รายละเอียดสินค้า

บ้าน สินค้า

ชิป TI

BUF634AIDDAR TI ชิป BUF634A 36-V 210-MHz 250-mA เอาต์พุตบัฟเฟอร์ความเร็วสูง

ประเภททั้งหมด

ชิป LED พลังงานสูง

ติดต่อเรา

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

ติดต่อตอนนี้

ประเภททั้งหมด

BUF634AIDDAR TI ชิป BUF634A 36-V 210-MHz 250-mA เอาต์พุตบัฟเฟอร์ความเร็วสูง

ชื่อแบรนด์:	TI Chips
หมายเลขรุ่น:	BUF634AIDDAR
ขั้นต่ำ:	2000
รายละเอียดบรรจุภัณฑ์:	2500 ชิ้น/รีล
เงื่อนไขการชำระเงิน:	ที/ที

ข้อมูลรายละเอียด

รายละเอียดสินค้า

ข้อมูลรายละเอียด

สถานที่กำเนิด:

เอกสาร:

แบบอย่าง:

BUF634AIDDAR

ชื่อสินค้า:

ชิป TI

พิมพ์:

เอสเอ็มดี/เอสเอ็มที

อัตราการฆ่า:

3.75 กิโลโวลต์/เรา

กระแสไฟในการทำงาน:

1.5 Ma

การห่อหุ้ม:

สามารถในการผลิต:

1000000

เน้น:

BUF634AIDDAR

BUF634AIDDAR TI ชิป

บัฟเฟอร์ความเร็ว 36V

รายละเอียดสินค้า

TI Chips BUF634AIDDAR BUF634A 36-V, 210-MHz, 250-mA Output, High-Speed Buffer

คุณสมบัติ

• แบนด์วิดท์ที่เลือกด้วยพิน: 35 MHz ถึง 210 MHz

• กระแสเอาต์พุตสูง: 250 mA

• อัตราการสลู: 3750 V/µs

• กระแสไฟฟ้าสแตนด์บายต่ำ: 1.5 mA (แบนด์วิดท์ 35 MHz)

• ช่วงแรงดันไฟฟ้ากว้าง: ±2.25 V ถึง ±18 V

• ขีดจำกัดกระแสเอาต์พุตภายใน

• การป้องกันการปิดระบบด้วยความร้อน

• มีในแพ็คเกจพร้อมแผ่นระบายความร้อน

• การทำงานที่อุณหภูมิขยาย:

–40°C ถึง +125°C

การใช้งาน

• หน่วยความจำ, เครื่องทดสอบสารกึ่งตัวนำ

• อุปกรณ์ทดสอบ

• ไดรเวอร์หูฟัง

• ระบบควบคุมการบิน

• ไดรเวอร์โหลดแบบคาปาซิทีฟ

• ไดรเวอร์วาล์ว, ไดรเวอร์โซลินอยด์

• ไดรเวอร์สายส่ง

คำอธิบาย

อุปกรณ์ BUF634A เป็นบัฟเฟอร์แบบวงจรเปิดประสิทธิภาพสูง

ความเที่ยงตรงสูงที่สามารถขับกระแสเอาต์พุตได้ 250

mA อุปกรณ์ BUF634A เป็นอุปกรณ์ 36-V

พร้อมแบนด์วิดท์ที่ปรับได้ตั้งแต่ 35 MHz ถึง 210 MHz

ซึ่งทำได้โดยการเปลี่ยนค่าตัวต้านทานภายนอกระหว่างพิน V– และ BW

อุปกรณ์ BUF634A สามารถใช้เป็นไดรเวอร์แบบวงจรเปิด

แบบสแตนด์อโลน หรือใช้ภายในลูปป้อนกลับของ

ออปแอมป์ความแม่นยำสูง เพื่อให้ได้ทั้งความแม่นยำสูงและ

ความสามารถในการขับกระแสเอาต์พุตขนาดใหญ่พร้อมการปรับปรุงการขับโหลดแบบคาปาซิทีฟ

สำหรับการใช้งานที่ใช้พลังงานต่ำ อุปกรณ์ BUF634A

ทำงานด้วยกระแสไฟฟ้าสแตนด์บาย 1.5 mA พร้อมเอาต์พุต 250

mA, อัตราการสลู 3750 V/µs และแบนด์วิดท์ 35 MHz

อุปกรณ์ใช้กระแสไฟฟ้าสแตนด์บาย 8.5 mA ในโหมดแบนด์วิดท์กว้างพร้อมแบนด์วิดท์ 210 MHz

อุปกรณ์ BUF634A ได้รับการป้องกันอย่างสมบูรณ์โดย

การจำกัดกระแสภายในในขั้นตอนเอาต์พุตและโดยการปิดระบบด้วยความร้อน

ทำให้อุปกรณ์มีความทนทานและใช้งานง่าย

อุปกรณ์ BUF634A ได้รับการจัดอันดับให้ทำงานในช่วง

อุณหภูมิอุตสาหกรรมขยายตั้งแต่ –40°C ถึง

+125°C อุปกรณ์ BUF634A มีให้เลือกสามแพ็คเกจ: D

(SOIC), DRB (VSON) และ DDA (HSOIC) แพ็คเกจ DRB

(VSON) และ DDA (HSOIC) มีประสิทธิภาพทางความร้อนที่ยอดเยี่ยม

อันเป็นผลมาจากแผ่นระบายความร้อนที่ด้านล่าง แพ็คเกจ DRB

มาในฟอร์มแฟกเตอร์ขนาดเล็กมาก 3.0 มม. × 3.0 มม. ทำให้

อุปกรณ์เป็นตัวเลือกที่เหมาะสมมากสำหรับการใช้งานแบบพกพาและที่จำกัดขนาด

แท็ก:

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI

TSLC Semileds หลอดไฟ LED

ชิป LED พลังงานสูง

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI

TSLC Semileds หลอดไฟ LED

ชิป LED พลังงานสูง

รายละเอียดสินค้า

BUF634AIDDAR TI ชิป BUF634A 36-V 210-MHz 250-mA เอาต์พุตบัฟเฟอร์ความเร็วสูง

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI

TSLC Semileds หลอดไฟ LED

ชิป LED พลังงานสูง

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI