szczegółowe informacje o produktach

Do domu Produkty

Koraliki do lampy LED

L35I-85011C1B 2W Wysokiej Mocy Ceramiczna 3535 Dioda LED IR 850nm 600-750mW Moc Promieniowania Wysoka Wydajność

Wszystkie kategorie

TSLC Semileds Koralik Lampy LED

Układ diodowy dużej mocy

Skontaktuj się z nami

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

Skontaktuj się teraz

Wszystkie kategorie

TSLC Semileds Koralik Lampy LED

L35I-85011C1B 2W Wysokiej Mocy Ceramiczna 3535 Dioda LED IR 850nm 600-750mW Moc Promieniowania Wysoka Wydajność

Nazwa marki:	Richled
Numer modelu:	L35I-85011C1B
MOQ:	500szt
Szczegóły opakowania:	500 sztuk/rafa
Warunki płatności:	T/T

Informacje szczegółowe

Opis produktu

Informacje szczegółowe

Miejsce pochodzenia:

Chiny

Dokument:

Nazwa produktu:

Bogaty

model:

L35I-85011C1B

Typ opakowania:

Pakiet ceramiczny 3535 o dużej mocy

Szczytowa długość fali:

845–855 nm

Napięcie przewodzenia:

1,2–1,8 V

Opór termiczny:

7,5 ℃/W

Prąd do przodu:

1000 mA

Temperatura pracy:

-40~+85 ℃

Opakowanie:

500 sztuk na rolkę

Możliwość Supply:

10000000

Podkreślić:

L35I-85011C1B

Dioda LED IR 850nm

Dioda LED IR 2W Wysokiej Mocy

Opis produktu

L35I‑85011C1B 2W Wysokiej mocy ceramiczna dioda LED IR 3535, 850nm 600–750mW mocy promieniowania wysoka skuteczność

Wysokiej mocy ceramiczna 3535 2W IR

Opis

• Ten LED do montażu powierzchniowego ma standardowy rozmiar obudowy: 3,45x3,45x4,00mm.

• Seria L35I została zaprojektowana do zastosowań o wysokim strumieniu świetlnym z możliwością pracy przy wysokim prądzie

Cechy i zalety

• Zaprojektowany do pracy przy wysokim prądzie

• Niska rezystancja termiczna

• Doskonała odporność na korozję

• Doskonała wysoka skuteczność przy prądzie znamionowym umożliwia

wybitne lm/W na poziomie systemu

• Kąt widzenia przy 50%Iv: 30°

• Utrzymanie strumienia świetlnego: Wyniki testów zgodnie z IESNA

LM-80 dostępne

• Certyfikat RoHS

Zastosowania

• Inspekcja wizualna

• Sprzęt medyczny

• Noktowizja samochodowa

• Monitorowanie bezpieczeństwa

• Identyfikacja

• Systemy nadzoru

• Skanowanie

W warunkach testowych prądu przewodzenia IF = 700mA, temperatury otoczenia Ta = 25°C i wilgotności względnej RH60%, ten komponent LED prezentuje następujące parametry wydajności elektrotermicznej: Napięcie przewodzenia (VF) waha się od minimum 1,2V do maksimum 1,8V, z tolerancją ±0,1V, zapewniając stabilne napięcie wyjściowe podczas pracy. Prąd wsteczny (IR) jest kontrolowany do maksimum 10μA przy napięciu wstecznym VR 5V, skutecznie zapobiegając prądowi wstecznemu. Typowy kąt widzenia (2θ1/2), zdefiniowany jako kąt poza osią, przy którym natężenie światła osiąga połowę wartości szczytowej, wynosi 30°, zapewniając skupioną emisję światła. Rezystancja termiczna złącza do lutowia (Rth j-sp) wynosi zazwyczaj 7,5°C/W, co umożliwia wydajne odprowadzanie ciepła i niezawodne długoterminowe działanie. Dodatkowo, komponent posiada napięcie udarowe wyładowania elektrostatycznego (ESD) wynoszące 2000V, zapewniając solidną ochronę przed uszkodzeniami elektrostatycznymi w praktycznych zastosowaniach.

W standardowych warunkach testowych temperatury otoczenia (Ta) 25°C i wilgotności względnej (RH) 60%, bezwzględne maksymalne parametry tego komponentu LED są zdefiniowane w następujący sposób, aby zapewnić niezawodne i bezpieczne działanie: Maksymalny ciągły prąd przewodzenia (IF) wynosi 1000mA, podczas gdy maksymalny impulsowy prąd przewodzenia (IFP) osiąga 1200mA, stosowany tylko w określonych warunkach impulsowych o szerokości impulsu ≤100μs i współczynniku wypełnienia ≤1/10. Maksymalna dopuszczalna moc rozpraszania (PD) wynosi 1,8W, a napięcie wsteczne (VR) jest ograniczone do maksimum 5V, aby zapobiec przebiciu wstecznemu. Komponent jest zaprojektowany do pracy w zakresie temperatury roboczej (Topr) od -40°C do +85°C, z identycznym zakresem temperatury przechowywania (Tstg) do długoterminowego przechowywania. Maksymalna temperatura złącza (Tj) wynosi 115°C, co jest kluczowe dla zarządzania termicznego. Należy pamiętać, że przekroczenie któregokolwiek z tych znamionowych parametrów może spowodować odchylenie wydajności diody LED od określonych wartości, a należy zwrócić szczególną uwagę na to, aby rozpraszanie mocy nie przekroczyło bezwzględnego maksymalnego znamionowego produktu. Wszystkie pomiary przeprowadzono w znormalizowanym środowisku testowym Richled LED.

W standardowych warunkach testowych temperatury otoczenia (Ta) 25°C, wilgotności względnej (RH) 60% i prądu przewodzenia (IF) 700mA, ten komponent LED jest podzielony na trzy systemy klasyfikacji w celu precyzyjnego dopasowania wydajności. W przypadku mocy radiometrycznej produkt jest podzielony na trzy klasy: kod PF0 oferuje minimum 600mW i maksimum 650mW, kod PF5 mieści się w zakresie od 650mW do 700mW, a kod PG0 zapewnia moc radiometryczną od 700mW do 750mW. Pod względem klasyfikacji napięcia przewodzenia dostępne są trzy klasy: kod BA2 ma zakres napięcia przewodzenia od 1,2V do 1,4V, kod BA4 obejmuje zakres od 1,4V do 1,6V, a kod BA6 obejmuje zakres od 1,6V do 1,8V, zgodnie ze specyfikacjami napięcia przewodzenia komponentu. W przypadku długości fali szczytowej zdefiniowano dwie klasy: kod 84F charakteryzuje się długością fali szczytowej między 845nm a 850nm, podczas gdy kod 85E oferuje zakres długości fali szczytowej od 850nm do 855nm, zapewniając spójną wydajność spektralną dla zastosowań w podczerwieni. Te kody binningu umożliwiają klientom wybór komponentów o ściśle kontrolowanych charakterystykach optycznych i elektrycznych, dostosowanych do ich specyficznych wymagań projektowych.

Tagi:

CHIP LED OSRAM

Układ Cree Led

Układy scalone ST

Chipsy TI

chip bridgelux LED

Chip Infineona

Chip LED LUMINUS

Koraliki do lampy LED

Układy scalone SAMSUNG

Chipy mikronowe

Układy SK Hynix

Układ LED Lumileds

Dioda LED SAMSUNG

SEOUL LED Chip

NICHIA LED Chip

NeXperia Chip

Układy ONsemi

chipy ADI

TSLC Semileds Koralik Lampy LED

Układ diodowy dużej mocy

CHIP LED OSRAM

Układ Cree Led

Układy scalone ST

Chipsy TI

chip bridgelux LED

Chip Infineona

Chip LED LUMINUS

Koraliki do lampy LED

Układy scalone SAMSUNG

Chipy mikronowe

Układy SK Hynix

Układ LED Lumileds

Dioda LED SAMSUNG

SEOUL LED Chip

NICHIA LED Chip

NeXperia Chip

Układy ONsemi

chipy ADI

TSLC Semileds Koralik Lampy LED

Układ diodowy dużej mocy

szczegółowe informacje o produktach

L35I-85011C1B 2W Wysokiej Mocy Ceramiczna 3535 Dioda LED IR 850nm 600-750mW Moc Promieniowania Wysoka Wydajność

CHIP LED OSRAM

Układ Cree Led

Układy scalone ST

Chipsy TI

chip bridgelux LED

Chip Infineona

Chip LED LUMINUS

Koraliki do lampy LED

Układy scalone SAMSUNG

Chipy mikronowe

Układy SK Hynix

Układ LED Lumileds

Dioda LED SAMSUNG

SEOUL LED Chip

NICHIA LED Chip

NeXperia Chip

Układy ONsemi

chipy ADI

TSLC Semileds Koralik Lampy LED

Układ diodowy dużej mocy

CHIP LED OSRAM

Układ Cree Led

Układy scalone ST

Chipsy TI

chip bridgelux LED

Chip Infineona

Chip LED LUMINUS

Koraliki do lampy LED

Układy scalone SAMSUNG

Chipy mikronowe

Układy SK Hynix

Układ LED Lumileds

Dioda LED SAMSUNG

SEOUL LED Chip

NICHIA LED Chip

NeXperia Chip

Układy ONsemi

chipy ADI