chi tiết sản phẩm

Nhà Các sản phẩm

hạt đèn LED

Đèn LED IR gốm công suất cao L35I-85011C1B 2W 3535 850nm Công suất bức xạ 600-750mW Hiệu suất cao

Tất cả các loại

Chip Led công suất cao

Liên hệ với chúng tôi

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

Liên hệ ngay bây giờ

Tất cả các loại

Đèn LED IR gốm công suất cao L35I-85011C1B 2W 3535 850nm Công suất bức xạ 600-750mW Hiệu suất cao

Tên thương hiệu:	Richled
Số mô hình:	L35I‑85011C1B
MOQ:	500 CÁI
Chi tiết đóng gói:	500 CÁI/rạn san hô
Điều khoản thanh toán:	T/T

Thông tin chi tiết

Mô tả sản phẩm

Thông tin chi tiết

Nguồn gốc:

Trung Quốc

Tài liệu:

Tên sản phẩm:

giàu có

người mẫu:

L35I-85011C1B

Loại gói:

Gói gốm công suất cao 3535

Bước sóng cực đại:

845–855nm

Điện áp chuyển tiếp:

1,2–1,8 V

Điện trở nhiệt:

7,5oC/W

Chuyển tiếp hiện tại:

1000mA

Nhiệt độ hoạt động:

-40~+85 ℃

Bao bì:

500 pcs/cuộn

Khả năng cung cấp:

10000000

Làm nổi bật:

L35I-85011C1B

Đèn LED IR 850nm

Đèn LED IR công suất cao 2W

Mô tả sản phẩm

Đèn LED hồng ngoại công suất cao bằng gốm L35I‑85011C1B 2W, 850nm 600–750mW công suất bức xạ hiệu suất cao

LED hồng ngoại công suất cao bằng gốm 3535 2W

Mô tả

• Kích thước LED gắn bề mặt này là gói tiêu chuẩn: 3.45x3.45x4.00mm.

• Dòng L35I được thiết kế cho các ứng dụng có đầu ra quang thông cao với khả năng hoạt động ở dòng điện cao

Tính năng và Lợi ích

• Được thiết kế cho hoạt động dòng điện cao

• Điện trở nhiệt thấp

• Độ bền chống ăn mòn vượt trội

• Hiệu suất cao vượt trội ở dòng điện định mức cho phép

quang thông/W vượt trội ở cấp độ hệ thống

• Góc nhìn ở 50%Iv: 30°

• Duy trì Lumen: Kết quả thử nghiệm theo IESNA

LM-80 có sẵn

• Chứng nhận RoHS

Ứng dụng

• Kiểm tra trực quan

• Thiết bị y tế

• Tầm nhìn ban đêm của ô tô

• Giám sát an ninh

• Nhận dạng

• Hệ thống giám sát

• Quét

Dưới điều kiện thử nghiệm với dòng điện thuận IF = 700mA, nhiệt độ môi trường xung quanh Ta = 25°C và độ ẩm tương đối RH60%, thành phần LED này thể hiện các thông số hiệu suất điện-nhiệt sau: Điện áp thuận (VF) dao động từ mức tối thiểu 1.2V đến tối đa 1.8V, với dung sai ±0.1V, đảm bảo đầu ra điện áp ổn định trong quá trình hoạt động. Dòng điện ngược (IR) được kiểm soát ở mức tối đa 10μA ở điện áp ngược VR là 5V, ngăn chặn hiệu quả dòng rò ngược. Góc nhìn điển hình (2θ1/2), được định nghĩa là góc ngoài trục mà cường độ sáng đạt một nửa cường độ đỉnh, là 30°, cung cấp đầu ra ánh sáng tập trung. Điện trở nhiệt từ mối nối đến mối hàn (Rth j-sp) điển hình là 7.5°C/W, cho phép tản nhiệt hiệu quả và hoạt động lâu dài đáng tin cậy. Ngoài ra, thành phần này có điện áp chịu đựng phóng tĩnh điện (ESD) là 2000V, cung cấp khả năng bảo vệ mạnh mẽ chống lại hư hỏng tĩnh điện trong các ứng dụng thực tế.

Dưới điều kiện thử nghiệm tiêu chuẩn với nhiệt độ môi trường xung quanh (Ta) là 25°C và độ ẩm tương đối (RH) là 60%, các giới hạn tuyệt đối tối đa cho thành phần LED này được xác định như sau để đảm bảo hoạt động đáng tin cậy và an toàn: Dòng điện thuận liên tục tối đa (IF) được định mức là 1000mA, trong khi dòng điện thuận xung tối đa (IFP) đạt 1200mA, chỉ áp dụng trong các điều kiện xung được chỉ định với độ rộng xung ≤100μs và chu kỳ làm việc ≤1/10. Công suất tiêu tán tối đa cho phép (PD) là 1.8W và điện áp ngược (VR) được giới hạn ở mức tối đa 5V để ngăn chặn sự cố ngược. Thành phần được thiết kế để hoạt động trong phạm vi nhiệt độ hoạt động (Topr) từ -40°C đến +85°C, với phạm vi nhiệt độ lưu trữ (Tstg) tương tự để lưu trữ lâu dài. Nhiệt độ mối nối tối đa (Tj) được quy định ở mức 115°C, điều này rất quan trọng đối với quản lý nhiệt. Điều quan trọng cần lưu ý là việc vượt quá bất kỳ thông số định mức nào trong số này có thể khiến hiệu suất của LED sai lệch so với các giá trị được chỉ định, và cần chú ý nghiêm ngặt để đảm bảo công suất tiêu tán không vượt quá giới hạn tối đa tuyệt đối của sản phẩm. Tất cả các phép đo được thực hiện trong môi trường thử nghiệm tiêu chuẩn hóa của Richled LED.

Dưới điều kiện thử nghiệm tiêu chuẩn với nhiệt độ môi trường xung quanh (Ta) là 25°C, độ ẩm tương đối (RH) là 60% và dòng điện thuận (IF) là 700mA, thành phần LED này được phân loại thành ba hệ thống phân hạng để khớp hiệu suất chính xác. Đối với công suất bức xạ, sản phẩm được chia thành ba hạng: mã PF0 cung cấp công suất bức xạ tối thiểu 600mW và tối đa 650mW, mã PF5 dao động từ 650mW đến 700mW và mã PG0 cung cấp công suất bức xạ từ 700mW đến 750mW. Về phân hạng điện áp thuận, có ba hạng: mã BA2 có phạm vi điện áp thuận từ 1.2V đến 1.4V, mã BA4 trải dài từ 1.4V đến 1.6V và mã BA6 bao gồm từ 1.6V đến 1.8V, phù hợp với các thông số điện áp thuận của thành phần. Đối với bước sóng đỉnh, có hai hạng được xác định: mã 84F có bước sóng đỉnh từ 845nm đến 850nm, trong khi mã 85E cung cấp phạm vi bước sóng đỉnh từ 850nm đến 855nm, đảm bảo hiệu suất phổ nhất quán cho các ứng dụng hồng ngoại. Các mã phân loại này cho phép khách hàng chọn các thành phần có đặc tính quang học và điện được kiểm soát chặt chẽ, phù hợp với yêu cầu thiết kế cụ thể của họ.

Thẻ:

CHIP LED OSRAM

Chip Led Cree

chip ST IC

chip TI

chip bridgelux dẫn

Chip Infineon

Chip LED LUMINUS

hạt đèn LED

Chip IC SAMSUNG

Chip Micron

Chip SK Hynix

Chip LED Lumileds

Chip LED SAMSUNG

Chip LED SEOUL

Chip LED NICHIA

NeXperia Chips

Chip ONsemi

chip ADI

Hạt đèn LED TSLC Semileds

Chip Led công suất cao

CHIP LED OSRAM

Chip Led Cree

chip ST IC

chip TI

chip bridgelux dẫn

Chip Infineon

Chip LED LUMINUS

hạt đèn LED

Chip IC SAMSUNG

Chip Micron

Chip SK Hynix

Chip LED Lumileds

Chip LED SAMSUNG

Chip LED SEOUL

Chip LED NICHIA

NeXperia Chips

Chip ONsemi

chip ADI

Hạt đèn LED TSLC Semileds

Chip Led công suất cao

chi tiết sản phẩm

Đèn LED IR gốm công suất cao L35I-85011C1B 2W 3535 850nm Công suất bức xạ 600-750mW Hiệu suất cao

CHIP LED OSRAM

Chip Led Cree

chip ST IC

chip TI

chip bridgelux dẫn

Chip Infineon

Chip LED LUMINUS

hạt đèn LED

Chip IC SAMSUNG

Chip Micron

Chip SK Hynix

Chip LED Lumileds

Chip LED SAMSUNG

Chip LED SEOUL

Chip LED NICHIA

NeXperia Chips

Chip ONsemi

chip ADI

Hạt đèn LED TSLC Semileds

Chip Led công suất cao

CHIP LED OSRAM

Chip Led Cree

chip ST IC

chip TI

chip bridgelux dẫn

Chip Infineon

Chip LED LUMINUS

hạt đèn LED

Chip IC SAMSUNG

Chip Micron

Chip SK Hynix

Chip LED Lumileds

Chip LED SAMSUNG

Chip LED SEOUL

Chip LED NICHIA

NeXperia Chips

Chip ONsemi

chip ADI