Подробная информация о продукции

Дом Продукты

Шарики лампы СИД

L35I-85011C1B 2W Высокомощный керамический 3535 ИК-светодиод 850 нм 600-750 мВт излучаемой мощности Высокая эффективность

Все категории

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Свяжитесь мы

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

Контакт теперь

Все категории

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

L35I-85011C1B 2W Высокомощный керамический 3535 ИК-светодиод 850 нм 600-750 мВт излучаемой мощности Высокая эффективность

Название бренда:	Richled
Номер модели:	L35I‑85011C1B
минимальный заказ:	500 шт.
Детали упаковки:	500 шт/риф
Условия оплаты:	Т/Т

Детальная информация

Описание продукта

Детальная информация

Место происхождения:

Китай

Документ:

Название продукта:

Ричлед

модель:

L35I-85011C1B

Тип упаковки:

3535 Керамический корпус высокой мощности

Пиковая длина волны:

845–855 нм

Прямое напряжение:

1,2–1,8 В

Термическое сопротивление:

7,5 ℃/Вт

Прямой ток:

1000 мам

Рабочая температура:

-40~+85 ℃

Упаковка:

500 шт. на катушку

Поставка способности:

10000000

Выделить:

L35I-85011C1B

850 нм ИК-светодиод

2 Вт Высокомощный ИК-светодиод

Описание продукта

L35I‑85011C1B 2W Высокомощный керамический 3535 ИК-светодиод, 850 нм, 600–750 мВт радиационной мощности, высокая эффективность

Высокомощный керамический 3535 2W ИК

Описание

• Размер этого светодиода поверхностного монтажа соответствует стандартному корпусу: 3,45x3,45x4,00 мм.

• Серия L35I разработана для приложений с высокой светоотдачей и возможностью работы при высоком токе

Особенности и преимущества

• Разработан для работы при высоком токе

• Низкое тепловое сопротивление

• Превосходная коррозионная стойкость

• Превосходная высокая эффективность при номинальном токе обеспечивает

выдающиеся люмен/Вт на системном уровне

• Угол обзора при 50%Iv: 30°

• Поддержание светового потока: результаты испытаний согласно IESNA

LM-80 доступны

• Сертификация RoHS

Применения

• Визуальный контроль

• Медицинское оборудование

• Автомобильное ночное видение

• Системы видеонаблюдения

• Идентификация

• Системы наблюдения

• Сканирование

При условиях испытаний при прямом токе IF = 700 мА, температуре окружающей среды Ta = 25°C и относительной влажности RH60% этот светодиодный компонент демонстрирует следующие электротермические параметры: Прямое напряжение (VF) варьируется от минимума 1,2 В до максимума 1,8 В с допуском ±0,1 В, обеспечивая стабильный выход напряжения во время работы. Обратный ток (IR) контролируется на уровне максимум 10 мкА при обратном напряжении VR 5 В, эффективно предотвращая обратные утечки. Типичный угол обзора (2θ1/2), определяемый как угол вне оси, при котором сила света достигает половины пиковой интенсивности, составляет 30°, обеспечивая сфокусированный световой поток. Тепловое сопротивление от перехода до пайки (Rth j-sp) обычно составляет 7,5 °C/Вт, что обеспечивает эффективное рассеивание тепла и надежную долговременную работу. Кроме того, компонент имеет напряжение устойчивости к электростатическому разряду (ESD) 2000 В, обеспечивая надежную защиту от повреждений статическим электричеством в практических приложениях.

При стандартных условиях испытаний при температуре окружающей среды (Ta) 25°C и относительной влажности (RH) 60% абсолютные максимальные рейтинги для этого светодиодного компонента определены следующим образом для обеспечения надежной и безопасной работы: Максимальный непрерывный прямой ток (IF) составляет 1000 мА, а максимальный импульсный прямой ток (IFP) достигает 1200 мА, применимый только при указанных импульсных условиях с длительностью импульса ≤100 мкс и коэффициентом заполнения ≤1/10. Максимальная допустимая рассеиваемая мощность (PD) составляет 1,8 Вт, а обратное напряжение (VR) ограничено максимум 5 В для предотвращения обратного пробоя. Компонент предназначен для работы в диапазоне рабочих температур (Topr) от -40°C до +85°C, с идентичным диапазоном температур хранения (Tstg) для долговременного хранения. Максимальная температура перехода (Tj) указана как 115°C, что критически важно для теплового управления. Важно отметить, что превышение любого из этих номинальных параметров может привести к отклонению характеристик светодиода от указанных значений, и необходимо строго следить за тем, чтобы рассеиваемая мощность не превышала абсолютный максимальный рейтинг продукта. Все измерения проводились в стандартизированной тестовой среде Richled LED.

При стандартных условиях испытаний при температуре окружающей среды (Ta) 25°C, относительной влажности (RH) 60% и прямом токе (IF) 700 мА этот светодиодный компонент разделен на три системы сортировки для точного соответствия характеристик. По радиационной мощности продукт разделен на три ранга: код PF0 предлагает минимум 600 мВт и максимум 650 мВт, код PF5 варьируется от 650 мВт до 700 мВт, а код PG0 обеспечивает от 700 мВт до 750 мВт радиационной мощности. По сортировке прямого напряжения доступны три ранга: код BA2 имеет диапазон прямого напряжения от 1,2 В до 1,4 В, код BA4 охватывает от 1,4 В до 1,6 В, а код BA6 покрывает от 1,6 В до 1,8 В, что соответствует спецификациям прямого напряжения компонента. По пиковой длине волны определены два ранга: код 84F имеет пиковую длину волны от 845 нм до 850 нм, а код 85E предлагает диапазон пиковой длины волны от 850 нм до 855 нм, обеспечивая стабильную спектральную характеристику для инфракрасных приложений. Эти коды сортировки позволяют клиентам выбирать компоненты с точно контролируемыми оптическими и электрическими характеристиками, адаптированными к их конкретным требованиям к дизайну.

Теги:

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Подробная информация о продукции

L35I-85011C1B 2W Высокомощный керамический 3535 ИК-светодиод 850 нм 600-750 мВт излучаемой мощности Высокая эффективность

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI