logo
İyi fiyat  Çevrimiçi

Ürün ayrıntıları

Created with Pixso. Evde Created with Pixso. Ürün Created with Pixso.
TI çipleri
Created with Pixso.

INA849DGKR TI Çipleri INA849 Ultra Düşük Gürültü 1 nV/√Hz Yüksek Bant Genişliği Enstrümanlandırma Güçlendirici

INA849DGKR TI Çipleri INA849 Ultra Düşük Gürültü 1 nV/√Hz Yüksek Bant Genişliği Enstrümanlandırma Güçlendirici

Marka Adı: TI Chips
Model Numarası: INA849DGKR
Adedi: 2500
Paketleme Detayları: 2500 adet/makara
Ödeme Koşulları: T/T
Detay Bilgisi
Menşe yeri:
Çin
Belge:
modeli:
INA849DGKR
Ürün adı:
TI çipleri
Tip:
SMD/SMT
Dönüş oranı:
35 V/us
Çalışma güç kaynağı akımı:
6,2 mA
Kapsülleme:
Makara
Yetenek temini:
1000000
Vurgulamak:

INA849DGKR

,

INA849 TI Çipleri

,

Düşük Gürültülü Enstrümanlandırma Güçlendirici

Ürün Açıklaması

TI Chips INA849DGKR INA849 Ultra-Düşük Gürültülü (1 nV/√Hz), Yüksek Bant Genişlikli, Enstrümantasyon Yükselticisi


Özellikler 
• Ultra-düşük gürültü: 1-nV/√Hz giriş voltajı gürültüsü
(tipik)
• Hassas süper-beta giriş performansı:
– Düşük ofset voltajı: 35 µV (maksimum)
– Düşük ofset voltajı sürüklenmesi: 0.4 μV/°C (maksimum)
– Düşük giriş bias akımı: 20 nA (maksimum)
– Düşük kazanç sürüklenmesi: G = 1 için 5 ppm/°C (maksimum)
• Bant genişliği: 28 MHz (G = 1), 8 MHz (G = 100)
• Yükselme hızı: 35 V/µs
• Ortak mod reddi: 120 dB (minimum)
maksimum kazanç için
• Besleme aralığı:
– Tek besleme: 8 V - 36 V
– Çift besleme: ±4 V - ±18 V
• Belirtilen sıcaklık aralığı:
–40°C ila +125°C
• Paketler: 8-pin SOIC ve VSSOP

Uygulamalar 
• Analog giriş modülü
• Mikrofon ön yükselticisi
• Akış vericisi
• Pil testi
• LCD testi
• Elektrokardiyogram (EKG)
• Cerrahi ekipman
• Proses analitiği (pH, gaz, konsantrasyon, kuvvet
ve nem)

Açıklama
INA849, yüksek çözünürlüklü sistemlerde maksimum doğruluk için optimize edilmiş ve geniş bir tekli
besleme veya çiftli besleme aralığında çalışan ultra-düşük gürültülü bir enstrümantasyon
yükselticidir. Cihaz, süper-beta giriş transistörleri sayesinde rakiplerden önemli ölçüde daha düşük
giriş bias akımı sunar. Son teknoloji üretim süreci, olağanüstü düşük voltaj gürültüsü, giriş ofset
voltajı ve ofset voltajı sürüklenmesi sağlar.
Hassas eşleştirilmiş entegre dirençler, tam
giriş ortak mod aralığında yüksek, 92 dB (G = 1) ortak mod reddi sağlar. Tek bir harici direnç
1 ile 10.000 arasında herhangi bir kazancı ayarlar. INA849'un akım geri besleme
topolojisi, çok küçük, hızlı hareket eden sinyaller için daha yüksek kazançlarda geniş bant
genişliği sağlar. Örneğin, cihaz G = 100'de 8 MHz bant genişliği ve G = 1'de 28 MHz bant
genişliği sunar ve yüksek çözünürlüklü analog-dijital dönüştürücüleri (ADC'ler) doğrudan sürmek için
hızlı 0.4-µs yerleşme süresine (%0.01) sahiptir.

INA849DGKR TI Çipleri INA849 Ultra Düşük Gürültü 1 nV/√Hz Yüksek Bant Genişliği Enstrümanlandırma Güçlendirici

INA849DGKR TI Çipleri INA849 Ultra Düşük Gürültü 1 nV/√Hz Yüksek Bant Genişliği Enstrümanlandırma Güçlendirici