Name: IPT007N06N Chip Infineon OptiMOS Transistor de potencia 60 V Resistencia térmica superior
Brand: Shenzhen Futeming Photoelectric Technology Co., Ltd.
SKU: IPT007N06N
Price: Negociable USD
Availability: InStock

Nombre De La Marca:	Infineon Chip
Número De Modelo:	IPT007N06N
Cantidad Mínima De Pedido:	2500
Detalles De Embalaje:	2500PCS/carrete
Condiciones De Pago:	T/T

Información detallada

Descripción del Producto

Información detallada

Lugar de origen:

China

Documento:

Infineon_IPT007N06N_DataShe...EN.pdf

modelo:

IPT007N06N

Nombre del producto:

Chip Infineon

Tipo:

SMD/SMT

Corriente continua del dren:

300 A

Temperatura de funcionamiento:

-55°C ~ +175°C

Disipación de energía:

375 W

Voltaje de avería de la Dren-fuente:

60 voltios

Capacidad de la fuente:

100000

Resaltar:

IPT007N06N

IPT007N06 Chip de Infineon

Resistencia térmica superior OptiMOS

Descripción del Producto

Infineon Chip IPT007N06N OptiMOSTMPower-Transistor, 60 V Resistencia térmica superior

Características

100% probado en avalancha

Resistencia térmica superior

Canal N

Calificado según JEDEC1) para aplicaciones objetivo

Recubrimiento de plomo libre de Pb; Cumple con RoHS

Libre de halógenos según IEC61249-2-21

Validación del producto

Calificado según el estándar JEDEC

Parámetros clave de rendimiento

Máximas clasificaciones

en TA =25°C, a menos que se especifique lo contrario

Características térmicas

Etiquetas:

Infineon potencia mosfet

el chip infineón

Controlador infineon pfc

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IPT007N06N Chip Infineon OptiMOS Transistor de potencia 60 V Resistencia térmica superior

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