logo
ราคาดี  ออนไลน์

รายละเอียดสินค้า

Created with Pixso. บ้าน Created with Pixso. สินค้า Created with Pixso.
อินฟิเนียนชิป
Created with Pixso.

IRFR15N20DTRPBF Infineon ชิป HEXFET Power MOSFET แรงดันและกระแส Avalanche ที่มีคุณลักษณะครบถ้วน

IRFR15N20DTRPBF Infineon ชิป HEXFET Power MOSFET แรงดันและกระแส Avalanche ที่มีคุณลักษณะครบถ้วน

ชื่อแบรนด์: Infineon Chip
หมายเลขรุ่น: IRFR15N20DTRPBF
ขั้นต่ำ: 2500
รายละเอียดบรรจุภัณฑ์: 2500 ชิ้น/รีล
เงื่อนไขการชำระเงิน: ที/ที
ข้อมูลรายละเอียด
สถานที่กำเนิด:
จีน
แบบอย่าง:
IRFR15N20DTRPBF
ชื่อสินค้า:
อินฟิเนียนชิป
พิมพ์:
เอสเอ็มดี/เอสเอ็มที
อุณหภูมิในการทำงาน:
- 55 องศาเซลเซียส ~ + 175 องศาเซลเซียส
การกระจายพลังงาน:
140 วัตต์
กระแสเดรนต่อเนื่อง:
17 ก
สามารถในการผลิต:
100000
เน้น:

IRFR15N20DTRPBF

,

IRFR15N20D Infineon ชิป

,

HEXFET MOSFET ที่มีคุณลักษณะครบถ้วน

รายละเอียดสินค้า

Infineon Chip IRFR15N20DTRPBF HEXFET Power MOSFET Fully Characterized Avalanche Voltage and Current


การใช้งาน
ตัวแปลง DC-DC ความถี่สูง
ปราศจากสารตะกั่ว

ประโยชน์
ประจุเกตต่อเดรนต่ำเพื่อลด
การสูญเสียจากการสวิตช์
ตัวเก็บประจุที่ระบุคุณสมบัติครบถ้วน รวมถึง
C ที่มีประสิทธิภาพOSSเพื่อการออกแบบที่ง่ายขึ้น (ดู
หมายเหตุการใช้งาน AN1001)
แรงดันไฟฟ้าและกระแส Avalanche ที่ระบุคุณสมบัติครบถ้วน
และกระแส

คะแนนสูงสุดสัมบูรณ์
IRFR15N20DTRPBF Infineon ชิป HEXFET Power MOSFET แรงดันและกระแส Avalanche ที่มีคุณลักษณะครบถ้วน
ความต้านทานความร้อน
 IRFR15N20DTRPBF Infineon ชิป HEXFET Power MOSFET แรงดันและกระแส Avalanche ที่มีคุณลักษณะครบถ้วน

สถิต @ TJ= 25°C (เว้นแต่จะระบุไว้เป็นอย่างอื่น)
IRFR15N20DTRPBF Infineon ชิป HEXFET Power MOSFET แรงดันและกระแส Avalanche ที่มีคุณลักษณะครบถ้วน