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INA849DGKR TI Chips INA849 Ultra Low Noise 1 nV/√Hz High Bandwidth Instrumentation Amplifier

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INA849DGKR TI Chips INA849 Ultra Low Noise 1 nV/√Hz High Bandwidth Instrumentation Amplifier

Markenname:	TI Chips
Modellnummer:	INA849DGKR
Mindestbestellmenge:	2500
Verpackungsdetails:	2500 Stück/Rolle
Zahlungsbedingungen:	T/T

Detailinformationen

Produktbeschreibung

Detailinformationen

Herkunftsort:

China

Dokumentieren:

Modell:

INA849DGKR

Produktname:

TI-Chips

SMD/SMT

Schwindelrate:

35 V/us

Betriebsstrom der Stromversorgung:

6.2 mA

Verkapselung:

Spule

Versorgungsmaterial-Fähigkeit:

1000000

Hervorheben:

INA849DGKR

INA849 TI Chips

Low Noise Instrumentation Amplifier

Produktbeschreibung

TI Chips INA849DGKR INA849 Ultra-Rauscharmes (1 nV/√Hz), Hochbandbreiten-Messverstärker

Merkmale

• Extrem rauscharm: 1 nV/√Hz Eingangsspannungsrauschen

(typisch)

• Präzise Super-Beta-Eingangsleistung:

– Geringe Offset-Spannung: 35 µV (maximal)

– Geringer Offset-Spannungsdrift: 0,4 μV/°C (maximal)

– Geringer Eingangs-Biasstrom: 20 nA (maximal)

– Geringer Gain-Drift: 5 ppm/°C für G = 1 (maximal)

• Bandbreite: 28 MHz (G = 1), 8 MHz (G = 100)

• Anstiegsgeschwindigkeit: 35 V/µs

• Gleichtaktunterdrückung: 120 dB (minimal) für

maximale Verstärkung

• Versorgungsspannungsbereich:

– Einzelversorgung: 8 V bis 36 V

– Zweifachversorgung: ±4 V bis ±18 V

• Spezifizierter Temperaturbereich:

–40°C bis +125°C

• Gehäuse: 8-Pin SOIC und VSSOP

Anwendungen

• Analoges Eingangsmodul

• Mikrofonvorverstärker

• Durchflussmessumformer

• Batterietest

• LCD-Test

• Elektrokardiogramm (EKG)

• Chirurgische Geräte

• Prozessanalytik (pH, Gas, Konzentration, Kraft

und Feuchtigkeit)

Beschreibung

Der INA849 ist ein extrem rauscharmes Messverstärker, optimiert für maximale Genauigkeit in hochauflösenden Systemen und für den Betrieb über einen weiten Bereich von Einzel- oder Doppelversorgungsspannungen. Das Gerät bietet aufgrund der Super-Beta-Eingangstransistoren einen deutlich geringeren Eingangs-Biasstrom als Wettbewerber. Ein hochmoderner Herstellungsprozess sorgt für außergewöhnlich geringes Spannungsrauschen, geringe Eingangs-Offsetspannung und geringen Offset-Spannungsdrift.

Präzise abgestimmte integrierte Widerstände sorgen für eine hohe Gleichtaktunterdrückung von 92 dB (G = 1) über den gesamten Gleichtakt-Eingangsbereich. Ein einzelner externer Widerstand stellt jeden Verstärkungsfaktor von 1 bis 10.000 ein. Die Stromrückkopplungstopologie des INA849 bietet eine hohe Bandbreite bei höheren Verstärkungen für sehr kleine, sich schnell bewegende Signale. Beispielsweise bietet das Gerät eine Bandbreite von 8 MHz bei G = 100 und 28 MHz bei G = 1 mit einer schnellen Einschwingzeit von 0,4 µs (0,01 %) für die direkte Ansteuerung von hochauflösenden Analog-Digital-Wandlern (ADCs).

Schlagworte:

OSRAM LED-CHIP

Cree-LED-Chip

ST IC-Chips

TI-Chips

LED-Chip von Bridgelux

Infineon-Chip

LUMINUS LED-Chip

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