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Puce Infineon
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IPT007N06N Infineon Puce OptiMOS Transistor de Puissance 60 V Résistance thermique supérieure

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IPT007N06N Infineon Puce OptiMOS Transistor de Puissance 60 V Résistance thermique supérieure
  • Nom

IPT007N06N Infineon Puce OptiMOS Transistor de Puissance 60 V Résistance thermique supérieure

Nom De La Marque: Infineon Chip
Numéro De Modèle: IPT007N06N
Quantité Minimale De Commande: 2500
Détails De L'emballage: 2500 pièces/bobine
Conditions De Paiement: T/T
Informations détaillées
Description du produit
Informations détaillées
Lieu d'origine:
Chine
Documents:
Infineon_IPT007N06N_DataShe...EN.pdf
modèle:
IPT007N06N
Nom du produit:
Puce Infineon
Taper:
CMS/CMS
Courant continu de drain:
300 A
Température de fonctionnement:
- 55 °C ~ + 175 °C
Dissipation de puissance:
375 W
Tension claque de Drain-source:
60 V
Capacité d'approvisionnement:
100000
Mettre en évidence:

IPT007N06N

,

IPT007N06 Infineon Puce

,

Résistance thermique supérieure OptiMOS

Description du produit

Chip Infineon IPT007N06N OptiMOSTMPower-Transistor, résistance thermique supérieure de 60 V


Caractéristiques
Testé à 100% en cas d'avalanche
Résistance thermique supérieure
N-canal
Qualifié selon le JEDEC1) Lepour les applications ciblées
Plaquage au plomb sans Pb; conforme à la réglementation RoHS
Ne contenant pas d'halogène conformément à la norme IEC 61249-2-21

Validation du produit
Qualifié selon la norme JEDEC

Principaux paramètres de performance
IPT007N06N Infineon Puce OptiMOS Transistor de Puissance 60 V Résistance thermique supérieure

Classification maximale
àTUne= 25°C, sauf indication contraire
IPT007N06N Infineon Puce OptiMOS Transistor de Puissance 60 V Résistance thermique supérieure

Caractéristiques thermiques
IPT007N06N Infineon Puce OptiMOS Transistor de Puissance 60 V Résistance thermique supérieure
Balises: 

mosfet de puissance infineon  

puce infineon  

contrôleur pfc infineon

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