제품 세부 정보

집 제품

엘이디 조명등 비즈

L35I-85011C1B 2W 고출력 세라믹 3535 IR LED 850nm 600-750mW 복사 전력 고효율

모든 범주

고성능 LED 칩

문의하기

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

지금 접촉하세요

모든 범주

L35I-85011C1B 2W 고출력 세라믹 3535 IR LED 850nm 600-750mW 복사 전력 고효율

브랜드 이름:	Richled
모델 번호:	L35I-85011C1B
MOQ:	500PCS
포장 세부사항:	500PCS/암초
지불 조건:	티/티

상세 정보

제품 설명

상세 정보

원래 장소:

L35I-85011C1B

패키지 유형:

3535 고전력 세라믹 패키지

피크 파장:

845~855nm

순방향 전압:

1.2~1.8V

7.5℃/W

순방향 전류:

1000 마

작동 온도:

- 40~+85 Ｃ

500개/릴

공급 능력:

10000000

강조하다:

L35I-85011C1B

850nm IR LED

2W 고출력 IR LED

제품 설명

L35I‐85011C1B 2W 고전력 세라믹 3535 IR LED, 850nm 600~750mW 복사 전력 고효율

고전력 세라믹 3535 2W IR

설명

•이 표면 장착 LED 크기는 표준 패키지입니다: 3.45x3.45x4.00mm.

•L35I 시리즈는 높은 전류 작동 능력을 가진 높은 흐름 출력 애플리케이션을 위해 설계되었습니다

특징 과 이점

• 높은 전류 작동을 위해 설계

• 열 저항 이 낮다

• 경식 에 대한 뛰어난 견고성

• 고효율의 고효율은

시스템 수준에서 부채 lm/W

• 50%I의 시야 각도v30°

• 뤼멘 유지보수:IESNA에 따른 테스트 결과

LM-80 사용 가능

• RoHS 인증

신청서

• 시각 검사

• 의료 장비

• 자동차 의 야간 시력

• 보안 감시

• 식별

• 감시 시스템

• 스캔

앞으로 전류 IF = 700mA, 주변 온도 Ta = 25°C, 상대 습도 RH60%의 시험 조건에서 이 LED 부품은 다음과 같은 전기 열 성능 매개 변수를 나타냅니다.전압 (VF) 은 최소 1.2V에서 최대 1.8V까지 ±0.1V의 허용으로 작동 중 안정적인 출력 전압을 보장합니다. 역전류 (IR) 는 5V의 역전압 VR에서 최대 10μA로 제어됩니다.역 누출을 효과적으로 방지합니다.전형적인 관측 각 (2θ1/2) 는 빛의 강도가 최고 강도의 절반에 도달하는 축 밖의 각로 정의되며, 집중된 빛 출력을 제공하는 30°입니다.접합-열매 열 저항 (Rth j-sp) 은 일반적으로 7.5°C/W, 효율적인 열 분산과 안정적인 장기 작동을 가능하게 합니다. 또한, 부품은 2000V의 전전 정적 방출 (ESD) 저항 전압을 갖추고 있습니다.실용적인 응용 프로그램에서 전자기 손상으로부터 강력한 보호를 제공합니다..

25°C의 주변 온도 (Ta) 와 60%의 상대 습도의 표준 시험 조건에서이 LED 부품의 절대 최대 등급은 다음과 같이 정의되어 있으며, 안정적이고 안전한 작동을 보장합니다.: 최대 연속 전류 (IF) 는 1000mA이며 최대 펄스 전류 (IFP) 는 1200mA입니다.정해진 펄스 조건에서 펄스 너비 ≤100μs 및 작업 주기가 ≤1/10일 경우에만 적용됩니다.최대 허용되는 전력 소모 (PD) 는 1.8W이며 역전압 (VR) 은 역 고장을 방지하기 위해 최대 5V로 제한됩니다.부품은 -40°C에서 +85°C의 작동 온도 (Topr) 범위 내에서 작동하도록 설계되었습니다., 장기 저장에 동일한 저장 온도 (Tstg) 범위. 최대 접점 온도 (Tj) 는 열 관리를 위해 중요한 115 °C로 지정됩니다.이 등급 매개 변수 중 하나를 초과하면 LED의 성능이 지정된 값에서 벗어날 수 있다는 점에 유의해야합니다., 그리고 전력 소모가 제품의 절대 최대 등급을 초과하지 않도록 엄격한 주의가 필요합니다.모든 측정은 리치드 LED의 표준화된 테스트 환경에서 수행되었습니다..

25°C의 주변 온도 (Ta), 60%의 상대 습도 (RH), 700mA의 전류 (IF) 의 표준 시험 조건에서이 LED 구성 요소는 정확한 성능 일치를 위해 세 가지 등급 시스템에 분류됩니다.방사능 전력에서 제품은 세 단계로 나뉘어 있습니다. PF0 코드는 최소 600mW와 최대 650mW를 제공합니다. PF5 코드는 650mW에서 700mW까지 있습니다.그리고 코드 PG0는 700mW에서 750mW의 방사능 전력을 제공합니다.전압등급의 경우 세 가지 순위를 사용할 수 있습니다: 코드 BA2는 전압 범위 1.2V에서 1.4V, 코드 BA4는 1.4V에서 1.6V까지, 코드 BA6는 1.6V에서 1.8V까지,부품의 전압 사양에 맞춰피크 파장에는 두 개의 순위가 정의됩니다: 코드 84F는 845nm에서 850nm 사이의 피크 파장을 특징으로하며 코드 85E는 850nm에서 855nm의 피크 파장 범위를 제공합니다.적외선 애플리케이션에 대한 일관된 스펙트럼 성능을 보장합니다.이 배닝 코드는 고객이 자신의 특정 설계 요구 사항에 맞게 엄격하게 제어 된 광학 및 전기적 특성을 가진 구성 요소를 선택할 수 있습니다.

태그:

오스람 LED 칩

크리사람은 칩을 이끌었습니다

ST IC 칩

TI 칩

브리지룩스 LED 칩

인피니언 칩

루미너스 LED 칩

엘이디 조명등 비즈

삼성 IC 칩

마이크론 칩

SK 하이닉스 칩

LumiLEDs LED 칩

삼성 LED 칩

서울 LED 칩

니치아 LED 칩

넥스페리아 칩

반 칩

ADI 칩

TSLC 세미레즈 LED 램프 비드

고성능 LED 칩

오스람 LED 칩

크리사람은 칩을 이끌었습니다

ST IC 칩

TI 칩

브리지룩스 LED 칩

인피니언 칩

루미너스 LED 칩

엘이디 조명등 비즈

삼성 IC 칩

마이크론 칩

SK 하이닉스 칩

LumiLEDs LED 칩

삼성 LED 칩

서울 LED 칩

니치아 LED 칩

넥스페리아 칩

반 칩

ADI 칩

TSLC 세미레즈 LED 램프 비드

고성능 LED 칩

제품 세부 정보

L35I-85011C1B 2W 고출력 세라믹 3535 IR LED 850nm 600-750mW 복사 전력 고효율

오스람 LED 칩

크리사람은 칩을 이끌었습니다

ST IC 칩

TI 칩

브리지룩스 LED 칩

인피니언 칩

루미너스 LED 칩

엘이디 조명등 비즈

삼성 IC 칩

마이크론 칩

SK 하이닉스 칩

LumiLEDs LED 칩

삼성 LED 칩

서울 LED 칩

니치아 LED 칩

넥스페리아 칩

반 칩

ADI 칩

TSLC 세미레즈 LED 램프 비드

고성능 LED 칩

오스람 LED 칩

크리사람은 칩을 이끌었습니다

ST IC 칩

TI 칩

브리지룩스 LED 칩

인피니언 칩

루미너스 LED 칩

엘이디 조명등 비즈

삼성 IC 칩

마이크론 칩

SK 하이닉스 칩

LumiLEDs LED 칩

삼성 LED 칩

서울 LED 칩

니치아 LED 칩

넥스페리아 칩

반 칩

ADI 칩