Chi tiết đóng gói:	2500 CÁI/cuộn
Điều khoản thanh toán:	T/T

Thông tin chi tiết

Mô tả sản phẩm

Thông tin chi tiết

Nguồn gốc:

Trung Quốc

Tài liệu:

người mẫu:

INA849DGKR

Tên sản phẩm:

chip TI

Kiểu:

SMD/SMT

Tốc độ quay:

35 V/chúng tôi

Nguồn điện hoạt động hiện tại:

6,2 mA

Đóng gói:

Khả năng cung cấp:

1000000

Làm nổi bật:

INA849DGKR

INA849 TI Chips

Bộ khuếch đại đo lường nhiễu thấp

Mô tả sản phẩm

TI Chips INA849DGKR INA849 Bộ khuếch đại đo lường nhiễu cực thấp (1 nV/√Hz), băng thông rộng

Tính năng

• Nhiễu cực thấp: nhiễu điện áp đầu vào 1-nV/√Hz

(điển hình)

• Hiệu suất đầu vào siêu beta chính xác:

– Điện áp bù thấp: 35 µV (tối đa)

– Độ trôi điện áp bù thấp: 0.4 μV/°C (tối đa)

– Dòng điện thiên vị đầu vào thấp: 20 nA (tối đa)

– Độ trôi độ lợi thấp: 5 ppm/°C đối với G = 1 (tối đa)

• Băng thông: 28 MHz (G = 1), 8 MHz (G = 100)

• Tốc độ thay đổi: 35 V/µs

• Tỷ lệ từ chối chế độ chung: 120 dB (tối thiểu) đối với

độ lợi tối đa

• Dải cung cấp:

– Nguồn đơn: 8 V đến 36 V

– Nguồn kép: ±4 V đến ±18 V

• Phạm vi nhiệt độ quy định:

–40°C đến +125°C

• Gói: 8 chân SOIC và VSSOP

Ứng dụng

• Mô-đun đầu vào tương tự

• Bộ tiền khuếch đại micro

• Máy phát lưu lượng

• Kiểm tra pin

• Kiểm tra LCD

• Điện tâm đồ (ECG)

• Thiết bị phẫu thuật

• Phân tích quy trình (pH, khí, nồng độ, lực

và độ ẩm)

Mô tả

INA849 là bộ khuếch đại đo lường nhiễu cực thấp

được tối ưu hóa cho độ chính xác tối đa trong các hệ thống

độ phân giải cao và hoạt động trên dải nguồn đơn

hoặc nguồn kép rộng. Thiết bị cung cấp

dòng điện thiên vị đầu vào thấp hơn đáng kể so với đối thủ cạnh tranh

nhờ các bóng bán dẫn đầu vào siêu beta. Một quy trình sản xuất

tiên tiến mang lại nhiễu điện áp, điện áp bù đầu vào và độ trôi điện áp bù

cực kỳ thấp.

Các điện trở tích hợp được khớp chính xác cung cấp tỷ lệ

từ chối chế độ chung cao, 92 dB (G = 1) trên toàn bộ

dải chế độ chung đầu vào. Một điện trở bên ngoài duy nhất

thiết lập bất kỳ độ lợi nào từ 1 đến 10.000. Cấu trúc phản hồi dòng

của INA849 cung cấp băng thông rộng ở

độ lợi cao hơn cho các tín hiệu rất nhỏ, di chuyển nhanh. Ví dụ,

thiết bị cung cấp băng thông 8 MHz

ở G = 100 và 28 MHz ở G = 1, với thời gian

ổn định nhanh 0,4 µs (0,01%) để điều khiển trực tiếp bộ chuyển đổi

tương tự sang số (ADC) độ phân giải cao.

Thẻ:

CHIP LED OSRAM

Chip Led Cree

chip ST IC

chip TI

chip bridgelux dẫn

Chip Infineon

Chip LED LUMINUS

hạt đèn LED

Chip IC SAMSUNG

Chip Micron

Chip SK Hynix

Chip LED Lumileds

Chip LED SAMSUNG

Chip LED SEOUL

Chip LED NICHIA

NeXperia Chips

Chip ONsemi

chip ADI

Hạt đèn LED TSLC Semileds

Chip Led công suất cao

CHIP LED OSRAM

Chip Led Cree

chip ST IC

chip TI

chip bridgelux dẫn

Chip Infineon

Chip LED LUMINUS

hạt đèn LED

Chip IC SAMSUNG

Chip Micron

Chip SK Hynix

Chip LED Lumileds

Chip LED SAMSUNG

Chip LED SEOUL

Chip LED NICHIA

NeXperia Chips

Chip ONsemi

chip ADI

Hạt đèn LED TSLC Semileds

Chip Led công suất cao

chi tiết sản phẩm

INA849DGKR TI Chips INA849 Bộ khuếch đại đo lường nhiễu cực thấp 1 nV/√Hz băng thông cao

CHIP LED OSRAM

Chip Led Cree

chip ST IC

chip TI

chip bridgelux dẫn

Chip Infineon

Chip LED LUMINUS

hạt đèn LED

Chip IC SAMSUNG

Chip Micron

Chip SK Hynix

Chip LED Lumileds

Chip LED SAMSUNG

Chip LED SEOUL

Chip LED NICHIA

NeXperia Chips

Chip ONsemi

chip ADI

Hạt đèn LED TSLC Semileds

Chip Led công suất cao

CHIP LED OSRAM

Chip Led Cree

chip ST IC

chip TI

chip bridgelux dẫn

Chip Infineon

Chip LED LUMINUS

hạt đèn LED

Chip IC SAMSUNG

Chip Micron

Chip SK Hynix

Chip LED Lumileds

Chip LED SAMSUNG

Chip LED SEOUL

Chip LED NICHIA

NeXperia Chips

Chip ONsemi

chip ADI