รายละเอียดสินค้า

บ้าน สินค้า

ชิป TI

TLV3012AQDCKRQ1 ชิป TI TLV3011-Q1 TLV3012-Q1 TLV3011B-Q1 และ TLV3012B-Q1 เครื่องเปรียบเทียบพลังงานต่ํา

ประเภททั้งหมด

ชิป LED พลังงานสูง

ติดต่อเรา

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

ติดต่อตอนนี้

ประเภททั้งหมด

TLV3012AQDCKRQ1 ชิป TI TLV3011-Q1 TLV3012-Q1 TLV3011B-Q1 และ TLV3012B-Q1 เครื่องเปรียบเทียบพลังงานต่ํา

ชื่อแบรนด์:	TI Chips
หมายเลขรุ่น:	TLV3012AQDCKRQ1
ขั้นต่ำ:	3000
รายละเอียดบรรจุภัณฑ์:	3000 ชิ้น/รีล
เงื่อนไขการชำระเงิน:	ที/ที

ข้อมูลรายละเอียด

รายละเอียดสินค้า

ข้อมูลรายละเอียด

สถานที่กำเนิด:

เอกสาร:

แบบอย่าง:

TLV3012AQDCKRQ1

ชื่อสินค้า:

ชิป TI

พิมพ์:

เอสเอ็มดี/เอสเอ็มที

กระแสไฟในการทำงาน:

5 ยูเอ

การห่อหุ้ม:

อุณหภูมิในการทำงาน:

- 40 องศาเซลเซียส ~ + 125 องศาเซลเซียส

สามารถในการผลิต:

1000000

เน้น:

TLV3012AQDCKRQ1

ชิป TI TLV3012AQDCKRQ1

เครื่องเปรียบเทียบพลังงานพลังงานต่ํา

รายละเอียดสินค้า

TI Chips TLV3012AQDCKRQ1 TLV3011-Q1, TLV3012-Q1, TLV3011B-Q1 และ TLV3012B-Q1 ตัวเปรียบเทียบพลังงานต่ำ

คุณสมบัติ

• ผ่านการรับรองสำหรับการใช้งานยานยนต์

• ผ่านการรับรอง AEC-Q100 พร้อมผลลัพธ์ดังนี้:

– เกรดอุณหภูมิอุปกรณ์ 1: –40°C ถึง +125°C

ช่วงอุณหภูมิการทำงานของสภาพแวดล้อม

– ระดับการจำแนก HBM ESD ของอุปกรณ์ 2

– ระดับการจำแนก CDM ESD ของอุปกรณ์ C3

• กระแสไฟนิ่งต่ำ: 3.1μA (สูงสุด, "B"

เวอร์ชัน)

• ตัวอ้างอิงแรงดันไฟฟ้าในตัว: 1.242V

• ช่วงโหมดร่วมอินพุต: 200mV เกินราง

• ความแม่นยำเริ่มต้นของตัวอ้างอิงแรงดันไฟฟ้า: 1.5%

• การทำงานแบบฮิสเทรีซิสในตัว: 6mV (ทั่วไป)

• อินพุตที่ปลอดภัยต่อความล้มเหลว ("B" เวอร์ชัน)

• การรีเซ็ตเมื่อเปิดเครื่อง ("B" เวอร์ชัน)

• ตัวเลือกเอาต์พุตแบบเปิดระบาย (TLV3011x-Q1)

• ตัวเลือกเอาต์พุตแบบพุชพูล (TLV3012x-Q1)

• เวลาตอบสนองเร็ว: 2µS ("B" เวอร์ชัน)

• แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายต่ำ = 1.65V ถึง 5.5V ("B" เวอร์ชัน)

แอปพลิเคชัน

• การเตือนการออกนอกเลน

• คลัสเตอร์

• ป้ายเก็บค่าผ่านทาง

• การติดตามทรัพย์สิน

• ระบบจัดการแบตเตอรี่

คำอธิบาย

TLV3011-Q1 เป็นเอาต์พุตแบบเปิดระบายที่มีกำลังไฟต่ำ

ตัวเปรียบเทียบ; TLV3012-Q1 เป็นเอาต์พุตแบบพุชพูล

ตัวเปรียบเทียบ อุปกรณ์ทั้งสองมีคุณสมบัติของตัวอ้างอิงแรงดันไฟฟ้าบนชิปที่ไม่ได้ผูกมัด และมีกระแสไฟนิ่งสูงสุด 5μA

กระแสไฟนิ่งสูงสุด 5μA, ช่วงโหมดร่วมอินพุต

200mV เกินรางแหล่งจ่าย และการทำงานด้วยแหล่งจ่ายเดี่ยว

ตั้งแต่ 1.8V ถึง 5.5V ตัวอ้างอิงแรงดันไฟฟ้าแบบอนุกรม 1.242V ในตัว

ให้ค่าดริฟท์ต่ำ 100ppm/°C (สูงสุด) มีเสถียรภาพด้วยโหลดตัวเก็บประจุสูงสุด 10nF

และสามารถให้กระแสเอาต์พุตได้สูงสุด 0.5mA (ทั่วไป)

TLV3011B-Q1 และ TLV3012B-Q1 "B" เวอร์ชัน

เพิ่มการรีเซ็ตเมื่อเปิดเครื่อง (POR), อินพุตที่ปลอดภัยต่อความล้มเหลว, แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายขั้นต่ำที่ต่ำลง 1.65V และกระแสไฟนิ่งสูงสุด 3.1μA

กระแสไฟนิ่งสูงสุด 3.1μA

ตระกูลนี้มีให้เลือกทั้งในแพ็คเกจ SOT23-6 ขนาดเล็ก

สำหรับดีไซน์ที่ต้องการพื้นที่น้อย และในแพ็คเกจ SC-70

เพื่อประหยัดพื้นที่บอร์ดมากยิ่งขึ้น

ทุกเวอร์ชันระบุสำหรับช่วงอุณหภูมิของ

–40°C ถึง +125°C

แท็ก:

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI

TSLC Semileds หลอดไฟ LED

ชิป LED พลังงานสูง

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI

TSLC Semileds หลอดไฟ LED

ชิป LED พลังงานสูง

รายละเอียดสินค้า

TLV3012AQDCKRQ1 ชิป TI TLV3011-Q1 TLV3012-Q1 TLV3011B-Q1 และ TLV3012B-Q1 เครื่องเปรียบเทียบพลังงานต่ํา

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI

TSLC Semileds หลอดไฟ LED

ชิป LED พลังงานสูง

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI