logo
Giá tốt  Trực tuyến

chi tiết sản phẩm

Created with Pixso. Nhà Created with Pixso. Các sản phẩm Created with Pixso.
Chip Infineon
Created with Pixso.

IPT007N06N Infineon Chip OptiMOS Power Transistor 60 V Điện trở nhiệt vượt trội

IPT007N06N Infineon Chip OptiMOS Power Transistor 60 V Điện trở nhiệt vượt trội

Tên thương hiệu: Infineon Chip
Số mô hình: IPT007N06N
MOQ: 2500
Chi tiết đóng gói: 2500 CÁI/cuộn
Điều khoản thanh toán: T/T
Thông tin chi tiết
Nguồn gốc:
Trung Quốc
người mẫu:
IPT007N06N
Tên sản phẩm:
Chip Infineon
Kiểu:
SMD/SMT
Dòng xả liên tục:
300 A
Nhiệt độ hoạt động:
- 55°C ~ +175°C
Tản điện:
375 W
Điện áp sự cố nguồn thoát nước:
60 V
Khả năng cung cấp:
100000
Làm nổi bật:

IPT007N06N

,

IPT007N06 Infineon Chip

,

Điện trở nhiệt vượt trội OptiMOS

Mô tả sản phẩm

Transistor công suất Infineon Chip IPT007N06N OptiMOSTMPower, điện áp 60 V, điện trở nhiệt vượt trội


Tính năng
100% đã kiểm tra avalanche 
Điện trở nhiệt vượt trội 
Kênh N 
Đạt tiêu chuẩn JEDEC1)  cho các ứng dụng mục tiêu 
Mạ chì không chì; tuân thủ RoHS 
Không chứa halogen theo IEC61249-2-21

Xác nhận sản phẩm
Đạt tiêu chuẩn JEDEC

Các thông số hiệu suất chính
IPT007N06N Infineon Chip OptiMOS Power Transistor 60 V Điện trở nhiệt vượt trội

Thông số định mức tối đa 
tại TA=25°C, trừ khi có quy định khác
IPT007N06N Infineon Chip OptiMOS Power Transistor 60 V Điện trở nhiệt vượt trội

Đặc tính nhiệt
IPT007N06N Infineon Chip OptiMOS Power Transistor 60 V Điện trở nhiệt vượt trội