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Chip Infineon
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IPT007N06N Infineon Chip OptiMOS Transistor di potenza 60 V Resistenza termica superiore

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IPT007N06N Infineon Chip OptiMOS Transistor di potenza 60 V Resistenza termica superiore
  • Nome

IPT007N06N Infineon Chip OptiMOS Transistor di potenza 60 V Resistenza termica superiore

Marchio: Infineon Chip
Numero di modello: IPT007N06N
MOQ: 2500
Dettagli dell'imballaggio: 2500 pezzi/bobina
Termini di pagamento: T/T
Informazioni dettagliate
Descrizione del prodotto
Informazioni dettagliate
Luogo di origine:
Cina
Documento:
Infineon_IPT007N06N_DataShe...EN.pdf
modello:
IPT007N06N
Nome del prodotto:
Chip Infineon
Tipo:
SMD/SMT
Corrente continua dello scolo:
300 A
Temperatura operativa:
-55°C~+175°C
Dissipazione di potenza:
375 W
Tensione di ripartizione di Scolo-fonte:
60 V
Capacità di alimentazione:
100000
Evidenziare:

IPT007N06N

,

IPT007N06 Infineon Chip

,

Resistenza termica superiore OptiMOS

Descrizione del prodotto

Transistor di potenza Infineon Chip IPT007N06N OptiMOSTMPower, 60 V Resistenza termica superiore


Caratteristiche
100% testato in valanga 
Resistenza termica superiore 
Canale N 
Qualificato secondo JEDEC1)  per applicazioni target 
Placcatura piombo senza piombo; conforme a RoHS 
Senza alogeni secondo IEC61249-2-21

Validazione del prodotto
Qualificato secondo lo standard JEDEC

Parametri chiave di prestazione
IPT007N06N Infineon Chip OptiMOS Transistor di potenza 60 V Resistenza termica superiore

Valori massimi 
a TA =25°C, se non diversamente specificato
IPT007N06N Infineon Chip OptiMOS Transistor di potenza 60 V Resistenza termica superiore

Caratteristiche termiche
IPT007N06N Infineon Chip OptiMOS Transistor di potenza 60 V Resistenza termica superiore
Tag: 

mosfet di potenza infineon  

chip infineon  

controller pfc infineon

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