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dettagli dei prodotti

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Chip Infineon
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IRFR15N20DTRPBF Infineon Chip HEXFET Power MOSFET Tensione e Corrente di Valanga Completamente Caratterizzate

IRFR15N20DTRPBF Infineon Chip HEXFET Power MOSFET Tensione e Corrente di Valanga Completamente Caratterizzate

Marchio: Infineon Chip
Numero di modello: IRFR15N20DTRPBF
MOQ: 2500
Dettagli dell'imballaggio: 2500 pezzi/bobina
Termini di pagamento: T/T
Informazioni dettagliate
Luogo di origine:
Cina
modello:
IRFR15N20DTRPBF
Nome del prodotto:
Chip Infineon
Tipo:
SMD/SMT
Temperatura operativa:
-55°C~+175°C
Dissipazione di potenza:
140 W
Corrente continua dello scolo:
17 A
Capacità di alimentazione:
100000
Evidenziare:

IRFR15N20DTRPBF

,

IRFR15N20D Infineon Chip

,

MOSFET HEXFET Completamente Caratterizzato

Descrizione del prodotto

Infineon Chip IRFR15N20DTRPBF HEXFET Power MOSFET Caratterizzato Completamente per Tensione e Corrente di Valanga


Applicazioni
Convertitori DC-DC ad alta frequenza
Senza piombo

Vantaggi
Carica Gate-Drain Bassa per Ridurre
Perdite di commutazione
Capacità completamente caratterizzata inclusa
Efficace COSSper Semplificare la Progettazione, (Vedi
Nota Applicativa AN1001)
Tensione di Valanga Completamente Caratterizzata
e Corrente

Valori Massimi Assoluti
IRFR15N20DTRPBF Infineon Chip HEXFET Power MOSFET Tensione e Corrente di Valanga Completamente Caratterizzate
Resistenza Termica
 IRFR15N20DTRPBF Infineon Chip HEXFET Power MOSFET Tensione e Corrente di Valanga Completamente Caratterizzate

Statico @ TJ= 25°C (se non diversamente specificato)
IRFR15N20DTRPBF Infineon Chip HEXFET Power MOSFET Tensione e Corrente di Valanga Completamente Caratterizzate