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Infineon-Chip
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IRFR15N20DTRPBF Infineon Chip HEXFET Power MOSFET vollständig charakterisierte Lawinenspannung und -strom

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IRFR15N20DTRPBF Infineon Chip HEXFET Power MOSFET vollständig charakterisierte Lawinenspannung und -strom
  • Name

IRFR15N20DTRPBF Infineon Chip HEXFET Power MOSFET vollständig charakterisierte Lawinenspannung und -strom

Markenname: Infineon Chip
Modellnummer: IRFR15N20DTRPBF
Mindestbestellmenge: 2500
Verpackungsdetails: 2500 Stück/Rolle
Zahlungsbedingungen: T/T
Detailinformationen
Produktbeschreibung
Detailinformationen
Herkunftsort:
China
Dokumentieren:
infineon_irfr15n20d_datashe...en.pdf
Modell:
IRFR15N20DTRPBF
Produktname:
Infineon-Chip
Typ:
SMD/SMT
Betriebstemperatur:
- 55 °C ~ + 175 °C
Verlustleistung:
140 W
Ununterbrochener Abfluss-Strom:
17 A
Versorgungsmaterial-Fähigkeit:
100000
Hervorheben:

IRFR15N20DTRPBF

,

IRFR15N20D Infineon Chip

,

Vollständig charakterisierter HEXFET MOSFET

Produktbeschreibung

Infineon Chip IRFR15N20DTRPBF HEXFET-Leistungs-MOSFET, vollständig charakterisierte Avalanche-Spannung und -Strom


Anwendungen
Hochfrequenz-DC-DC-Wandler
Bleifrei

Vorteile
Niedrige Gate-to-Drain-Ladung zur Reduzierung
Schaltverluste
Vollständig charakterisierte Kapazität, einschließlich
Effektives COSSum das Design zu vereinfachen, (siehe
App. Hinweis AN1001)
Vollständig charakterisierte Lawinenspannung
und aktuell

Absolute Höchstbewertungen
IRFR15N20DTRPBF Infineon Chip HEXFET Power MOSFET vollständig charakterisierte Lawinenspannung und -strom
Wärmewiderstand
 IRFR15N20DTRPBF Infineon Chip HEXFET Power MOSFET vollständig charakterisierte Lawinenspannung und -strom

Statisch @ TJ= 25°C (sofern nicht anders angegeben)
IRFR15N20DTRPBF Infineon Chip HEXFET Power MOSFET vollständig charakterisierte Lawinenspannung und -strom
Schlagworte: 

Infineon Power MOSFET  

Infineon Chip  

Infineon PFC Controller

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