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제품 세부 정보

Created with Pixso. 집 Created with Pixso. 제품 Created with Pixso.
TI 칩
Created with Pixso.

TLV3012AQDCKRQ1 TI 칩 TLV3011-Q1 TLV3012-Q1 TLV3011B-Q1 및 TLV3012B-Q1 저전력 비교기

TLV3012AQDCKRQ1 TI 칩 TLV3011-Q1 TLV3012-Q1 TLV3011B-Q1 및 TLV3012B-Q1 저전력 비교기

브랜드 이름: TI Chips
모델 번호: TLV3012AQDCKRQ1
MOQ: 3000
포장 세부사항: 3000pcs/릴
지불 조건: 티/티
상세 정보
원래 장소:
중국
문서:
모델:
TLV3012AQDCKRQ1
제품명:
TI 칩
유형:
SMD/SMT
작동 전원 전류:
5uA
캡슐화:
릴
작동 온도:
- 40°C ~ + 125°C
공급 능력:
1000000
강조하다:

TLV3012AQDCKRQ1

,

TLV3012AQDCKRQ1 TI 칩

,

저전력 비교기

제품 설명

TI 칩 TLV3011-Q1, TLV3012-Q1, TLV3011B-Q1 및 TLV3012B-Q1 저전력 비교기


기능
자동차 애플리케이션에 대한 자격
다음 결과로 AEC-Q100 자격 획득:
장치 온도 등급 1: –40°C ~ +125°C
주변 작동 온도 범위
장치 HBM ESD 분류 레벨 2
장치 CDM ESD 분류 레벨 C3
낮은 대기 전류: 3.1μA(최대, "B"
버전)
통합 전압 레퍼런스: 1.242V
입력 공통 모드 범위: 레일 너머 200mV
전압 레퍼런스 초기 정확도: 1.5%
내장 히스테리시스: 6mV(일반)
안전 실패 입력("B" 버전)
전원 켜기 재설정("B" 버전)
개방 드레인 출력 옵션(TLV3011x-Q1)
푸시풀 출력 옵션(TLV3012x-Q1)
빠른 응답 시간: 2μS("B" 버전)
낮은 공급 전압 = 1.65V ~ 5.5V("B" 버전)

애플리케이션 
차선 이탈 경고
클러스터
통행료 태그
자산 추적
배터리 관리 시스템

설명
TLV3011-Q1은 저전력 개방 드레인 출력
비교기이며, TLV3012-Q1은 푸시풀 출력
비교기입니다. 두 장치 모두 통합되지 않은
온칩 전압 레퍼런스를 특징으로 하며 5μA(최대)
대기 전류, 공급 레일 너머 200mV의 입력 공통 모드 범위
및 1.8V ~ 5.5V의 단일 공급 작동을 제공합니다. 통합된 1.242V
직렬 전압 레퍼런스는 낮은 100ppm/°C
(최대) 드리프트를 제공하며 최대 10nF의 용량성
부하에 안정적이며 최대 0.5mA(일반)의 출력
전류를 제공할 수 있습니다.
TLV3011B-Q1 및 TLV3012B-Q1 "B" 버전은
전원 켜기 재설정(POR), 안전 실패 입력, 낮은
최소 공급 전압 1.65V 및 3.1μA
최대 대기 전류를 추가합니다.
이 제품군은 공간 절약 설계를 위한 작은 SOT23-6
패키지와 더 큰 보드 공간 절약을 위한 SC-70
패키지로 제공됩니다.
모든 버전은 –40°C ~ +125°C의 온도 범위에 대해 사양됩니다.
TLV3012AQDCKRQ1 TI 칩 TLV3011-Q1 TLV3012-Q1 TLV3011B-Q1 및 TLV3012B-Q1 저전력 비교기

TLV3012AQDCKRQ1 TI 칩 TLV3011-Q1 TLV3012-Q1 TLV3011B-Q1 및 TLV3012B-Q1 저전력 비교기

TLV3012AQDCKRQ1 TI 칩 TLV3011-Q1 TLV3012-Q1 TLV3011B-Q1 및 TLV3012B-Q1 저전력 비교기