تفاصيل المنتجات

المنزل المنتجات

رقائق تي آي

TLV3012AQDCKRQ1 رقائق TI TLV3011-Q1 TLV3012-Q1 TLV3011B-Q1 و TLV3012B-Q1 مقارنات منخفضة الطاقة

جميع الفئات

رقاقة LED عالية الطاقة

اتصل بنا

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

اتصل الآن

جميع الفئات

TLV3012AQDCKRQ1 رقائق TI TLV3011-Q1 TLV3012-Q1 TLV3011B-Q1 و TLV3012B-Q1 مقارنات منخفضة الطاقة

اسم العلامة التجارية:	TI Chips
رقم الموديل:	TLV3012AQDCKRQ1
موك:	3000
تفاصيل التغليف:	3000 قطعة/بكرة
شروط الدفع:	تي/تي

معلومات مفصلة

وصف المنتج

معلومات مفصلة

مكان المنشأ:

الصين

وثيقة:

نموذج:

TLV3012AQDCKRQ1

اسم المنتج:

رقائق تي آي

يكتب:

سمد/سمت

تشغيل التيار الكهربائي:

التغليف:

درجة حرارة التشغيل:

- 40 درجة مئوية ~ + 125 درجة مئوية

القدرة على العرض:

1000000

إبراز:

TLV3012AQDCKRQ1

TLV3012AQDCKRQ1 رقائق TI

مقارنات منخفضة الطاقة

وصف المنتج

شرائح TI TLV3011-Q1 و TLV3012-Q1 و TLV3011B-Q1 و TLV3012B-Q1 مقارنات منخفضة الطاقة

الميزات

مؤهل للتطبيقات السيارات

مؤهل AEC-Q100 بالنتائج التالية:

درجة حرارة الجهاز 1: نطاق درجة حرارة التشغيل المحيطة من -40 درجة مئوية إلى +125 درجة مئوية

نطاق درجة حرارة التشغيل المحيطة

مستوى تصنيف ESD لجهاز HBM 2

مستوى تصنيف ESD لجهاز CDM C3

تيار هادئ منخفض: 3.1 ميكرو أمبير (بحد أقصى، إصدار "B")

إصدار "B"

مرجع جهد مدمج: 1.242 فولت

نطاق وضع الإدخال المشترك: 200 مللي فولت أبعد من القضبان

دقة مرجع الجهد الأولية: 1.5%

تأخر مدمج: 6 مللي فولت (نموذجي)

مدخلات آمنة من الفشل (إصدار "B")

تشغيل عند التشغيل (إصدار "B")

خيار إخراج تصريف مفتوح (TLV3011x-Q1)

خيار إخراج دفع-سحب (TLV3012x-Q1)

وقت استجابة سريع: 2 ميكرو ثانية (إصدار "B")

جهد إمداد منخفض = 1.65 فولت إلى 5.5 فولت (إصدار "B")

التطبيقات

تحذير مغادرة المسار

المجموعة

علامة الرسوم

تتبع الأصول

أنظمة إدارة البطارية

الوصف

TLV3011-Q1 هو مقارن منخفض الطاقة بإخراج تصريف مفتوح؛ TLV3012-Q1 هو مقارن بإخراج دفع-سحب. يتميز كلا الجهازين بمرجع جهد غير مخصص على الشريحة ولديهما تيار هادئ بحد أقصى 5 ميكرو أمبير، ونطاق وضع إدخال مشترك 200 مللي فولت أبعد من قضبان الإمداد، وتشغيل أحادي الإمداد من 1.8 فولت إلى 5.5 فولت. يوفر مرجع الجهد المتسلسل المدمج 1.242 فولت انحرافًا منخفضًا يبلغ 100 جزء في المليون/درجة مئوية (بحد أقصى)، وهو مستقر مع حمل سعوي يصل إلى 10 نانوفاراد، ويمكن أن يوفر ما يصل إلى 0.5 مللي أمبير (نموذجي) من تيار الإخراج.

تضيف إصدارات TLV3011B-Q1 و TLV3012B-Q1 "B" تشغيل عند التشغيل (POR)، ومدخلات آمنة من الفشل، وجهد إمداد أدنى أقل يبلغ 1.65 فولت، وتيار هادئ أقصى يبلغ 3.1 ميكرو أمبير.

العائلة متاحة في كل من حزمة SOT23-6 الصغيرة لتصميمات تتطلب مساحة محدودة، وفي حزمة SC-70 لتوفير مساحة أكبر على اللوحة.

تم تحديد جميع الإصدارات لنطاق درجة الحرارة من -40 درجة مئوية إلى +125 درجة مئوية.

العلامات:

رقاقة أوسرام LED

رقاقة كري ليد

رقائق ST IC

رقائق تي آي

شريحة بريدجلوكس

رقاقة انفينيون

لومينوس LED رقاقة

حبات مصباح LED

رقائق سامسونج

رقائق ميكرون

رقائق إس كيه هاينكس

الشريحة LED

شريحة سامسونج LED

شريحة سيول LED

شريحة LED من نيتشيا

رقائق NeXperia

الشرائح

رقائق أدي

خرز مصباح LED TSLC Semileds

رقاقة LED عالية الطاقة

رقاقة أوسرام LED

رقاقة كري ليد

رقائق ST IC

رقائق تي آي

شريحة بريدجلوكس

رقاقة انفينيون

لومينوس LED رقاقة

حبات مصباح LED

رقائق سامسونج

رقائق ميكرون

رقائق إس كيه هاينكس

الشريحة LED

شريحة سامسونج LED

شريحة سيول LED

شريحة LED من نيتشيا

رقائق NeXperia

الشرائح

رقائق أدي

خرز مصباح LED TSLC Semileds

رقاقة LED عالية الطاقة

تفاصيل المنتجات

TLV3012AQDCKRQ1 رقائق TI TLV3011-Q1 TLV3012-Q1 TLV3011B-Q1 و TLV3012B-Q1 مقارنات منخفضة الطاقة

رقاقة أوسرام LED

رقاقة كري ليد

رقائق ST IC

رقائق تي آي

شريحة بريدجلوكس

رقاقة انفينيون

لومينوس LED رقاقة

حبات مصباح LED

رقائق سامسونج

رقائق ميكرون

رقائق إس كيه هاينكس

الشريحة LED

شريحة سامسونج LED

شريحة سيول LED

شريحة LED من نيتشيا

رقائق NeXperia

الشرائح

رقائق أدي

خرز مصباح LED TSLC Semileds

رقاقة LED عالية الطاقة

رقاقة أوسرام LED

رقاقة كري ليد

رقائق ST IC

رقائق تي آي

شريحة بريدجلوكس

رقاقة انفينيون

لومينوس LED رقاقة

حبات مصباح LED

رقائق سامسونج

رقائق ميكرون

رقائق إس كيه هاينكس

الشريحة LED

شريحة سامسونج LED

شريحة سيول LED

شريحة LED من نيتشيا

رقائق NeXperia

الشرائح

رقائق أدي