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Détails des produits

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Puce Infineon
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IRFR15N20DTRPBF Infineon Chip HEXFET Power MOSFET Caractérisé en avalanche tension et courant

IRFR15N20DTRPBF Infineon Chip HEXFET Power MOSFET Caractérisé en avalanche tension et courant

Nom De La Marque: Infineon Chip
Numéro De Modèle: IRFR15N20DTRPBF
Quantité Minimale De Commande: 2500
Détails De L'emballage: 2500 pièces/bobine
Conditions De Paiement: T/T
Informations détaillées
Lieu d'origine:
Chine
modèle:
IRFR15N20DTRPBF
Nom du produit:
Puce Infineon
Taper:
CMS/CMS
Température de fonctionnement:
- 55 °C ~ + 175 °C
Dissipation de puissance:
140 W
Courant continu de drain:
17 A
Capacité d'approvisionnement:
100000
Mettre en évidence:

IRFR15N20DTRPBF

,

IRFR15N20D Infineon Chip

,

HEXFET MOSFET entièrement caractérisé

Description du produit

MOSFET de puissance HEXFET IRFR15N20DTRPBF Infineon Chip, tension et courant d'avalanche entièrement caractérisés


Applications
Convertisseurs DC-DC haute fréquence
Sans plomb

Avantages
Faible charge grille-drain pour réduire
les pertes de commutation
Capacité entièrement caractérisée, y compris
C effectifOSSpour simplifier la conception (voir
note d'application AN1001)
Tension d'avalanche entièrement caractérisée
et courant

Valeurs limites absolues
IRFR15N20DTRPBF Infineon Chip HEXFET Power MOSFET Caractérisé en avalanche tension et courant
Résistance thermique
 IRFR15N20DTRPBF Infineon Chip HEXFET Power MOSFET Caractérisé en avalanche tension et courant

Statique @ TJ= 25°C (sauf indication contraire)
IRFR15N20DTRPBF Infineon Chip HEXFET Power MOSFET Caractérisé en avalanche tension et courant