รายละเอียดสินค้า

บ้าน สินค้า

ลูกปัดหลอดไฟ LED

L35I-85011C1B 2W เซรามิกกำลังสูง 3535 IR LED 850nm 600-750mW กำลังเปล่งแสง ประสิทธิภาพสูง

ประเภททั้งหมด

ชิป LED พลังงานสูง

ติดต่อเรา

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

ติดต่อตอนนี้

ประเภททั้งหมด

L35I-85011C1B 2W เซรามิกกำลังสูง 3535 IR LED 850nm 600-750mW กำลังเปล่งแสง ประสิทธิภาพสูง

ชื่อแบรนด์:	Richled
หมายเลขรุ่น:	L35I‑85011C1B
ขั้นต่ำ:	500ชิ้น
รายละเอียดบรรจุภัณฑ์:	500PCS / แนวปะการัง
เงื่อนไขการชำระเงิน:	ที/ที

ข้อมูลรายละเอียด

รายละเอียดสินค้า

ข้อมูลรายละเอียด

สถานที่กำเนิด:

เอกสาร:

ชื่อสินค้า:

แบบอย่าง:

L35I-85011C1B

ประเภทแพ็คเกจ:

แพ็คเกจเซรามิกกำลังสูง 3535

ความยาวคลื่นสูงสุด:

845–855 นาโนเมตร

แรงดันไปข้างหน้า:

1.2–1.8 โวลต์

ต้านทานความร้อน:

7.5 ℃/วัตต์

ไปข้างหน้าปัจจุบัน:

1,000 มิลลิแอมป์

อุณหภูมิในการทำงาน:

-40~+85 ℃

บรรจุภัณฑ์:

500 ชิ้น/รีล

สามารถในการผลิต:

10,000,000

เน้น:

L35I-85011C1B

850nm IR LED

2W IR LED กำลังสูง

รายละเอียดสินค้า

L35I‑85011C1B 2W High‑Power Ceramic 3535 IR LED, 850nm 600–750mW radiant power high efficacy

High Power Ceramic 3535 2W IR

คำอธิบาย

• ขนาด LED แบบติดตั้งบนพื้นผิวนี้เป็นแพ็คเกจมาตรฐาน: 3.45x3.45x4.00 มม.

• ซีรีส์ L35I ได้รับการออกแบบมาสำหรับแอปพลิเคชันที่มีฟลักซ์เอาต์พุตสูงพร้อมความสามารถในการทำงานด้วยกระแสไฟสูง

คุณสมบัติและประโยชน์

• ออกแบบมาสำหรับการทำงานด้วยกระแสไฟสูง

• ความต้านทานความร้อนต่ำ

• ความทนทานต่อการกัดกร่อนที่เหนือกว่า

• ประสิทธิภาพสูงที่เหนือกว่าที่กระแสไฟพิกัดช่วยให้

ประสิทธิภาพ lm/W ที่ยอดเยี่ยมในระดับระบบ

• มุมมองที่ 50%Iv : 30°

• การบำรุงรักษาลูเมน: ผลการทดสอบตาม IESNA

LM-80 พร้อมใช้งาน

• การรับรอง RoHS

แอปพลิเคชัน

• การตรวจสอบด้วยภาพ

• อุปกรณ์ทางการแพทย์

• การมองเห็นตอนกลางคืนของยานยนต์

• การเฝ้าระวังความปลอดภัย

• การระบุตัวตน

• ระบบเฝ้าระวัง

• การสแกน

ภายใต้เงื่อนไขการทดสอบกระแสไฟฟอร์เวิร์ด IF = 700mA, อุณหภูมิแวดล้อม Ta = 25°C และความชื้นสัมพัทธ์ RH60% ส่วนประกอบ LED นี้แสดงพารามิเตอร์ประสิทธิภาพทางไฟฟ้า-ความร้อนดังต่อไปนี้: แรงดันไฟฟ้าฟอร์เวิร์ด (VF) อยู่ในช่วงตั้งแต่ขั้นต่ำ 1.2V ถึงสูงสุด 1.8V โดยมีความคลาดเคลื่อน ±0.1V ทำให้มั่นใจได้ถึงเอาต์พุตแรงดันไฟฟ้าที่เสถียรระหว่างการทำงาน กระแสไฟย้อนกลับ (IR) ถูกควบคุมสูงสุดที่ 10μA ที่แรงดันไฟฟ้าย้อนกลับ VR 5V ซึ่งป้องกันการรั่วไหลย้อนกลับได้อย่างมีประสิทธิภาพ มุมมองทั่วไป (2θ1/2) ซึ่งกำหนดเป็นมุมนอกแกนที่ความเข้มของแสงถึงครึ่งหนึ่งของความเข้มสูงสุดคือ 30° ให้เอาต์พุตแสงที่โฟกัส ความต้านทานความร้อนจากรอยต่อถึงบัดกรี (Rth j-sp) โดยทั่วไปคือ 7.5°C/W ช่วยให้การกระจายความร้อนมีประสิทธิภาพและการทำงานที่เชื่อถือได้ในระยะยาว นอกจากนี้ ส่วนประกอบยังมีแรงดันไฟฟ้าทนต่อไฟฟ้าสถิต (ESD) 2000V ซึ่งให้การป้องกันความเสียหายจากไฟฟ้าสถิตที่แข็งแกร่งในการใช้งานจริง

ภายใต้เงื่อนไขการทดสอบมาตรฐานของอุณหภูมิแวดล้อม (Ta) 25°C, ความชื้นสัมพัทธ์ (RH) 60% และพิกัดสูงสุดสัมบูรณ์สำหรับส่วนประกอบ LED นี้ถูกกำหนดดังต่อไปนี้เพื่อให้แน่ใจว่าการทำงานที่เชื่อถือได้และปลอดภัย: กระแสไฟฟอร์เวิร์ดต่อเนื่องสูงสุด (IF) อยู่ที่ 1000mA ในขณะที่กระแสไฟฟอร์เวิร์ดพัลส์สูงสุด (IFP) ถึง 1200mA ซึ่งใช้ได้เฉพาะภายใต้เงื่อนไขพัลส์ที่ระบุของความกว้างพัลส์ ≤100μs และรอบการทำงาน ≤1/10 การกระจายกำลังสูงสุด (PD) คือ 1.8W และแรงดันไฟฟ้าย้อนกลับ (VR) ถูกจำกัดสูงสุดที่ 5V เพื่อป้องกันการพังย้อนกลับ ส่วนประกอบได้รับการออกแบบให้ทำงานในช่วงอุณหภูมิการทำงาน (Topr) ตั้งแต่ -40°C ถึง +85°C โดยมีช่วงอุณหภูมิการจัดเก็บ (Tstg) ที่เหมือนกันสำหรับการจัดเก็บระยะยาว อุณหภูมิรอยต่อสูงสุด (Tj) ถูกระบุไว้ที่ 115°C ซึ่งมีความสำคัญอย่างยิ่งต่อการจัดการความร้อน สิ่งสำคัญคือต้องทราบว่าการเกินพารามิเตอร์ที่กำหนดไว้ใดๆ อาจทำให้ประสิทธิภาพของ LED เบี่ยงเบนไปจากค่าที่ระบุ และต้องให้ความสนใจอย่างเคร่งครัดเพื่อให้แน่ใจว่าการกระจายกำลังไม่เกินพิกัดสูงสุดสัมบูรณ์ของผลิตภัณฑ์ การวัดทั้งหมดดำเนินการในสภาพแวดล้อมการทดสอบที่เป็นมาตรฐานของ Richled LED

ภายใต้เงื่อนไขการทดสอบมาตรฐานของอุณหภูมิแวดล้อม (Ta) 25°C, ความชื้นสัมพัทธ์ (RH) 60% และกระแสไฟฟอร์เวิร์ด (IF) 700mA ส่วนประกอบ LED นี้ถูกจัดอยู่ในสามระบบการจัดอันดับสำหรับการจับคู่ประสิทธิภาพที่แม่นยำ สำหรับกำลังกัมมันตรังสี ผลิตภัณฑ์จะถูกแบ่งออกเป็นสามอันดับ: รหัส PF0 ให้กำลังกัมมันตรังสีขั้นต่ำ 600mW และสูงสุด 650mW, รหัส PF5 อยู่ในช่วง 650mW ถึง 700mW และรหัส PG0 ให้กำลังกัมมันตรังสี 700mW ถึง 750mW ในแง่ของการจัดอันดับแรงดันไฟฟ้าฟอร์เวิร์ด มีสามอันดับ: รหัส BA2 มีช่วงแรงดันไฟฟ้าฟอร์เวิร์ด 1.2V ถึง 1.4V, รหัส BA4 ครอบคลุม 1.4V ถึง 1.6V และรหัส BA6 ครอบคลุม 1.6V ถึง 1.8V ซึ่งสอดคล้องกับข้อกำหนดแรงดันไฟฟ้าฟอร์เวิร์ดของส่วนประกอบ สำหรับความยาวคลื่นสูงสุด มีสองอันดับที่กำหนดไว้: รหัส 84F มีความยาวคลื่นสูงสุดระหว่าง 845nm ถึง 850nm ในขณะที่รหัส 85E ให้ช่วงความยาวคลื่นสูงสุด 850nm ถึง 855nm เพื่อให้มั่นใจถึงประสิทธิภาพสเปกตรัมที่สม่ำเสมอสำหรับการใช้งานอินฟราเรด รหัสการจัดกลุ่มเหล่านี้ช่วยให้ลูกค้าสามารถเลือกส่วนประกอบที่มีลักษณะทางแสงและไฟฟ้าที่ควบคุมอย่างเข้มงวดซึ่งปรับให้เหมาะกับความต้องการการออกแบบเฉพาะของตนได้

แท็ก:

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI

TSLC Semileds หลอดไฟ LED

ชิป LED พลังงานสูง

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI

TSLC Semileds หลอดไฟ LED

ชิป LED พลังงานสูง

รายละเอียดสินค้า

L35I-85011C1B 2W เซรามิกกำลังสูง 3535 IR LED 850nm 600-750mW กำลังเปล่งแสง ประสิทธิภาพสูง

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI

TSLC Semileds หลอดไฟ LED

ชิป LED พลังงานสูง

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI