logo
Giá tốt  Trực tuyến

chi tiết sản phẩm

Created with Pixso. Nhà Created with Pixso. Các sản phẩm Created with Pixso.
chip TI
Created with Pixso.

TLV3012AQDCKRQ1 TI Chips TLV3011-Q1 TLV3012-Q1 TLV3011B-Q1 và TLV3012B-Q1 Bộ So sánh Công suất Thấp

TLV3012AQDCKRQ1 TI Chips TLV3011-Q1 TLV3012-Q1 TLV3011B-Q1 và TLV3012B-Q1 Bộ So sánh Công suất Thấp

Tên thương hiệu: TI Chips
Số mô hình: TLV3012AQDCKRQ1
MOQ: 3000
Chi tiết đóng gói: 3000 chiếc/cuộn
Điều khoản thanh toán: T/T
Thông tin chi tiết
Nguồn gốc:
Trung Quốc
Tài liệu:
người mẫu:
TLV3012AQDCKRQ1
Tên sản phẩm:
chip TI
Kiểu:
SMD/SMT
Nguồn điện hoạt động hiện tại:
5uA
Đóng gói:
cuộn
Nhiệt độ hoạt động:
- 40°C ~ + 125°C
Khả năng cung cấp:
1000000
Làm nổi bật:

TLV3012AQDCKRQ1

,

TLV3012AQDCKRQ1 TI Chips

,

Bộ So sánh Công suất Thấp

Mô tả sản phẩm

Bộ so sánh công suất thấp TI Chips TLV3012AQDCKRQ1 TLV3011-Q1, TLV3012-Q1, TLV3011B-Q1 và TLV3012B-Q1


Tính năng
• Đủ điều kiện cho các ứng dụng ô tô
• Đủ điều kiện AEC-Q100 với các kết quả sau:
– Cấp nhiệt độ thiết bị 1: –40°C đến +125°C
phạm vi nhiệt độ hoạt động môi trường xung quanh
– Cấp độ phân loại ESD HBM thiết bị 2
– Cấp độ phân loại ESD CDM thiết bị C3
• Dòng điện không tải thấp: 3,1 μA (tối đa, phiên bản "B")
phiên bản
• Tích hợp bộ tham chiếu điện áp: 1,242V
• Dải chế độ chung đầu vào: 200mV vượt quá giới hạn
• Độ chính xác ban đầu của bộ tham chiếu điện áp: 1,5%
• Hysteresis tích hợp: 6mV (điển hình)
• Đầu vào an toàn khi lỗi (phiên bản "B")
• Đặt lại khi bật nguồn (phiên bản "B")
• Tùy chọn đầu ra cực thu hở (TLV3011x-Q1)
• Tùy chọn đầu ra đẩy-kéo (TLV3012x-Q1)
• Thời gian phản hồi nhanh: 2 µS (phiên bản "B")
• Điện áp nguồn thấp = 1,65V đến 5,5V (phiên bản "B")

Ứng dụng 
• Cảnh báo lệch làn đường
• Cụm
• Thẻ thu phí
• Theo dõi tài sản
• Hệ thống quản lý pin

Mô tả
TLV3011-Q1 là một bộ so sánh đầu ra cực thu hở, công suất thấp
bộ so sánh; TLV3012-Q1 là một bộ so sánh đầu ra đẩy-kéo.
cả hai thiết bị đều có bộ tham chiếu điện áp trên chip chưa được kết nối và có dòng điện không tải tối đa 5 μA,
dải chế độ chung đầu vào 200mV vượt quá giới hạn nguồn và hoạt động
nguồn đơn từ 1,8V đến 5,5V. Bộ tham chiếu điện áp nối tiếp 1,242V tích hợp
cung cấp độ trôi thấp 100ppm/°C (tối đa), ổn định với tải điện dung lên đến 10nF
và có thể cung cấp dòng điện đầu ra lên đến 0,5mA (điển hình).
Các phiên bản TLV3011B-Q1 và TLV3012B-Q1 "B"
thêm tính năng đặt lại khi bật nguồn (POR), đầu vào an toàn khi lỗi, điện áp nguồn tối thiểu thấp hơn là 1,65V và dòng điện không tải tối đa 3,1 μA.
Dòng sản phẩm có sẵn trong cả gói SOT23-6 nhỏ gọn
cho các thiết kế tiết kiệm không gian và trong gói SC-70 để tiết kiệm diện tích bo mạch hơn nữa.
Tất cả các phiên bản đều được chỉ định cho phạm vi nhiệt độ từ –40°C đến +125°C.
TLV3012AQDCKRQ1 TI Chips TLV3011-Q1 TLV3012-Q1 TLV3011B-Q1 và TLV3012B-Q1 Bộ So sánh Công suất Thấp

TLV3012AQDCKRQ1 TI Chips TLV3011-Q1 TLV3012-Q1 TLV3011B-Q1 và TLV3012B-Q1 Bộ So sánh Công suất Thấp

TLV3012AQDCKRQ1 TI Chips TLV3011-Q1 TLV3012-Q1 TLV3011B-Q1 và TLV3012B-Q1 Bộ So sánh Công suất Thấp