details van de producten

Huis Producten

LEIDENE lampparels

L35I-85011C1B 2W Hoge Vermogen Keramische 3535 IR LED 850nm 600-750mW Stralingsvermogen Hoge Efficiëntie

Alle Categorieën

Hoogvermogen led-chip

Contacteer ons

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

Contact nu

Alle Categorieën

L35I-85011C1B 2W Hoge Vermogen Keramische 3535 IR LED 850nm 600-750mW Stralingsvermogen Hoge Efficiëntie

Merknaam:	Richled
Modelnummer:	L35I‑85011C1B
MOQ:	500 STUKS
Verpakkingsdetails:	500 STKS/rif
Betalingsvoorwaarden:	T/T

Gedetailleerde informatie

Productbeschrijving

Gedetailleerde informatie

Plaats van herkomst:

China

Document:

L35I-85011C1B Data Sheet A0...--.pdf

Productnaam:

Rijkelijk

model:

L35I-85011C1B

Pakkettype:

3535 Keramisch pakket met hoog vermogen

Piekgolflengte:

845–855 nm

Voorwaartse spanning:

1,2–1,8 V

Thermische weerstand:

7,5 ℃/W

Voorwaartse stroom:

1000 mA

Bedrijfstemperatuur:

-40~+85 ℃

Verpakking:

500 stuks per spoel

Levering vermogen:

10000000

Markeren:

L35I-85011C1B

850nm IR LED

2W Hoge Vermogen IR LED

Productbeschrijving

L35I-85011C1B 2W High-Power Ceramic 3535 IR LED, 850nm 600–750mW stralingsvermogen hoge efficiëntie

High Power Ceramic 3535 2W IR

Beschrijving

•Dit oppervlaktemontage LED-formaat is standaardpakket: 3.45x3.45x4.00mm.

•De L35I-serie is ontworpen voor toepassingen met een hoge fluxoutput met een hoge stroomsterkte.

Kenmerken en voordelen

• Ontworpen voor hoge stroomsterkte

• Lage thermische weerstand

• Superieure corrosiebestendigheid

• Superieure hoge efficiëntie bij nominale stroom maakt

uitstekende lm/W op systeemniveau mogelijk

• Kijkhoek bij 50%Iv: 30°

• Lumenonderhoud: Testresultaten volgens IESNA

LM-80 beschikbaar

• RoHS-certificering

Toepassingen

• Visuele inspectie

• Medische apparatuur

• Automotive nachtzicht

• Beveiligingsbewaking

• Identificatie

• Surveillance Systemen

• Scannen

Onder de testomstandigheden van een voorwaartse stroom IF = 700mA, omgevingstemperatuur Ta = 25°C en relatieve vochtigheid RH60%, presenteert dit LED-component de volgende elektro-thermische prestatieparameters: De voorwaartse spanning (VF) varieert van een minimum van 1.2V tot een maximum van 1.8V, met een tolerantie van ±0.1V, wat zorgt voor een stabiele spanningsoutput tijdens bedrijf. De reverse stroom (IR) wordt gecontroleerd tot een maximum van 10μA bij een reverse spanning VR van 5V, wat effectieve preventie van reverse lekkage biedt. De typische kijkhoek (2θ1/2), gedefinieerd als de off-axis hoek waarbij de lichtintensiteit de helft van de piekintensiteit bereikt, is 30°, wat gerichte lichtoutput levert. De junction-to-solder thermische weerstand (Rth j-sp) is typisch 7.5°C/W, wat zorgt voor efficiënte warmteafvoer en betrouwbare langdurige werking. Bovendien is het component voorzien van een elektrostatische ontlading (ESD) weerstandsspanning van 2000V, wat robuuste bescherming biedt tegen elektrostatische schade in praktische toepassingen.

Onder de standaard testomstandigheden van een omgevingstemperatuur (Ta) van 25°C en een relatieve vochtigheid (RH) van 60%, worden de absolute maximale ratings voor dit LED-component als volgt gedefinieerd om betrouwbare en veilige werking te garanderen: De maximale continue voorwaartse stroom (IF) is beoordeeld op 1000mA, terwijl de maximale puls voorwaartse stroom (IFP) 1200mA bereikt, alleen van toepassing onder de gespecificeerde pulscondities van een pulsbreedte ≤100μs en een duty cycle ≤1/10. De maximaal toegestane vermogensdissipatie (PD) is 1.8W, en de reverse spanning (VR) is beperkt tot een maximum van 5V om reverse doorslag te voorkomen. Het component is ontworpen om te werken binnen een bedrijfstemperatuurbereik (Topr) van -40°C tot +85°C, met een identiek opslagtemperatuurbereik (Tstg) voor langdurige opslag. De maximale junctietemperatuur (Tj) is gespecificeerd op 115°C, wat cruciaal is voor thermisch beheer. Het is belangrijk op te merken dat het overschrijden van een van deze nominale parameters kan leiden tot afwijking van de prestaties van de LED van de gespecificeerde waarden, en strikte aandacht moet worden besteed om ervoor te zorgen dat de vermogensdissipatie de absolute maximale rating van het product niet overschrijdt. Alle metingen werden uitgevoerd in de gestandaardiseerde testomgeving van Richled LED.

Onder de standaard testomstandigheden van een omgevingstemperatuur (Ta) van 25°C, relatieve vochtigheid (RH) van 60% en voorwaartse stroom (IF) van 700mA, wordt dit LED-component ingedeeld in drie graderingssystemen voor nauwkeurige prestatieafstemming. Voor radiometrisch vermogen is het product verdeeld in drie rangen: code PF0 biedt een minimum van 600mW en een maximum van 650mW, code PF5 varieert van 650mW tot 700mW, en code PG0 levert 700mW tot 750mW aan radiometrisch vermogen. Wat betreft de gradering van de voorwaartse spanning, zijn er drie rangen beschikbaar: code BA2 heeft een voorwaartse spanningsbereik van 1.2V tot 1.4V, code BA4 strekt zich uit van 1.4V tot 1.6V, en code BA6 dekt 1.6V tot 1.8V, in lijn met de specificaties van de voorwaartse spanning van het component. Voor piek golflengte zijn twee rangen gedefinieerd: code 84F heeft een piek golflengte tussen 845nm en 850nm, terwijl code 85E een piek golflengtebereik van 850nm tot 855nm biedt, wat zorgt voor consistente spectrale prestaties voor infraroodtoepassingen. Deze binning codes stellen klanten in staat om componenten te selecteren met nauwkeurig gecontroleerde optische en elektrische kenmerken, afgestemd op hun specifieke ontwerpeisen.

Labels:

OSRAM LED-CHIP

Cree LEIDENE Spaander

ST IC-chips

TI-chips

Bridgelux LED-chip

Infineon-chip

LUMINUS LED-chip

LEIDENE lampparels

SAMSUNG IC-chips

Micron-chips

SK Hynix Chips

LumiLEDs LED-chip

SAMSUNG LED chip

SEOUL LED Chip

NICHIA LED-chip

NeXperia Chips

ONsemi Chips

ADI-chips

TSLC-semileden LED-lampkralen

Hoogvermogen led-chip

OSRAM LED-CHIP

Cree LEIDENE Spaander

ST IC-chips

TI-chips

Bridgelux LED-chip

Infineon-chip

LUMINUS LED-chip

LEIDENE lampparels

SAMSUNG IC-chips

Micron-chips

SK Hynix Chips

LumiLEDs LED-chip

SAMSUNG LED chip

SEOUL LED Chip

NICHIA LED-chip

NeXperia Chips

ONsemi Chips

ADI-chips

TSLC-semileden LED-lampkralen

Hoogvermogen led-chip

details van de producten

L35I-85011C1B 2W Hoge Vermogen Keramische 3535 IR LED 850nm 600-750mW Stralingsvermogen Hoge Efficiëntie

OSRAM LED-CHIP

Cree LEIDENE Spaander

ST IC-chips

TI-chips

Bridgelux LED-chip

Infineon-chip

LUMINUS LED-chip

LEIDENE lampparels

SAMSUNG IC-chips

Micron-chips

SK Hynix Chips

LumiLEDs LED-chip

SAMSUNG LED chip

SEOUL LED Chip

NICHIA LED-chip

NeXperia Chips

ONsemi Chips

ADI-chips

TSLC-semileden LED-lampkralen

Hoogvermogen led-chip

OSRAM LED-CHIP

Cree LEIDENE Spaander

ST IC-chips

TI-chips

Bridgelux LED-chip

Infineon-chip

LUMINUS LED-chip

LEIDENE lampparels

SAMSUNG IC-chips

Micron-chips

SK Hynix Chips

LumiLEDs LED-chip

SAMSUNG LED chip

SEOUL LED Chip

NICHIA LED-chip

NeXperia Chips

ONsemi Chips

ADI-chips