logo
Dobra cena  W Internecie

szczegółowe informacje o produktach

Created with Pixso. Do domu Created with Pixso. Produkty Created with Pixso.
Chip Infineona
Created with Pixso.

IRFR15N20DTRPBF Infineon Chip HEXFET Power MOSFET W pełni scharakteryzowane napięcie i prąd lawinowe

IRFR15N20DTRPBF Infineon Chip HEXFET Power MOSFET W pełni scharakteryzowane napięcie i prąd lawinowe

Nazwa marki: Infineon Chip
Numer modelu: IRFR15N20DTRBF
MOQ: 2500
Szczegóły opakowania: 2500 sztuk / rolka
Warunki płatności: T/T
Informacje szczegółowe
Miejsce pochodzenia:
Chiny
model:
IRFR15N20DTRBF
Nazwa produktu:
Chip Infineona
Typ:
SMD/SMT
Temperatura pracy:
-55°C ~ + 175°C
Rozpraszanie mocy:
140 W
Ciągły prąd spustowy:
17 A
Możliwość Supply:
100 000
Podkreślić:

IRFR15N20DTRBF

,

IRFR15N20D Infineon Chip

,

W pełni scharakteryzowany HEXFET MOSFET

Opis produktu

Infineon Chip IRFR15N20DTRPBF HEXFET Power MOSFET w Pełną Charakterystyką Napięcia i Prądu Lawinowego


Aplikacje
Wysokoczęstotliwościowe przetwornice DC-DC
Bezołowiowy

Korzyści
Niski ładunek bramka-dren w celu zmniejszenia
Strat przełączania
Pełna charakterystyka pojemności, w tym
Efektywna pojemnośćOSSw celu uproszczenia projektowania (patrz
Notatka aplikacyjna AN1001)
Pełna charakterystyka napięcia lawinowego
i prądu

Absolutne Maksymalne Parametry
IRFR15N20DTRPBF Infineon Chip HEXFET Power MOSFET W pełni scharakteryzowane napięcie i prąd lawinowe
Rezystancja termiczna
 IRFR15N20DTRPBF Infineon Chip HEXFET Power MOSFET W pełni scharakteryzowane napięcie i prąd lawinowe

Statyczne @ TJ= 25°C (chyba że określono inaczej)
IRFR15N20DTRPBF Infineon Chip HEXFET Power MOSFET W pełni scharakteryzowane napięcie i prąd lawinowe