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उत्पादों का विवरण

Created with Pixso. घर Created with Pixso. उत्पाद Created with Pixso.
इन्फिनियन चिप
Created with Pixso.

IRFR15N20DTRPBF Infineon चिप HEXFET पावर MOSFET पूरी तरह से कैरेक्टराइज़्ड एवलांच वोल्टेज और करंट

IRFR15N20DTRPBF Infineon चिप HEXFET पावर MOSFET पूरी तरह से कैरेक्टराइज़्ड एवलांच वोल्टेज और करंट

ब्रांड का नाम: Infineon Chip
मॉडल नंबर: आईआरएफआर15एन20डीटीआरपीबीएफ
MOQ: 2500
पैकेजिंग विवरण: 2500PCS/रील
भुगतान की शर्तें: टी/टी
विस्तृत जानकारी
उत्पत्ति के प्लेस:
चीन
दस्तावेज:
नमूना:
आईआरएफआर15एन20डीटीआरपीबीएफ
प्रोडक्ट का नाम:
इन्फिनियन चिप
प्रकार:
एसएमडी/एसएमटी
परिचालन तापमान:
- 55 डिग्री सेल्सियस ~ + 175 डिग्री सेल्सियस
शक्ति का अपव्यय:
140 डब्ल्यू
निरंतर नाली वर्तमान:
17 ए
आपूर्ति की क्षमता:
100000
प्रमुखता देना:

आईआरएफआर15एन20डीटीआरपीबीएफ

,

IRFR15N20D Infineon चिप

,

पूरी तरह से कैरेक्टराइज़्ड HEXFET MOSFET

उत्पाद वर्णन

Infineon चिप IRFR15N20DTRPBF HEXFET पावर MOSFET पूरी तरह से कैरेक्टराइज़्ड एवलांच वोल्टेज और करंट


अनुप्रयोग
उच्च आवृत्ति डीसी-डीसी कन्वर्टर्स
सीसा-मुक्त

लाभ
कम गेट-टू-ड्रेन चार्ज कम करने के लिए
स्विचिंग लॉस
पूरी तरह से कैरेक्टराइज़्ड कैपेसिटेंस सहित
प्रभावी सीOSSडिज़ाइन को सरल बनाने के लिए, (देखें
ऐप. नोट AN1001)
पूरी तरह से कैरेक्टराइज़्ड एवलांच वोल्टेज
और करंट

पूर्ण अधिकतम रेटिंग
IRFR15N20DTRPBF Infineon चिप HEXFET पावर MOSFET पूरी तरह से कैरेक्टराइज़्ड एवलांच वोल्टेज और करंट
थर्मल प्रतिरोध
 IRFR15N20DTRPBF Infineon चिप HEXFET पावर MOSFET पूरी तरह से कैरेक्टराइज़्ड एवलांच वोल्टेज और करंट

स्थैतिक @ टीजे= 25°C (जब तक अन्यथा निर्दिष्ट न हो)
IRFR15N20DTRPBF Infineon चिप HEXFET पावर MOSFET पूरी तरह से कैरेक्टराइज़्ड एवलांच वोल्टेज और करंट