rincian produk

Rumah Produk

Manik-manik lampu LED

L35I-85011C1B 2W Keramik Daya Tinggi 3535 IR LED 850nm 600-750mW Daya Pancaran Efikasi Tinggi

Semua Kategori

Chip Led Daya Tinggi

Hubungi Kami

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

Hubungi Sekarang

Semua Kategori

L35I-85011C1B 2W Keramik Daya Tinggi 3535 IR LED 850nm 600-750mW Daya Pancaran Efikasi Tinggi

Nama Merek:	Richled
Nomor Model:	L35I‑85011C1B
MOQ:	500 buah
Detail Kemasan:	500PCS/karang
Ketentuan Pembayaran:	T/T

Informasi Rinci

Deskripsi Produk

Informasi Rinci

Tempat asal:

Tiongkok

Dokumen:

Nama Produk:

kaya raya

model:

L35I-85011C1B

Jenis Paket:

3535 Paket Keramik Daya Tinggi

Panjang gelombang puncak:

845–855 nm

Tegangan Maju:

1,2–1,8V

Resistensi termal:

7,5 ℃/W

Arus Maju:

1000 mA

Suhu Operasional:

-40~+85 ℃

Kemasan:

500 pcs/gulungan

Menyediakan kemampuan:

10000000

Menyoroti:

L35I-85011C1B

LED IR 850nm

LED IR Daya Tinggi 2W

Deskripsi Produk

L35I‑85011C1B 2W High‑Power Ceramic 3535 IR LED, 850nm 600–750mW daya pancaran daya tinggi efikasi tinggi

High Power Ceramic 3535 2W IR

Deskripsi

• Ukuran LED pemasangan permukaan ini adalah paket standar: 3.45x3.45x4.00mm.

• Seri L35I dirancang untuk aplikasi output fluks tinggi dengan kemampuan operasi arus tinggi

Fitur Dan Keunggulan

• Dirancang untuk operasi arus tinggi

• Resistansi termal rendah

• Ketahanan korosi superior

• Efikasi tinggi superior pada arus terukur memungkinkan

lm/W luar biasa pada tingkat sistem

• Sudut pandang pada 50%Iv: 30°

• Pemeliharaan Lumen: Hasil pengujian sesuai IESNA

LM-80 tersedia

• Sertifikasi RoHS

Aplikasi

• Inspeksi visual

• Peralatan Medis

• Penglihatan malam otomotif

• Pemantauan keamanan

• Identifikasi

• Sistem Pengawasan

• Pemindaian

Dalam kondisi pengujian arus maju IF = 700mA, suhu sekitar Ta = 25°C, dan kelembaban relatif RH60%, komponen LED ini menunjukkan parameter kinerja elektro-termal berikut: Tegangan maju (VF) berkisar dari minimum 1,2V hingga maksimum 1,8V, dengan toleransi ±0,1V, memastikan output tegangan yang stabil selama operasi. Arus terbalik (IR) dikontrol hingga maksimum 10μA pada tegangan terbalik VR 5V, secara efektif mencegah kebocoran terbalik. Sudut pandang tipikal (2θ1/2), didefinisikan sebagai sudut di luar sumbu di mana intensitas cahaya mencapai setengah dari intensitas puncak, adalah 30°, memberikan output cahaya yang terfokus. Resistansi termal sambungan-ke-solder (Rth j-sp) biasanya 7,5°C/W, memungkinkan disipasi panas yang efisien dan operasi jangka panjang yang andal. Selain itu, komponen ini memiliki tegangan ketahanan pelepasan muatan elektrostatis (ESD) sebesar 2000V, memberikan perlindungan yang kuat terhadap kerusakan elektrostatis dalam aplikasi praktis.

Dalam kondisi pengujian standar suhu sekitar (Ta) 25°C dan kelembaban relatif (RH) 60%, peringkat maksimum absolut untuk komponen LED ini ditentukan sebagai berikut untuk memastikan operasi yang andal dan aman: Arus maju kontinu maksimum (IF) dinilai pada 1000mA, sementara arus maju pulsa maksimum (IFP) mencapai 1200mA, hanya berlaku di bawah kondisi pulsa yang ditentukan dengan lebar pulsa ≤100μs dan siklus tugas ≤1/10. Disipasi daya maksimum yang diizinkan (PD) adalah 1,8W, dan tegangan terbalik (VR) dibatasi hingga maksimum 5V untuk mencegah kerusakan terbalik. Komponen ini dirancang untuk beroperasi dalam rentang suhu operasi (Topr) dari -40°C hingga +85°C, dengan rentang suhu penyimpanan (Tstg) yang identik untuk penyimpanan jangka panjang. Suhu sambungan maksimum (Tj) ditentukan pada 115°C, yang sangat penting untuk manajemen termal. Penting untuk dicatat bahwa melebihi parameter peringkat apa pun dapat menyebabkan kinerja LED menyimpang dari nilai yang ditentukan, dan perhatian ketat harus diberikan untuk memastikan disipasi daya tidak melebihi peringkat maksimum absolut produk. Semua pengukuran dilakukan di lingkungan pengujian standar Richled LED.

Dalam kondisi pengujian standar suhu sekitar (Ta) 25°C, kelembaban relatif (RH) 60%, dan arus maju (IF) 700mA, komponen LED ini dikategorikan ke dalam tiga sistem peringkat untuk pencocokan kinerja yang tepat. Untuk daya radiometrik, produk dibagi menjadi tiga peringkat: kode PF0 menawarkan minimum 600mW dan maksimum 650mW, kode PF5 berkisar dari 650mW hingga 700mW, dan kode PG0 menyediakan 700mW hingga 750mW daya radiometrik. Dalam hal peringkat tegangan maju, tiga peringkat tersedia: kode BA2 memiliki rentang tegangan maju 1,2V hingga 1,4V, kode BA4 mencakup 1,4V hingga 1,6V, dan kode BA6 mencakup 1,6V hingga 1,8V, sesuai dengan spesifikasi tegangan maju komponen. Untuk panjang gelombang puncak, dua peringkat ditentukan: kode 84F menampilkan panjang gelombang puncak antara 845nm dan 850nm, sedangkan kode 85E menawarkan rentang panjang gelombang puncak 850nm hingga 855nm, memastikan kinerja spektral yang konsisten untuk aplikasi inframerah. Kode binning ini memungkinkan pelanggan untuk memilih komponen dengan karakteristik optik dan listrik yang terkontrol ketat yang disesuaikan dengan persyaratan desain spesifik mereka.

Tag:

CHIP LED OSRAM

Chip Led Cree

chip ST IC

chip TI

chip led bridgelux

Chip Infineon

CIP LED LUMINUS

Manik-manik lampu LED

Chip IC SAMSUNG

Chip mikron

Chip SK Hynix

Chip LED Lumileds

Samsung LED Chip

Chip LED SEOUL

Chip LED NICHIA

NeXperia Chips

Chip ONsemi

chip ADI

TSLC Semileds LED Lamp Beads

Chip Led Daya Tinggi

CHIP LED OSRAM

Chip Led Cree

chip ST IC

chip TI

chip led bridgelux

Chip Infineon

CIP LED LUMINUS

Manik-manik lampu LED

Chip IC SAMSUNG

Chip mikron

Chip SK Hynix

Chip LED Lumileds

Samsung LED Chip

Chip LED SEOUL

Chip LED NICHIA

NeXperia Chips

Chip ONsemi

chip ADI

TSLC Semileds LED Lamp Beads

Chip Led Daya Tinggi

rincian produk

L35I-85011C1B 2W Keramik Daya Tinggi 3535 IR LED 850nm 600-750mW Daya Pancaran Efikasi Tinggi

CHIP LED OSRAM

Chip Led Cree

chip ST IC

chip TI

chip led bridgelux

Chip Infineon

CIP LED LUMINUS

Manik-manik lampu LED

Chip IC SAMSUNG

Chip mikron

Chip SK Hynix

Chip LED Lumileds

Samsung LED Chip

Chip LED SEOUL

Chip LED NICHIA

NeXperia Chips

Chip ONsemi

chip ADI

TSLC Semileds LED Lamp Beads

Chip Led Daya Tinggi

CHIP LED OSRAM

Chip Led Cree

chip ST IC

chip TI

chip led bridgelux

Chip Infineon

CIP LED LUMINUS

Manik-manik lampu LED

Chip IC SAMSUNG

Chip mikron

Chip SK Hynix

Chip LED Lumileds

Samsung LED Chip

Chip LED SEOUL

Chip LED NICHIA

NeXperia Chips

Chip ONsemi

chip ADI