logo
Καλή τιμή  Διαδικτυακά

λεπτομέρειες προϊόντων

Created with Pixso. Σπίτι Created with Pixso. Προϊόντα Created with Pixso.
Τσιπ TI
Created with Pixso.

INA849DGKR TI Chips INA849 Ενισχυτής Οργάνων Εξαιρετικά Χαμηλού Θορύβου 1 nV/√Hz Υψηλού Εύρους Ζώνης

INA849DGKR TI Chips INA849 Ενισχυτής Οργάνων Εξαιρετικά Χαμηλού Θορύβου 1 nV/√Hz Υψηλού Εύρους Ζώνης

Επωνυμία: TI Chips
Αριθμός μοντέλου: INA849DGKR
MOQ: 2500
Λεπτομέρειες συσκευασίας: 2500 ΤΕΜ/κύλινδρο
Όροι πληρωμής: T/T
Λεπτομέρειες
Τόπος καταγωγής:
Κίνα
Έγγραφο:
μοντέλο:
INA849DGKR
Όνομα προϊόντος:
Τσιπ TI
Τύπος:
SMD/SMT
Επιτόκιο:
35 V/us
Ρεύμα τροφοδοσίας λειτουργίας:
6.2 mA
Ενθυλάκωση:
Καρούλι
Δυνατότητα προσφοράς:
1000000
Επισημαίνω:

INA849DGKR

,

INA849 TI Chips

,

Ενισχυτής Οργάνων Χαμηλού Θορύβου

Περιγραφή προϊόντος

TI Chips INA849DGKR INA849 Ενισχυτής Οργάνων Εξαιρετικά Χαμηλού Θορύβου (1 nV/√Hz), Υψηλού Εύρους Ζώνης


Χαρακτηριστικά 
• Εξαιρετικά χαμηλός θόρυβος: 1-nV/√Hz τάση θορύβου εισόδου
(τυπικό)
• Απόδοση εισόδου super-beta ακριβείας:
– Χαμηλή τάση πόλωσης: 35 µV (μέγιστο)
– Χαμηλή μετατόπιση τάσης πόλωσης: 0,4 μV/°C (μέγιστο)
– Χαμηλό ρεύμα πόλωσης εισόδου: 20 nA (μέγιστο)
– Χαμηλή μετατόπιση κέρδους: 5 ppm/°C για G = 1 (μέγιστο)
• Εύρος ζώνης: 28 MHz (G = 1), 8 MHz (G = 100)
• Ρυθμός ανύψωσης: 35 V/µs
• Απόρριψη κοινού τρόπου: 120 dB (ελάχιστο) για
μέγιστο κέρδος
• Εύρος τροφοδοσίας:
– Μονοπολική τροφοδοσία: 8 V έως 36 V
– Διπολική τροφοδοσία: ±4 V έως ±18 V
• Καθορισμένο εύρος θερμοκρασίας:
–40°C έως +125°C
• Πακέτα: 8-pin SOIC και VSSOP

Εφαρμογές 
• Αναλογική μονάδα εισόδου
• Προενισχυτής μικροφώνου
• Πομπός ροής
• Δοκιμή μπαταρίας
• Δοκιμή LCD
• Ηλεκτροκαρδιογράφημα (ΗΚΓ)
• Χειρουργικός εξοπλισμός
• Ανάλυση διεργασιών (pH, αέριο, συγκέντρωση, δύναμη
και υγρασία)

Περιγραφή
Ο INA849 είναι ένας ενισχυτής οργάνων εξαιρετικά χαμηλού θορύβου
βελτιστοποιημένος για μέγιστη ακρίβεια σε συστήματα υψηλής
ανάλυσης και λειτουργία σε ευρύ φάσμα μονοπολικής
ή διπολικής τροφοδοσίας. Η συσκευή προσφέρει
σημαντικά χαμηλότερο ρεύμα πόλωσης εισόδου από τους ανταγωνιστές
ως αποτέλεσμα των τρανζίστορ εισόδου super-beta. Μια σύγχρονη
διαδικασία κατασκευής παρέχει εξαιρετικά
χαμηλό θόρυβο τάσης, τάση πόλωσης εισόδου και μετατόπιση
τάσης πόλωσης.
Ακριβώς ταιριαστά ολοκληρωμένα αντιστάτες παρέχουν υψηλή,
92 dB (G = 1) απόρριψη κοινού τρόπου σε όλο το πλήρες
εύρος κοινού τρόπου εισόδου. Ένας μόνο εξωτερικός αντιστάτης
ορίζει οποιοδήποτε κέρδος από 1 έως 10.000. Η τοπολογία ανάδρασης ρεύματος
του INA849 παρέχει ευρύ εύρος ζώνης σε
υψηλότερα κέρδη για πολύ μικρά, γρήγορα κινούμενα σήματα. Για
παράδειγμα, η συσκευή παρέχει εύρος ζώνης 8 MHz
στο G = 100, και 28 MHz στο G = 1, με γρήγορο
χρόνο σταθεροποίησης 0,4 µs (0,01%) για άμεση οδήγηση υψηλής
ανάλυσης, αναλογικών σε ψηφιακούς μετατροπείς (ADC)

INA849DGKR TI Chips INA849 Ενισχυτής Οργάνων Εξαιρετικά Χαμηλού Θορύβου 1 nV/√Hz Υψηλού Εύρους Ζώνης

INA849DGKR TI Chips INA849 Ενισχυτής Οργάνων Εξαιρετικά Χαμηλού Θορύβου 1 nV/√Hz Υψηλού Εύρους Ζώνης