تفاصيل المنتجات

المنزل المنتجات

رقائق تي آي

INA849DGKR TI شرائح INA849 مضخم أدوات فائق الضوضاء 1 nV/sqrt(Hz) عالي النطاق الترددي

جميع الفئات

رقاقة LED عالية الطاقة

اتصل بنا

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

اتصل الآن

جميع الفئات

INA849DGKR TI شرائح INA849 مضخم أدوات فائق الضوضاء 1 nV/sqrt(Hz) عالي النطاق الترددي

اسم العلامة التجارية:	TI Chips
رقم الموديل:	INA849DGKR
موك:	2500
تفاصيل التغليف:	2500 قطعة/بكرة
شروط الدفع:	تي/تي

معلومات مفصلة

وصف المنتج

معلومات مفصلة

مكان المنشأ:

الصين

وثيقة:

نموذج:

INA849DGKR

اسم المنتج:

رقائق تي آي

يكتب:

سمد/سمت

معدل الانحراف:

35 فولت / لنا

تشغيل التيار الكهربائي:

6.2 مللي أمبير

التغليف:

القدرة على العرض:

1000000

إبراز:

INA849DGKR

INA849 TI شرائح

مضخم أدوات منخفض الضوضاء

وصف المنتج

رقائق TI INA849DGKR INA849 مضخم أدوات فائق الضوضاء (1 نانوفولت/جذر هرتز)، عالي النطاق الترددي

الميزات

• ضوضاء فائقة الانخفاض: ضوضاء جهد دخل 1 نانوفولت/جذر هرتز

(نموذجي)

• أداء فائق للبيتا عند الدخل:

– جهد إزاحة منخفض: 35 ميكروفولت (بحد أقصى)

– انحراف جهد إزاحة منخفض: 0.4 ميكروفولت/درجة مئوية (بحد أقصى)

– تيار انحياز دخل منخفض: 20 نانو أمبير (بحد أقصى)

– انحراف كسب منخفض: 5 جزء في المليون/درجة مئوية لـ G = 1 (بحد أقصى)

• النطاق الترددي: 28 ميجاهرتز (G = 1)، 8 ميجاهرتز (G = 100)

• معدل الانجراف: 35 فولت/ميكرو ثانية

• رفض الوضع المشترك: 120 ديسيبل (بحد أدنى) لـ

الكسب الأقصى

• نطاق الإمداد:

– إمداد مفرد: 8 فولت إلى 36 فولت

– إمداد مزدوج: ±4 فولت إلى ±18 فولت

• نطاق درجة الحرارة المحدد:

–40 درجة مئوية إلى +125 درجة مئوية

• الحزم: SOIC و VSSOP بـ 8 دبابيس

التطبيقات

• وحدة الإدخال التناظري

• مضخم ميكروفون مسبق

• مرسل تدفق

• اختبار البطارية

• اختبار شاشة LCD

• تخطيط كهربية القلب (ECG)

• معدات جراحية

• تحليلات العمليات (درجة الحموضة، الغاز، التركيز، القوة

والرطوبة)

الوصف

INA849 هو مضخم أدوات فائق الضوضاء محسّن لتحقيق أقصى دقة في الأنظمة عالية الدقة والتشغيل عبر نطاق واسع من الإمداد المفرد أو المزدوج. يوفر الجهاز تيار انحياز دخل أقل بكثير من المنافسين نتيجة لترانزستورات الدخل فائقة البيتا. توفر عملية تصنيع حديثة ضوضاء جهد وجهد إزاحة دخل وانحراف جهد إزاحة منخفضة بشكل استثنائي.

توفر مقاومات مدمجة متطابقة بدقة رفضًا عاليًا للوضع المشترك يبلغ 92 ديسيبل (G = 1) عبر نطاق الوضع المشترك الكامل للدخل. يحدد مقاوم خارجي واحد أي كسب من 1 إلى 10,000. يوفر هيكل التغذية الراجعة للتيار في INA849 نطاقًا تردديًا واسعًا عند مكاسب أعلى للإشارات الصغيرة جدًا والسريعة الحركة. على سبيل المثال، يوفر الجهاز نطاقًا تردديًا يبلغ 8 ميجاهرتز عند G = 100، و 28 ميجاهرتز عند G = 1، مع وقت استقرار سريع يبلغ 0.4 ميكرو ثانية (0.01%) للقيادة المباشرة لمحولات التناظرية إلى الرقمية (ADCs) عالية الدقة.

العلامات:

رقاقة أوسرام LED

رقاقة كري ليد

رقائق ST IC

رقائق تي آي

شريحة بريدجلوكس

رقاقة انفينيون

لومينوس LED رقاقة

حبات مصباح LED

رقائق سامسونج

رقائق ميكرون

رقائق إس كيه هاينكس

الشريحة LED

شريحة سامسونج LED

شريحة سيول LED

شريحة LED من نيتشيا

رقائق NeXperia

الشرائح

رقائق أدي

خرز مصباح LED TSLC Semileds

رقاقة LED عالية الطاقة

رقاقة أوسرام LED

رقاقة كري ليد

رقائق ST IC

رقائق تي آي

شريحة بريدجلوكس

رقاقة انفينيون

لومينوس LED رقاقة

حبات مصباح LED

رقائق سامسونج

رقائق ميكرون

رقائق إس كيه هاينكس

الشريحة LED

شريحة سامسونج LED

شريحة سيول LED

شريحة LED من نيتشيا

رقائق NeXperia

الشرائح

رقائق أدي

خرز مصباح LED TSLC Semileds

رقاقة LED عالية الطاقة

تفاصيل المنتجات

INA849DGKR TI شرائح INA849 مضخم أدوات فائق الضوضاء 1 nV/sqrt(Hz) عالي النطاق الترددي

رقاقة أوسرام LED

رقاقة كري ليد

رقائق ST IC

رقائق تي آي

شريحة بريدجلوكس

رقاقة انفينيون

لومينوس LED رقاقة

حبات مصباح LED

رقائق سامسونج

رقائق ميكرون

رقائق إس كيه هاينكس

الشريحة LED

شريحة سامسونج LED

شريحة سيول LED

شريحة LED من نيتشيا

رقائق NeXperia

الشرائح

رقائق أدي

خرز مصباح LED TSLC Semileds

رقاقة LED عالية الطاقة

رقاقة أوسرام LED

رقاقة كري ليد

رقائق ST IC

رقائق تي آي

شريحة بريدجلوكس

رقاقة انفينيون

لومينوس LED رقاقة

حبات مصباح LED

رقائق سامسونج

رقائق ميكرون

رقائق إس كيه هاينكس

الشريحة LED

شريحة سامسونج LED

شريحة سيول LED

شريحة LED من نيتشيا

رقائق NeXperia

الشرائح

رقائق أدي