logo
Καλή τιμή  Διαδικτυακά

λεπτομέρειες προϊόντων

Created with Pixso. Σπίτι Created with Pixso. Προϊόντα Created with Pixso.
Τσιπ TI
Created with Pixso.

TLV3012AQDCKRQ1 TI Chips TLV3011-Q1 TLV3012-Q1 TLV3011B-Q1 και TLV3012B-Q1 Συγκριτές Χαμηλής Ισχύος

TLV3012AQDCKRQ1 TI Chips TLV3011-Q1 TLV3012-Q1 TLV3011B-Q1 και TLV3012B-Q1 Συγκριτές Χαμηλής Ισχύος

Επωνυμία: TI Chips
Αριθμός μοντέλου: TLV3012AQDCKRQ1
MOQ: 3000
Λεπτομέρειες συσκευασίας: 3000 τμχ/Μολί
Όροι πληρωμής: T/T
Λεπτομέρειες
Τόπος καταγωγής:
Κίνα
Έγγραφο:
μοντέλο:
TLV3012AQDCKRQ1
Όνομα προϊόντος:
Τσιπ TI
Τύπος:
SMD/SMT
Ρεύμα τροφοδοσίας λειτουργίας:
5 uA
Ενθυλάκωση:
Καρούλι
Θερμοκρασία λειτουργίας:
- 40 °C ~ + 125 °C
Δυνατότητα προσφοράς:
1000000
Επισημαίνω:

TLV3012AQDCKRQ1

,

TLV3012AQDCKRQ1 TI Chips

,

Συγκριτές Χαμηλής Ισχύος

Περιγραφή προϊόντος

Συγκριτές χαμηλής ισχύος TI Chips TLV3012AQDCKRQ1 TLV3011-Q1, TLV3012-Q1, TLV3011B-Q1 και TLV3012B-Q1


Χαρακτηριστικά
• Πιστοποιημένο για εφαρμογές αυτοκινήτων
• Πιστοποιημένο κατά AEC-Q100 με τα ακόλουθα αποτελέσματα:
– Βαθμίδα θερμοκρασίας συσκευής 1: –40°C έως +125°C
εύρος θερμοκρασίας περιβάλλοντος λειτουργίας
– Επίπεδο ταξινόμησης HBM ESD συσκευής 2
– Επίπεδο ταξινόμησης CDM ESD συσκευής C3
• Χαμηλό ρεύμα ηρεμίας: 3,1μA (μέγιστο, έκδοση "B")
έκδοση)
• Ενσωματωμένη πηγή τάσης αναφοράς: 1,242V
• Εύρος κοινού τρόπου εισόδου: 200mV πέραν των ορίων
• Ακρίβεια αρχικής τάσης αναφοράς: 1,5%
• Ενσωματωμένη υστέρηση: 6mV (τυπικό)
• Είσοδοι ασφαλούς λειτουργίας (έκδοση "B")
• Επαναφορά κατά την ενεργοποίηση ("B" έκδοση)
• Επιλογή εξόδου ανοιχτού συλλέκτη (TLV3011x-Q1)
• Επιλογή εξόδου push-pull (TLV3012x-Q1)
• Γρήγορος χρόνος απόκρισης: 2µS (έκδοση "B")
• Χαμηλή τάση τροφοδοσίας = 1,65V έως 5,5V ("B" έκδοση)

Εφαρμογές 
• Προειδοποίηση αποχώρησης από τη λωρίδα
• Συστάδα
• Διόδια σήραγγας
• Παρακολούθηση περιουσιακών στοιχείων
• Συστήματα διαχείρισης μπαταριών

Περιγραφή
Το TLV3011-Q1 είναι ένας συγκριτής χαμηλής ισχύος με έξοδο ανοιχτού συλλέκτη
συγκριτής. Και οι δύο συσκευές διαθέτουν μη δεσμευμένη ενσωματωμένη
πηγή τάσης αναφοράς και έχουν ρεύμα ηρεμίας 5μA (μέγιστο), εύρος κοινού τρόπου εισόδου
200mV πέραν των ακροδεκτών τροφοδοσίας και λειτουργία μονού τροφοδοτικού
από 1,8V έως 5,5V. Η ενσωματωμένη πηγή τάσης αναφοράς σειράς 1,242V
προσφέρει χαμηλή μετατόπιση 100ppm/°C (μέγιστο), είναι σταθερή με χωρητικό φορτίο
έως 10nF και μπορεί να παρέχει έως 0,5mA (τυπικό) ρεύματος εξόδου.
Οι εκδόσεις TLV3011B-Q1 και TLV3012B-Q1 "B"
προσθέτουν επαναφορά κατά την ενεργοποίηση (POR), εισόδους ασφαλούς λειτουργίας, χαμηλότερη
ελάχιστη τάση τροφοδοσίας 1,65V και μέγιστο ρεύμα ηρεμίας 3,1μA.
Η οικογένεια διατίθεται τόσο στη μικροσκοπική συσκευασία SOT23-6
για σχεδιασμούς που απαιτούν εξοικονόμηση χώρου, όσο και στη
συσκευασία SC-70 για ακόμη μεγαλύτερη εξοικονόμηση επιφάνειας πλακέτας.
Όλες οι εκδόσεις έχουν προδιαγραφές για το εύρος θερμοκρασίας
–40°C έως +125°C.
TLV3012AQDCKRQ1 TI Chips TLV3011-Q1 TLV3012-Q1 TLV3011B-Q1 και TLV3012B-Q1 Συγκριτές Χαμηλής Ισχύος

TLV3012AQDCKRQ1 TI Chips TLV3011-Q1 TLV3012-Q1 TLV3011B-Q1 και TLV3012B-Q1 Συγκριτές Χαμηλής Ισχύος

TLV3012AQDCKRQ1 TI Chips TLV3011-Q1 TLV3012-Q1 TLV3011B-Q1 και TLV3012B-Q1 Συγκριτές Χαμηλής Ισχύος